公开(公告)号：KR100958265B1

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：KR1020077030143

申请日：2007-04-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아루가미키 ,  야마자키가즈요시 ,  아오야마신타로 ,  시모무라고우지

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/3144 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31641 ,  H01L29/518

Abstract: 본 발명에 따르면, 기판 처리 방법은, 고유전체막에 질소 원자를 도입하는 제 1 처리 위치와, 상기 고유전체막을 열처리하는 제 2 처리 위치를 구비한 매엽식 기판 처리 장치에 있어서, 복수의 피처리 기판을 한 장씩, 상기 제 1 및 제 2 처리 위치에 순차적으로 반송하여, 상기 피처리 기판 상의 고유전체막에 대해 상기 질소 원자 도입 처리 및 상기 열처리를 순차적으로 실행하고, 상기 피처리 기판은 상기 제 1 처리 위치에서의 처리 후, 상기 제 2 처리 위치에 있어서, 30초 이내에 처리가 개시한다.

公开(公告)号：KR1020080044914A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：KR1020087008582

申请日：2006-09-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오야마신타로 ,  다카하시츠요시 ,  시모무라고우지 ,  아루가미키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02148 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/318

Abstract: This invention provides a method for the formation of a highly dielectric film on a silicon substrate, comprising the steps of treating the surface of the silicon substrate with dilute hydrofluoric acid, feeding, after the dilute hydrofluoric acid treatment step, an organometal material containing Hf and nitrogen onto the surface of the silicon substrate to form nuclei of HfN, feeding, after the nucleation step, an Hf-containing organometal material and an Si-containing organic material onto the surface of the silicon substrate to form an Hf silicate film by CVD.

Abstract translation: 本发明提供了一种在硅衬底上形成高电介质膜的方法，包括以下步骤：用稀氢氟酸处理硅衬底的表面，在稀氢氟酸处理步骤之后，加入含有Hf的有机金属材料和 在硅衬底的表面上形成氮以形成HfN的核，在成核步骤之后，将含Hf的有机金属材料和含Si的有机材料进料到硅衬底的表面上，以通过CVD形成Hf硅酸盐膜。

公开(公告)号：KR1020080025081A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：KR1020077030143

申请日：2007-04-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아루가미키 ,  야마자키가즈요시 ,  아오야마신타로 ,  시모무라고우지

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/3144 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31641 ,  H01L29/518

Abstract: A method of substrate treatment comprising, with the use of a sheet-feed substrate treating apparatus provided with a first treatment position for introducing of nitrogen atoms in a highly dielectric film and a second treatment position for heat treatment of the highly dielectric film, sequentially delivering multiple substrates to be treated one by one to the first and second treatment positions to thereby sequentially carry out the nitrogen atom introduction treatment and heating treatment on the highly dielectric film of the substrates to be treated, wherein after the treatment in the first treatment position, treatment of the resultant substrates in the second treatment position is begun within 30 sec. ® KIPO & WIPO 2008

Abstract translation: 一种基板处理方法，其特征在于，使用具有用于在高电介质膜中导入氮原子的第一处理位置的片材进给基板处理装置和用于高介电膜的热处理的第二处理位置，顺序地输送 将待处理的多个基板一个接一个地处理到第一处理位置和第二处理位置，从而对要处理的基板的高电介质膜依次进行氮原子引入处理和加热处理，其中在第一处理位置处理之后， 在第二处理位置处理所得到的基材在30秒内开始。 ®KIPO＆WIPO 2008

公开(公告)号：KR100966388B1

公开(公告)日：2010-06-28

申请号：KR1020087008582

申请日：2006-09-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오야마신타로 ,  다카하시츠요시 ,  시모무라고우지 ,  아루가미키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02148 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/318

Abstract: 실리콘 기판 상으로의 고유전체막의 형성 방법은, 상기 실리콘 기판 표면을 희불산 처리하는 공정과, 상기 희불산 처리 공정 후, 상기 실리콘 기판 표면에 Hf와 질소를 포함하는 유기 금속 원료를 공급하여, HfN의 핵 형성을 실행하는 공정과, 상기 핵 형성 공정 후, 상기 실리콘 기판 표면에 Hf를 포함하는 유기 금속 원료와 Si를 포함하는 유기 원료를 공급하여, Hf 실리케이트막을 CVD법에 의해 성막하는 공정을 포함한다.