公开(公告)号：KR100935483B1

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：KR1020077022529

申请日：2006-04-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시츠요시 ,  아오야마신타로 ,  시나다다카히로 ,  가와카미마사토

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/45512 ,  G11B5/85 ,  G11B7/266 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31604

Abstract: 피처리 기판을 내부에 유지하는 처리 용기와, 상기 처리 용기내에, 터셔리뷰톡실기를 리간드로 하는 금속 알콕사이드로 이루어지는 제 1 기상 원료를 공급하는 제 1 가스 공급 수단과, 상기 처리 용기내에, 실리콘 알콕사이드 원료로 이루어지는 제 2 기상 원료를 공급하는 제 2 가스 공급 수단을 갖고, 상기 제 1 가스 공급 수단과 상기 제 2 가스 공급 수단은, 상기 제 1 기상 원료와 상기 제 2 기상 원료를 예비 반응시키는 예비 반응 수단에 접속되고, 예비 반응후의 상기 제 1 기상 원료와 상기 제 2 기상 원료가 상기 처리 용기내에 공급되는 구조인 것을 특징으로 하는 성막 장치.

公开(公告)号：KR100752559B1

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：KR1020027012657

申请日：2001-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기류히데키 ,  아오야마신타로 ,  다카하시츠요시 ,  신리키히로시

IPC: H01L21/316

Abstract: Si 기판 위에 유전체막을 형성하는 방법은 Si 기판에서 유전체막을 구성하는 금속 원소의 기체 분자 화합물을 흡착시키는 단계와, 가수 분해 프로세스 또는 열분해 프로세스 또는 산화 프로세스에 의해 흡착된 기체 분자 화합물을 열분해시키는 단계를 포함한다.
유전체막, 기체 분자 화합물, Si 기판, 가수 분해, 열분해, 산화

公开(公告)号：KR1020060131970A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：KR1020067020971

申请日：2005-04-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시츠요시 ,  시모무라고우지 ,  나카무라겐지 ,  아오야마신타로 ,  야마자키가즈요시

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/401 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/518

Abstract: A method of forming gate insulating film (4) of a hafnium silicate material having an SiO2 capacity- converted film thickness of

Abstract translation: 一种在硅衬底（1）上形成SiO 2电容转换膜厚度<= 1.45nm的硅酸铪材料的栅极绝缘膜（4）的方法。 该方法包括清洗硅衬底（1）的表面从而获得其中基本上不存在氧的清洁表面的步骤; 通过使用酰胺有机铪化合物和硅原料的CVD工艺，在硅衬底（1）的清洁表面上形成硅酸铪膜（2）; 氧化硅酸铪膜（2）; 并对经过氧化的硅酸铪膜（2）进行氮化。 通过该方法，可以获得即使膜薄的栅极绝缘膜，表面粗糙度也优异。

公开(公告)号：KR100638931B1

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：KR1020037016484

申请日：2002-12-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오야마신타로 ,  이게타마사노부 ,  신리키히로시 ,  다카하시츠요시

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67167 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/302 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67225 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 기판 처리 방법은 실리콘 기판 표면으로부터 탄소를 제거하는 공정과, 상기 탄소가 제거된 실리콘 기판 표면을 평탄화하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100502557B1

公开(公告)日：2005-07-21

申请号：KR1020037003856

申请日：2001-09-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기류히데키 ,  다카하시츠요시 ,  아오야마신타로 ,  신리키히로시 ,  이게타마사노부

IPC: H01L21/31

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/308 ,  C23C16/40 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67167 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: This method for film formation has a first step of forming a first insulation film, the essential component of which is a material having a first dielectric constant, on the surface of a semiconductor substrate and a second step of forming a second insulation film, the essential component of which is a material having a second dielectric constant larger than the first dielectric constant, on the first insulation film to be thicker than this first insulation film. Since the process of forming a film of a high dielectric constant material that constitutes the second insulation film is executed successively, following the formation of a barrier layer that is the first insulation film, it is possible to form a gate of a high dielectric constant material stable to the substrate.

公开(公告)号：KR100966388B1

公开(公告)日：2010-06-28

申请号：KR1020087008582

申请日：2006-09-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오야마신타로 ,  다카하시츠요시 ,  시모무라고우지 ,  아루가미키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02148 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/318

Abstract: 실리콘 기판 상으로의 고유전체막의 형성 방법은, 상기 실리콘 기판 표면을 희불산 처리하는 공정과, 상기 희불산 처리 공정 후, 상기 실리콘 기판 표면에 Hf와 질소를 포함하는 유기 금속 원료를 공급하여, HfN의 핵 형성을 실행하는 공정과, 상기 핵 형성 공정 후, 상기 실리콘 기판 표면에 Hf를 포함하는 유기 금속 원료와 Si를 포함하는 유기 원료를 공급하여, Hf 실리케이트막을 CVD법에 의해 성막하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020080018954A

公开(公告)日：2008-02-28

申请号：KR1020087001392

申请日：2006-07-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠시마노리아키 ,  다카하시츠요시

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/67109

Abstract: A film forming apparatus (100) is provided with a chamber (1) for storing a wafer; a placing table arranged in the chamber (1) to place the wafer; a shower head (4) arranged at a position facing the placing table for jetting a treatment gas into the chamber (1); and an exhaust mechanism for exhausting inside the chamber (1). The shower head (4) is provided with a center portion (46) whereupon a multitude of gas ejecting holes (45a, 45b) are formed for ejecting the treatment gas; and an outer circumference portion (47) which positions on the outer circumference side of the center portion (46) without having the gas ejecting ports (45a, 45b). The film forming apparatus (100) is further provided with a heat dissipating mechanism for dissipating heat of the shower head (4) from the entire circumference of the outer circumference portion (47) to the atmosphere side.

Abstract translation: 一种成膜设备（100）设置有用于存储晶片的室（1） 布置在所述腔室（1）中以放置所述晶片的放置台; 布置在面向所述放置台的位置处的喷头（4），用于将处理气体喷射到所述室（1）中; 以及用于在所述室（1）内部排出的排气机构。 淋浴头（4）设置有中心部分（46），随后形成有用于喷射处理气体的多个气体喷射孔（45a，45b） 以及不具有气体喷出口（45a，45b）而在中心部（46）的外周侧配置的外周部（47）。 成膜装置（100）还设置有用于将淋浴喷头（4）的热量从外周部分（47）的整个周边散热到大气侧的散热机构。

公开(公告)号：KR1019980079901A

公开(公告)日：1998-11-25

申请号：KR1019980007161

申请日：1998-03-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하시모토츠요시 ,  마츠세기미히로 ,  오쿠보가즈야 ,  다카하시츠요시

IPC: H01L21/08

Abstract: 처리실에 노출된 처리 용기의 내측 표면상에 제 1 프리코팅막을 형성하기 위해, 상기 처리실을 가열하면서, 제 1 성막용 가스를 상기 처리 용기의 처리실 내로 공급하고, 이어서, 상기 제 1 프리코팅막상에 제 2 프리코팅막을 형성하기 위해, 제 2 성막용 가스를 상기 처리실 내로 공급하는 것에 의해, 전처리(pretreatment)시에 프리코팅막을 형성한다. 이어서, 반도체 웨이퍼를 상기 처리실 내로 로딩한다. 그 후, 상기 웨이퍼상의 제 1 층을 형성하기 위해, 처리실을 가열하면서 상기 제 1 가스를 상기 처리실 내로 공급하고, 이어서, 상기 제 1 층상에 제 2 층을 형성하기 위해, 상기 제 2 가스를 상기 처리실 내로 공급한다. 다음에, 상기 제 1 층상에 적층된 상기 제 2 층의 표면상에 실리콘 물질이 증착되도록 실란 가스를 상기 처리실 내로 공급한다. 최종적으로, 제 1 및 제 2 적층막을 갖는 웨이퍼를 상기 처리 용기의 외부로 언로딩한다.

公开(公告)号：KR100832929B1

公开(公告)日：2008-05-27

申请号：KR1020067018780

申请日：2005-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시츠요시 ,  아오야마신타로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L29/517 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  H01L21/28194

Abstract: 처리용기(1)내에 HTB 가스와 디실란 가스를 도입하여, 실리콘 기판(W) 상에 CVD에 의해 하프늄 실리케이트막을 성막한다. 기판을 지지하는 서셉터(2)에 매설한 히터(5)에 의해 기판 온도를 제어하여 성막을 실행한다. 그 성막시의 기판 온도는, HTB가 수산화 하프늄과 이소부틸렌으로 분해하는 온도 이상으로, 또한 디실란 가스의 자기 분해 온도 미만, 바람직하게는 350 ℃ 이상 450 ℃ 이하로 제어된다.

公开(公告)号：KR1020060120282A

公开(公告)日：2006-11-24

申请号：KR1020067018780

申请日：2005-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시츠요시 ,  아오야마신타로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L29/517 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  H01L21/28194

Abstract: An HTB gas and a disilane gas are introduced into a process chamber (1), and a hafnium silicate film is formed on a silicon substrate (W) by CVD. The film is formed while controlling the substrate temperature by a heater (5) embedded in a susceptor (2) supporting the substrate. The substrate temperature during film formation is controlled not less than the temperature at which HTB is decomposed into hafnium hydroxide and isobutylene and less than the autolysis temperature of the disilane gas, preferably not less than 350°C and not more than 450°C.

Abstract translation: 将HTB气体和乙硅烷气体引入到处理室（1）中，并且通过CVD在硅衬底（W）上形成硅酸铪膜。 通过嵌入在支撑衬底的基座（2）中的加热器（5）来控制衬底温度而形成膜。 控制成膜时的基板温度不低于HTB分解为氢氧化铪和异丁烯的温度，低于乙硅烷气体的自溶温度，优选为350℃以上且450℃以下。