公开(公告)号：KR1020100115311A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：KR1020100034697

申请日：2010-04-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시라이시고우스케 ,  이나토미유이치로

IPC: H01L21/312

CPC classification number: G03B27/54 ,  G03F7/40 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6719

Abstract: PURPOSE: A method for coating resist, a device for processing a resist layer, and a resist coating developing device including the same are provided to improve etching resistance. CONSTITUTION: A resist layer is formed on a substrate. The resist layer formed on the substrate is exposed by an exposing device. The resist layer is patterned by developing the exposed resist layer. Light except an ultraviolet region is irradiated on the patterned resist layer. The resist layer is heated in an irradiation process or after the irradiation process. The resist layer is exposed to solvent gas including benzene ring through a solvent processing unit(83).

Abstract translation: 目的：提供抗蚀剂用涂布方法，抗蚀剂层的加工装置以及含有该抗蚀剂层的抗蚀剂涂料显影装置，以提高耐蚀刻性。 构成：在基板上形成抗蚀剂层。 形成在基板上的抗蚀剂层通过曝光装置曝光。 通过显影曝光的抗蚀剂层来图案化抗蚀剂层。 除了紫外线区域之外的光照射在图案化的抗蚀剂层上。 抗蚀剂层在照射过程中或在照射过程之后被加热。 抗蚀剂层通过溶剂处理单元（83）暴露于包括苯环的溶剂气体。

公开(公告)号：KR1020120126017A

公开(公告)日：2012-11-20

申请号：KR1020120047927

申请日：2012-05-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시라이시고우스케

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40

Abstract: PURPOSE: A developing processing device, a developing processing method, and a computer storage device are provided to reduce line width difference after development by individually performing developing processing for each shot inside a substrate plane. CONSTITUTION: A substrate support supports a substrate. A gathering nozzle is formed from one end part of the substrate to the other end part of the substrate side by side. A plurality of shafts is installed between supporting members. A driving tool separately horizontally moves each supply nozzle(90). The driving tool comprises a shift function. A rinse liquid discharge port which discharges a rinse liquid to a substrate is formed on the supply nozzle.

Abstract translation: 目的：提供显影处理装置，显影处理方法和计算机存储装置，以通过对基板平面内的每个拍摄进行单独的显影处理来减少显影后的线宽差。 构成：衬底支撑件支撑衬底。 聚集喷嘴从基板的一个端部到基板的另一端部并排地形成。 多个轴安装在支撑构件之间。 驱动工具分别水平地移动每个供应喷嘴（90）。 驱动工具包括换档功能。 在供给喷嘴上形成有将冲洗液排出到基板的冲洗液排出口。

公开(公告)号：KR1020160072785A

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：KR1020150173251

申请日：2015-12-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다도코로마사히데 ,  데라시타유이치 ,  시라이시고우스케 ,  이세키도모히로 ,  도모노마사루 ,  미조구치히로노리

IPC: G03F7/20

CPC classification number: H01L21/67115 ,  G03F7/70991

Abstract: [과제] 간이한구성에의해기판전체에대하여균일하게광을조사한다. [해결수단] 광조사유닛(U3)은웨이퍼(W)를수평으로유지하면서웨이퍼(W)의표면(Wa)과직교하는방향으로연장되어있는회전축의둘레로웨이퍼(W)를회전시키는회전유지부(10)와, 회전유지부(10)의상방에위치하는조명부(30)와, 회전유지부(10)와조명부(30) 사이에위치하고수평으로넓어지는차광마스크(20)와, 조명부(30)를수평방향을따라서직선형으로이동시키는구동부(40)를구비한다. 차광마스크(20)는회전축방향으로부터볼 때회전유지부(10)에유지되어있는웨이퍼(W)의표면(Wa)을덮도록웨이퍼(W)와서로겹쳐져있고, 회전축의직교방향에있어서, 외측을향해서연장됨과아울러회전축으로부터멀어짐에따라서넓어지는개구부(22)를갖는다. 조명부(30)는구동부(40)에의해서개구부(22) 상을이동하면서, 회전유지부(10)에유지되어있는웨이퍼(W)의표면(Wa)을향해서개구부(22)를통하여광을조사한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种光照射单元，其具有简单的结构并且可以在整个晶片上均匀地照射光。 光照射单元（U3）包括：旋转维持单元（10），其保持晶片（W）水平并使晶片（W）围绕在与晶片的表面（Wa）正交的方向上延伸的旋转轴线旋转 ; 位于旋转维护单元（10）上方的灯单元（30）; 位于旋转维持单元（10）和灯单元（30）之间并且水平延伸的遮光罩（20） 以及驱动单元（40），其使所述灯单元（30）线性地和水平地移动。 遮光掩模（20）与晶片（W）重叠设置，并覆盖由旋转维护单元（10）保持的晶片（W）的表面（Wa），并且相对于旋转的正交方向 轴向延伸并且具有随着其从旋转轴进一步变大而变大的开口单元（22）。 光单元（30）通过驱动单元（40）移动到打开单元（22）上，并将光通过开口单元（22）照射在保持在旋转维护单元上的晶片（W）的表面（Wa）上 （10）。

公开(公告)号：KR1020160102184A

公开(公告)日：2016-08-29

申请号：KR1020167016020

申请日：2014-12-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  오사카 유니버시티

Inventor： 나가하라세이지 ,  시라이시고우스케 ,  시무라사토루 ,  요시하라코우스케 ,  카와카미신이치로 ,  토모노마사루 ,  타가와세이이치 ,  오시마아키히로

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/67

CPC classification number: G03F7/2004 ,  G03F7/20 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67225 ,  G03F7/70991

Abstract: 기판을처리하는기판처리시스템은기판을처리하는복수의처리장치가마련된처리스테이션과, 기판처리시스템의외부에마련되어기판상의레지스트막에패턴의노광을행하는노광장치와기판처리시스템과의사이에서직접적또는간접적으로기판을전달하는인터페이스스테이션과, 패턴의노광이행해진후의기판상의레지스트막에대하여 UV광에의한포스트노광을행하는광 조사장치와, 광조사장치를수용하고, 감압또는불활성가스분위기로조정가능한포스트노광스테이션을가지고, 포스트노광스테이션은노광장치와직접적, 또는감압또는불활성가스분위기로조정가능한공간을개재하여간접적으로접속되어있다.

Abstract translation: 一种用于处理基板的基板处理系统，包括：设置有多个处理基板的处理装置的处理台; 接口站，其在设置在基板处理系统外部的曝光装置之间直接或间接地传送基板，并且在基板上的抗蚀剂膜上进行图案的曝光;以及基板处理系统; 执行曝光图案之后，使用UV光对基板上的抗蚀剂膜进行后曝光的光照射装置; 以及容纳光照射装置并且可以减压或惰性气体气氛调节的后曝光站，其中后曝光站通过可调节到减压的空间直接或间接连接到曝光装置，或 惰性气体气氛。

公开(公告)号：KR101046256B1

公开(公告)日：2011-07-05

申请号：KR1020090098166

申请日：2009-10-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아사코류이치 ,  시라이시고우스케 ,  타하라시게루

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/31058 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826

Abstract: CO
2 플라즈마에 노출된 저유전율 절연막의 데미지를 회복시켜 저유전율 절연막을 양호한 상태로 할 수 있고, 반도체 장치에서의 성능의 향상과 신뢰성의 향상을 도모할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 장치를 제공한다. 기판에 형성된 저유전율 절연막을 에칭하는 에칭 처리 공정과, 해당 에칭 처리 공정 후에 기판을 CO
2 플라즈마에 노출시키는 CO
2 플라즈마 처리 공정과, CO
2 플라즈마 처리 공정 후에 저유전율 절연막에 자외선을 조사하는 자외선 처리 공정을 가지는 반도체 장치의 제조 방법.

Abstract translation: CO

公开(公告)号：KR101610966B1

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：KR1020100034697

申请日：2010-04-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시라이시고우스케 ,  이나토미유이치로

IPC: H01L21/312

CPC classification number: G03B27/54 ,  G03F7/40 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6719

Abstract: 본발명은에칭내성을향상시킬수 있는레지스트막처리장치를제공하는것을과제로한다. 레지스트막처리장치(60)는현상에의해패턴화된레지스트막에자외영역광을조사하는광원(UV)과, 상기광원(UV)에의해자외영역광이조사된상기레지스트막을가열하도록구성된가열부(62H)와, 상기가열부(62H)에의해가열되었거나또는가열되고있는상기레지스트막을, 벤젠환을함유하는용제를포함하는용제기체에노출시키도록구성된용제처리부(83)를구비한다.

公开(公告)号：KR1020100044097A

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：KR1020090098166

申请日：2009-10-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아사코류이치 ,  시라이시고우스케 ,  타하라시게루

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/31058 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device are provided to form wirings on the semiconductor device with a superior electric property by recovering a low-k dielectric layer, which is exposed to carbon dioxide plasma. CONSTITUTION: A low-k dielectric layer is formed on a substrate. The low-k dielectric layer is etched(1). A photo resist layer is used as an etching mask. The substrate is exposed to carbon dioxide plasma. In order to remove the photo resist layer, a carbon dioxide plasma is ashed(2). An ultraviolet ray is radiated on the low-k dielectric layer(3). The low-k dielectric layer is silylated(4).

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的方法和装置，通过回收暴露于二氧化碳等离子体的低k电介质层，在半导体器件上形成具有优异电性能的布线。 构成：在基片上形成低k电介质层。 蚀刻低k电介质层（1）。 使用光刻胶层作为蚀刻掩模。 将基板暴露于二氧化碳等离子体。 为了除去光致抗蚀剂层，二氧化碳等离子体被灰化（2）。 在低k电介质层（3）上照射紫外线。 低k电介质层被甲硅烷基化（4）。