公开(公告)号：KR1020160111003A

公开(公告)日：2016-09-23

申请号：KR1020167023012

申请日：2015-01-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 헐리데이비드에프. ,  파넬도니 ,  타하라시게루 ,  이시이도루

IPC: H01L43/12 ,  H01L21/324 ,  H01L43/02

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L21/324 ,  H01L43/02

Abstract: 어닐링시스템에서워크피스의에칭-후어닐링을수행하는방법이기재된다. 구체적으로, 방법은, 어닐링시스템에하나이상의워크피스를배치하는단계를포함하며, 하나이상의워크피스의각각은셀 임계치수(CD)에의해특성화된전자디바이스를형성하도록에칭프로세스시퀀스를사용하여패터닝된박막의다층스택을가지며, 박막의다층스택은자기재료를함유한적어도하나의패터닝된층을포함한다. 그후에, 하나이상의워크피스상의자기재료를함유한패터닝된층은어닐링프로세스조건을통하여어닐링시스템에서어닐링되며, 어닐링프로세스조건은자기재료를함유한패터닝된층의특성을조정하도록선택된다.

公开(公告)号：KR1020150010779A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：KR1020147034719

申请日：2013-04-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타하라시게루 ,  니시무라에이치

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0234 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069

Abstract: 기판을 가열하고 산소 플라즈마에 노출하는 공정과, 기판을 불화 수소 가스와 알코올 가스의 혼합 가스의 분위기에 노출하고 또한 혼합 가스의 전압 또는 알코올 가스의 분압을 제 1 전압 또는 알코올 가스의 분압으로 하는 제 1 기간과, 혼합 가스의 전압 또는 알코올 가스의 분압을 제 1 전압 또는 알코올 가스의 분압보다 낮은 제 2 전압 또는 알코올 가스의 분압으로 하는 제 2 기간을 반복하는 사이클 처리 공정을 가지고, 사이클 처리 공정에서는, 기판에 대향하는 영역으로부터 혼합 가스를 기판으로 공급하고, 또한 기판의 중앙부를 포함하는 제 1 영역과, 제 1 영역의 외측의 제 2 영역으로부터의 혼합 가스의 단위 면적당 공급량을, 제 2 영역보다 제 1 영역을 많게 한다.

公开(公告)号：KR1020120116888A

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：KR1020120038572

申请日：2012-04-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타하라시게루 ,  니시무라에이치

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/32853

Abstract: PURPOSE: A cleaning method for a plasma processing apparatus and a plasma processing method are provided to prevent stripped deposits from being attached by performing a cleaning process before an amount of deposits increase. CONSTITUTION: A plasma processing chamber(20) is communicated with a plasma generation chamber(30) by interposing a partition member. A high frequency antenna(142) is installed outside a plate shaped dielectric window formed in a ceiling portion of the plasma generation chamber. Process gas including hydrogen gas in the plasma generation chamber is plasma-excited. Generated hydrogen radical is introduced to the inside of the plasma processing chamber passing through the partition member. A processed substrate is plasma-processed. Carbon tetrafluoride gas is introduced and deposits of a silicon group piled in the plasma generation chamber are removed. [Reference numerals] (122) Gas supply source; (130) Exhaust unit; (200) Control unit; (210) Operation unit; (220) Memory unit

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置的清洁方法和等离子体处理方法，以在沉积量增加之前通过执行清洁处理来防止剥离的沉积物附着。 构成：通过插入分隔构件，等离子体处理室（20）与等离子体产生室（30）连通。 高频天线（142）安装在形成在等离子体发生室的顶部的板状电介质窗外部。 等离子体发生室中包括氢气的工艺气体被等离子体激发。 产生的氢自由基被引入通过分隔构件的等离子体处理室的内部。 经处理的衬底被等离子体处理。 引入四氟化碳气体，除去堆积在等离子体发生室中的硅基团的沉积物。 （附图标记）（122）气体供给源; （130）排气单元; （200）控制单元; （210）操作单元; （220）存储单元

公开(公告)号：KR101773806B1

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：KR1020100140228

申请日：2010-12-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타하라시게루 ,  야마시타후미코 ,  니시무라에이치 ,  오오이와토쿠히사 ,  마츠시타타카야 ,  도미타히로시

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67028 ,  H01L21/02057

Abstract: 실리콘층의노출부를포함하는패턴을플라즈마에칭에의해형성할때, 부생성물의제거와잔류불소의제거를패턴에손상을주지않고행할수 있는기판의클리닝방법및 기판의클리닝장치를제공한다. 기판상의패턴을플라즈마에칭에의해형성한후에, 기판의표면을클리닝하는기판의클리닝방법으로서, 기판을 HF 가스분위기에노출하여부생성물을제거하는부생성물제거공정과, 수소가스와, 탄소와수소를구성원소로서포함하는화합물의가스와, 희가스를포함하는클리닝가스를플라즈마화하여기판에작용시키고, 상기기판에잔류한불소를제거하는잔류불소제거공정을구비하고있다.

Abstract translation: 当通过包括硅层，以等离子体蚀刻的暴露部分上形成图案而形成，为副产物和残留的氟基板清洗方法和基板能够执行而不会对图案除去的损坏的去除提供的清洁装置。 通过在衬底的等离子体蚀刻的图案形成Hanhue，衬底的清洗方法来清洁衬底的表面，并暴露于HF气体气氛的底物和副产物除去步骤，以除去副产物，氢气，碳和氢 和含有作为构成元素的化合物的气体，以及含有该等离子体清洗气体的稀有气体和作用于底物，并且具有在所述基板上除去残留的氟的残留的氟去除过程。

公开(公告)号：KR101046256B1

公开(公告)日：2011-07-05

申请号：KR1020090098166

申请日：2009-10-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아사코류이치 ,  시라이시고우스케 ,  타하라시게루

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/31058 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826

Abstract: CO
2 플라즈마에 노출된 저유전율 절연막의 데미지를 회복시켜 저유전율 절연막을 양호한 상태로 할 수 있고, 반도체 장치에서의 성능의 향상과 신뢰성의 향상을 도모할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 장치를 제공한다. 기판에 형성된 저유전율 절연막을 에칭하는 에칭 처리 공정과, 해당 에칭 처리 공정 후에 기판을 CO
2 플라즈마에 노출시키는 CO
2 플라즈마 처리 공정과, CO
2 플라즈마 처리 공정 후에 저유전율 절연막에 자외선을 조사하는 자외선 처리 공정을 가지는 반도체 장치의 제조 방법.

Abstract translation: CO

公开(公告)号：KR102108111B1

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：KR1020147034719

申请日：2013-04-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타하라시게루 ,  니시무라에이치

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

公开(公告)号：KR1020110081765A

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：KR1020100140228

申请日：2010-12-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타하라시게루 ,  야마시타후미코 ,  니시무라에이치 ,  오오이와토쿠히사 ,  마츠시타타카야 ,  도미타히로시

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67028 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02049 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H05H1/46

Abstract: PURPOSE: A substrate cleaning method and a substrate cleaning apparatus are provided to remove by-production and residual fluorine without damage to a pattern in forming the laminated pattern of a silicon layer and an insulating layer through plasma etching. CONSTITUTION: In a substrate cleaning method and a substrate cleaning apparatus, a substrate is exposed to an HF gas to remove a by-product. The chemical compound gas includes hydrogen gas, carbon and hydrogen. Cleaning gas including rare gases are made plasma and are applied to the substrate to remove the RESIDUAL FLUORINE on the substrate.

Abstract translation: 目的：提供基板清洗方法和基板清洁装置，以通过等离子体蚀刻在形成硅层和绝缘层的层叠图案中不损害图案来除去副产物和残余氟。 构成：在基板清洗方法和基板清洗装置中，将基板暴露于HF气体中以除去副产物。 化合物气体包括氢气，碳和氢气。 包括稀有气体在内的清洁气体被制成等离子体，并且被施加到衬底上以除去衬底上的残留氟。

公开(公告)号：KR1020160137967A

公开(公告)日：2016-12-02

申请号：KR1020167023128

申请日：2015-03-17

Applicant: 아이엠이씨 브이제트더블유 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타하라시게루 ,  라디식둔자

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01J37/32862 ,  B08B7/0035 ,  B08B9/08 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/334

Abstract: 본개시는용량결합형플라즈마반응기의프로세스챔버를클리닝하는방법과관련되고, 방법은 a) 불활성가스를체적의 80~100% 포함하는가스를프로세스챔버에도입하는단계-상기불활성가스는네온, 아르곤, 크립톤, 크세논및 그들의조합으로이루어지는그룹으로부터선택된다-와, b) 상기불활성가스로부터플라즈마를형성하여상기프로세스챔버를클리닝하는단계를포함한다.

Abstract translation: 本公开涉及一种清洁电容耦合等离子体反应器的处理室的方法，所述方法包括：a）将包含80-100体积％惰性气体的气体引入所述处理室中，其中所述惰性气体选自 由氖，氩，氪，氙及其组合组成的组; 和b）从所述惰性气体形成等离子体，从而清洁所述处理室。

公开(公告)号：KR1020100044097A

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：KR1020090098166

申请日：2009-10-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아사코류이치 ,  시라이시고우스케 ,  타하라시게루

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/31058 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device are provided to form wirings on the semiconductor device with a superior electric property by recovering a low-k dielectric layer, which is exposed to carbon dioxide plasma. CONSTITUTION: A low-k dielectric layer is formed on a substrate. The low-k dielectric layer is etched(1). A photo resist layer is used as an etching mask. The substrate is exposed to carbon dioxide plasma. In order to remove the photo resist layer, a carbon dioxide plasma is ashed(2). An ultraviolet ray is radiated on the low-k dielectric layer(3). The low-k dielectric layer is silylated(4).

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的方法和装置，通过回收暴露于二氧化碳等离子体的低k电介质层，在半导体器件上形成具有优异电性能的布线。 构成：在基片上形成低k电介质层。 蚀刻低k电介质层（1）。 使用光刻胶层作为蚀刻掩模。 将基板暴露于二氧化碳等离子体。 为了除去光致抗蚀剂层，二氧化碳等离子体被灰化（2）。 在低k电介质层（3）上照射紫外线。 低k电介质层被甲硅烷基化（4）。