公开(公告)号：KR1020080044914A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：KR1020087008582

申请日：2006-09-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오야마신타로 ,  다카하시츠요시 ,  시모무라고우지 ,  아루가미키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02148 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/318

Abstract: This invention provides a method for the formation of a highly dielectric film on a silicon substrate, comprising the steps of treating the surface of the silicon substrate with dilute hydrofluoric acid, feeding, after the dilute hydrofluoric acid treatment step, an organometal material containing Hf and nitrogen onto the surface of the silicon substrate to form nuclei of HfN, feeding, after the nucleation step, an Hf-containing organometal material and an Si-containing organic material onto the surface of the silicon substrate to form an Hf silicate film by CVD.

Abstract translation: 本发明提供了一种在硅衬底上形成高电介质膜的方法，包括以下步骤：用稀氢氟酸处理硅衬底的表面，在稀氢氟酸处理步骤之后，加入含有Hf的有机金属材料和 在硅衬底的表面上形成氮以形成HfN的核，在成核步骤之后，将含Hf的有机金属材料和含Si的有机材料进料到硅衬底的表面上，以通过CVD形成Hf硅酸盐膜。

公开(公告)号：KR100701714B1

公开(公告)日：2007-03-29

申请号：KR1020057003930

申请日：2003-09-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이게타마사노부 ,  아오야마신타로 ,  신리키히로시

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67017

Abstract: 기판 처리 장치(100, 40)는 고주파 플라즈마에 의해 질소 래디컬과 산소 래디컬을 형성하는 래디컬 형성부(26)와, 피처리 기판 W를 유지하는 처리용기(21)와, 래디컬 형성부에 접속되어 질소를 포함하는 제 1 원료 가스와 산소를 포함하는 제 2 원료 가스의 혼합비를 제어하여 원하는 혼합비의 혼합 가스를 래디컬 형성부로 공급하는 가스 공급부(30)를 구비한다. 혼합비가 제어된 질소 래디컬과 산소 래디컬을 피처리 기판 표면으로 공급하는 것에 의해, 피처리 기판 표면에 원하는 질소농도로 절연막을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020050057255A

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：KR1020057003930

申请日：2003-09-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이게타마사노부 ,  아오야마신타로 ,  신리키히로시

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67017

Abstract: A substrate-processing apparatus (100, 40) comprises a radical-forming unit (26) for forming nitrogen radicals and oxygen radicals through a high-frequency plasma, a processing vessel (21) in which a substrate (W) to be processed is held, and a gas- supplying unit (30) which is connected to the radical-forming unit. The gas-supplying unit (30) controls the mixture ratio between a first raw material gas containing nitrogen and a second raw material gas containing oxygen, and supplies a mixture gas of a desired mixture ratio to the radical-forming unit. By supplying nitrogen radicals and oxygen radicals mixed at the controlled mixture ratio to the surface of the substrate, an insulating film having a desired nitrogen concentration is formed on the surface of the substrate.

Abstract translation: 基板处理装置（100,40）包括用于通过高频等离子体形成氮自由基和氧自由基的自由基形成单元（26），处理容器（21），其中待处理的基板（W） 以及与自由基形成单元连接的气体供给单元（30）。 气体供给单元（30）控制含有氮的第一原料气体和含有氧的第二原料气体的混合比，并将所需混合比例的混合气体与自由基形成单元供给。 通过将以受控混合比混合的氮自由基和氧自由基提供给基板的表面，在基板表面上形成具有所需氮浓度的绝缘膜。

公开(公告)号：KR1020040007734A

公开(公告)日：2004-01-24

申请号：KR1020037016484

申请日：2002-12-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오야마신타로 ,  이게타마사노부 ,  신리키히로시 ,  다카하시츠요시

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67167 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/302 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67225 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 기판 처리 방법은 실리콘 기판 표면으로부터 탄소를 제거하는 공정과, 상기 탄소가 제거된 실리콘 기판 표면을 평탄화하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020140060515A

公开(公告)日：2014-05-20

申请号：KR1020147005999

申请日：2012-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키야마코지 ,  히가시지마히로카즈 ,  타무라치히로 ,  아오야마신타로

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02318 ,  C23C14/083 ,  C23C14/5806 ,  C23C16/405 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/823462 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 피처리체 상에 제 1 고유전율 절연막을 성막하는 제 1 성막 공정과, 상기 제 1 고유전율 절연막을 650℃ 이상에서 60 초 미만 동안 열 처리하는 결정화 열 처리 공정과, 상기 제 1 고유전율 절연막 상에, 상기 제 1 고유전율 절연막의 금속 원소의 이온 반경보다 작은 이온 반경을 가지는 금속 원소를 가지고, 상기 제 1 고유전율 절연막보다 비유전율이 큰 제 2 고유전율 절연막을 성막하는 제 2 성막 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR101019799B1

公开(公告)日：2011-03-04

申请号：KR1020087014896

申请日：2006-11-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자키가즈요시 ,  아오야마신타로 ,  아키야마고지

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/318

Abstract: 유기 금속 화합물 재료를 이용하여 피처리체의 표면에 형성된 고유전체 박막의 개질 방법에 있어서, 상기 고유전체 박막이 표면에 형성된 상기 피처리체를 준비하는 준비 공정과, 상기 피처리체를 소정의 온도로 유지하면서 불활성 가스의 분위기 중에서 상기 고유전체 박막에 자외선을 조사함으로써 상기 고유전체 박막의 개질을 실행하는 개질 공정을 구비하도록 구성한다. 이것에 의해, 고유전체 박막 내에서 탄소 성분을 제거함과 아울러, 전체를 소성하여 밀도를 향상시켜, 결손의 발생을 방지하고, 또한 막 밀도를 향상시키는 것으로 비유전율을 높이고, 높은 전기 특성을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR100966388B1

公开(公告)日：2010-06-28

申请号：KR1020087008582

申请日：2006-09-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오야마신타로 ,  다카하시츠요시 ,  시모무라고우지 ,  아루가미키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02148 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/318

Abstract: 실리콘 기판 상으로의 고유전체막의 형성 방법은, 상기 실리콘 기판 표면을 희불산 처리하는 공정과, 상기 희불산 처리 공정 후, 상기 실리콘 기판 표면에 Hf와 질소를 포함하는 유기 금속 원료를 공급하여, HfN의 핵 형성을 실행하는 공정과, 상기 핵 형성 공정 후, 상기 실리콘 기판 표면에 Hf를 포함하는 유기 금속 원료와 Si를 포함하는 유기 원료를 공급하여, Hf 실리케이트막을 CVD법에 의해 성막하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR100723899B1

公开(公告)日：2007-06-04

申请号：KR1020047020911

申请日：2001-07-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오야마신타로 ,  신리키히로시 ,  이게타마사노부

IPC: H01L21/316

CPC classification number: C23C16/482 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45589 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32321 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/67017

Abstract: 피처리 기판을 유지하는 처리 용기 안에 라디칼원을 이동 가능하게 설치하고, 상기 라디칼원의 위치 또는 구동 에너지를 상기 피처리 기판 위에 형성되는 막의 막두께가 균일하게 되도록 설정한다. 또한 피처리 기판의 한 쪽에 라디칼원을 설치하고, 피처리 기판 표면의 상기 한 쪽에서 다른 쪽으로 흐르는 라디칼류를 형성하고, 라디칼류의 조건을 최적화함으로써, 상기 피처리 기판 위에 형성되는 막의 막두께를 균일하게 한다.

公开(公告)号：KR1020060105779A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：KR1020067011923

申请日：2004-12-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오야마신타로 ,  이게타마사노부 ,  야마자키가즈요시

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67155

Abstract: Disclosed is a method for forming an oxide film on the surface of a substrate to be processed at a certain process temperature in a process chamber. This method comprises a heating step wherein the substrate is heated to the certain process temperature, and this heating step includes a substep wherein the substrate is held in an atmosphere containing oxygen before the temperature of the substrate reaches 450°C.

Abstract translation: 公开了一种在处理室中在一定工艺温度下在待加工衬底的表面上形成氧化膜的方法。 该方法包括加热步骤，其中衬底被加热到一定的工艺温度，并且该加热步骤包括子步骤，其中在衬底的温度达到450℃之前将衬底保持在含氧气氛中。

公开(公告)号：KR1020030038675A

公开(公告)日：2003-05-16

申请号：KR1020037000941

申请日：2001-07-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오야마신타로 ,  신리키히로시 ,  이게타마사노부

IPC: H01L21/316

CPC classification number: C23C16/482 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45589 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32321 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/67017

Abstract: A radical source is movably provided in a processing vessel holding a substrate, and the location or driving energy of the radical source is set such that the film formed on the substrate has a uniform thickness. Further, a radical source is provided at a first side of the substrate and a radical flow is formed such that the radical flow flows from the first side of the substrate surface to the other side. By optimizing the condition of the radical flow, the film formed on the substrate has a uniform thickness.

Abstract translation: 自由基源可移动地设置在保持衬底的处理容器中，并且设定自由基源的位置或驱动能量，使得形成在衬底上的膜具有均匀的厚度。 此外，在衬底的第一侧提供自由基源，并形成自由基流，使得自由基流从衬底表面的第一侧流向另一侧。 通过优化自由基流动的条件，形成在基板上的膜具有均匀的厚度。 ＆lt;图像＆GT;