公开(公告)号：KR1020080044914A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：KR1020087008582

申请日：2006-09-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오야마신타로 ,  다카하시츠요시 ,  시모무라고우지 ,  아루가미키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02148 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/318

Abstract: This invention provides a method for the formation of a highly dielectric film on a silicon substrate, comprising the steps of treating the surface of the silicon substrate with dilute hydrofluoric acid, feeding, after the dilute hydrofluoric acid treatment step, an organometal material containing Hf and nitrogen onto the surface of the silicon substrate to form nuclei of HfN, feeding, after the nucleation step, an Hf-containing organometal material and an Si-containing organic material onto the surface of the silicon substrate to form an Hf silicate film by CVD.

Abstract translation: 本发明提供了一种在硅衬底上形成高电介质膜的方法，包括以下步骤：用稀氢氟酸处理硅衬底的表面，在稀氢氟酸处理步骤之后，加入含有Hf的有机金属材料和 在硅衬底的表面上形成氮以形成HfN的核，在成核步骤之后，将含Hf的有机金属材料和含Si的有机材料进料到硅衬底的表面上，以通过CVD形成Hf硅酸盐膜。

公开(公告)号：KR100966388B1

公开(公告)日：2010-06-28

申请号：KR1020087008582

申请日：2006-09-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오야마신타로 ,  다카하시츠요시 ,  시모무라고우지 ,  아루가미키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02148 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/318

Abstract: 실리콘 기판 상으로의 고유전체막의 형성 방법은, 상기 실리콘 기판 표면을 희불산 처리하는 공정과, 상기 희불산 처리 공정 후, 상기 실리콘 기판 표면에 Hf와 질소를 포함하는 유기 금속 원료를 공급하여, HfN의 핵 형성을 실행하는 공정과, 상기 핵 형성 공정 후, 상기 실리콘 기판 표면에 Hf를 포함하는 유기 금속 원료와 Si를 포함하는 유기 원료를 공급하여, Hf 실리케이트막을 CVD법에 의해 성막하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020140118853A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：KR1020140035214

申请日：2014-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시모무라고우지 ,  기타가와쥰이치 ,  야마모토노부히코 ,  하야시히로유키 ,  다나카스미

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/02

CPC classification number: H05B6/642 ,  H05B6/645 ,  H05B6/80

Abstract: In a heat process heating a substrate to be processed by introducing microwave into a processing container, the substrate is efficiently cooled down. A microwave heating apparatus (1) has a supporter (13) supporting a wafer W in a processing container (10); a microwave introduction unit (11) introducing microwave into the processing container (10); a refrigerant passage (35) formed inside the supporter (13); and a refrigerant supply source (34) supplying refrigerant to the refrigerant passage (35). A surface of the supporter (13), at least supporting the wafer W, is formed of a material of less than 0.005 which is the production of relative dielectric constant and a dielectric loss angle. The refrigerant supplied from the refrigerant supply source (34) is liquid having no electrical polarity.

Abstract translation: 在通过将微波引入处理容器中来加热待处理的基板的热处理中，基板被有效地冷却。 微波加热装置（1）具有在处理容器（10）中支撑晶片W的支撑件（13）。 微波引入单元（11），将微波引入到处理容器（10）中; 形成在所述支架（13）内的制冷剂通路（35） 以及向制冷剂通路（35）供给制冷剂的制冷剂供给源（34）。 至少支撑晶片W的支撑体（13）的表面由小于0.005的材料形成，这是相对介电常数和介电损耗角的产生。 从制冷剂供给源（34）供给的制冷剂是不具有电极性的液体。

公开(公告)号：KR1020080025081A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：KR1020077030143

申请日：2007-04-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아루가미키 ,  야마자키가즈요시 ,  아오야마신타로 ,  시모무라고우지

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/3144 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31641 ,  H01L29/518

Abstract: A method of substrate treatment comprising, with the use of a sheet-feed substrate treating apparatus provided with a first treatment position for introducing of nitrogen atoms in a highly dielectric film and a second treatment position for heat treatment of the highly dielectric film, sequentially delivering multiple substrates to be treated one by one to the first and second treatment positions to thereby sequentially carry out the nitrogen atom introduction treatment and heating treatment on the highly dielectric film of the substrates to be treated, wherein after the treatment in the first treatment position, treatment of the resultant substrates in the second treatment position is begun within 30 sec. ® KIPO & WIPO 2008

Abstract translation: 一种基板处理方法，其特征在于，使用具有用于在高电介质膜中导入氮原子的第一处理位置的片材进给基板处理装置和用于高介电膜的热处理的第二处理位置，顺序地输送 将待处理的多个基板一个接一个地处理到第一处理位置和第二处理位置，从而对要处理的基板的高电介质膜依次进行氮原子引入处理和加热处理，其中在第一处理位置处理之后， 在第二处理位置处理所得到的基材在30秒内开始。 ®KIPO＆WIPO 2008

公开(公告)号：KR1020060131970A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：KR1020067020971

申请日：2005-04-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시츠요시 ,  시모무라고우지 ,  나카무라겐지 ,  아오야마신타로 ,  야마자키가즈요시

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/401 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/518

Abstract: A method of forming gate insulating film (4) of a hafnium silicate material having an SiO2 capacity- converted film thickness of

Abstract translation: 一种在硅衬底（1）上形成SiO 2电容转换膜厚度<= 1.45nm的硅酸铪材料的栅极绝缘膜（4）的方法。 该方法包括清洗硅衬底（1）的表面从而获得其中基本上不存在氧的清洁表面的步骤; 通过使用酰胺有机铪化合物和硅原料的CVD工艺，在硅衬底（1）的清洁表面上形成硅酸铪膜（2）; 氧化硅酸铪膜（2）; 并对经过氧化的硅酸铪膜（2）进行氮化。 通过该方法，可以获得即使膜薄的栅极绝缘膜，表面粗糙度也优异。

公开(公告)号：KR1020150085794A

公开(公告)日：2015-07-24

申请号：KR1020150007135

申请日：2015-01-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시모무라고우지

IPC: H05B6/64 ,  H05B6/80 ,  G01K11/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H05B6/645 ,  G01K11/20 ,  H05B6/6411 ,  H05B6/80 ,  H01L21/324

Abstract: 형광온도계를구비하는가열처리장치가제공된다. 이가열처리장치는열원부, 홀더, 회전구동부및 발광체를더 구비하고있다. 홀더는접촉부를갖는다. 접촉부는피처리체의이면에접하여상기피처리체를지지한다. 회전구동부는홀더를회전시킨다. 발광체는형광체또는인광체를포함하고, 접촉부내에마련되어있다. 형광온도계는발광체로부터의광에기초해서온도를계측한다. 이형광온도계는광원, 1 이상의수광부및 처리부를갖는다. 광원은발광체를여기시키기위한여기광을발생하는것으로, 홀더로부터분리되어있다. 1 이상의수광부는발광체로부터의광을수광하는광 검출기를갖는다. 1 이상의수광부도홀더로부터분리되어있다. 처리부는 1 이상의수광부의광 검출기에의해서수광된광의강도에기초해서온도를산출한다.

Abstract translation: 具有荧光温度计的热处理装置。 热处理装置包括：热源单元; 具有与被处理物的背面接触并支撑所述物体的接触部的保持器; 旋转所述保持器的旋转驱动单元; 以及包括荧光体或荧光体并且布置在接触部分中的发光体。 荧光温度计基于来自发光体的光测量温度，并具有光源，至少一个光接收部和处理部。 光源产生用于激发发光体的激发光并与保持器分离。 光接收部分具有从发光体接收光并且与保持器分离的光检测器。 处理部基于受光部的光检测器所接收的光的强度来计算温度。

公开(公告)号：KR1020150038236A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：KR1020157004574

申请日：2013-06-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다다로 ,  야마시타쥰 ,  홍석형 ,  시모무라고우지 ,  하야시히로유키

IPC: H01L21/324 ,  H05B6/64 ,  H01L21/263 ,  H01L21/683

CPC classification number: H05B6/806 ,  H01L21/324 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/683 ,  H05B6/64

Abstract: 마이크로파가열처리장치(1)의지지장치(4)는, 처리용기(2)의저부(13)의거의중앙을관통하여처리용기(2)의외부까지연장되는관 형상의샤프트(14)와, 샤프트(14)의상단부근에있어서거의수평방향으로마련된유전체판(15)과, 유전체판(15)의주연부에착탈가능하게장착된지지부재로서의복수의지지핀(16)과, 회전구동부(17)와, 승강구동부(18)를갖고있다. 유전체판(15)은, 웨이퍼 W와이간한상태로웨이퍼 W와처리용기(2)의저부(13)의사이에개재되고, 웨이퍼 W의아래쪽에있어서의마이크로파의상태를변화시키는것에의해웨이퍼 W로의마이크로파흡수를촉진한다.

公开(公告)号：KR1020100138984A

公开(公告)日：2010-12-31

申请号：KR1020107021779

申请日：2009-03-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오야마신타로 ,  시모무라고우지 ,  고바야시센쇼

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67109

Abstract: 피처리체W에 대해 소정의 열처리를 실시하는 열처리 장치에 있어서, 상기 피처리체를 수용 가능한 동시에 천장부를 갖는 처리용기(6)와, 피처리체W를 지지하는 지지 수단(38)과, 상기 처리용기의 상기 천장부에 마련된 제 1 조사창(26)과, 상기 제 1 조사창의 외측에 마련되고, 가열용의 열선을 발하는 제 1 가열 수단(28)과, 상기 처리용기에 마련되고, 상기 처리용기내에 소정의 가스를 공급하는 가스 공급 수단(12)과, 상기 처리용기에 마련되고, 상기 처리용기내의 분위기를 배기하는 배기 수단(20)과, 상기 지지 수단과 상기 제 1 조사창의 사이에 마련되고, 그 일부에 상기 열선의 일부 혹은 전부를 차단하기 위한 차광부(86)가 형성된 막 방착 부재(80)를 구비한다. 그리하여, 조사창에 흐릿함이 발생하는 것을 방지하면서 열처리 후에 있어서의 박막의 막두께의 면내 균일성을 높게 유지하는 것이 가능하다.

公开(公告)号：KR100906509B1

公开(公告)日：2009-07-07

申请号：KR1020067020971

申请日：2005-04-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시츠요시 ,  시모무라고우지 ,  나카무라겐지 ,  아오야마신타로 ,  야마자키가즈요시

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/401 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/518

Abstract: SiO
2
용량 환산 막두께가 1.45㎚ 이하인 하프늄 실리케이트계 재료로 이루어지는 게이트 절연막(4)을 실리콘 기판(1) 상에 형성하는 방법이 개시된다. 이 방법은, 실리콘 기판(1)의 표면을 세정하고 실질적으로 산소가 존재하지 않은 청정면으로 하는 공정과, 아미드계 유기 하프늄 화합물과 실리콘 함유 원료를 이용한 CVD 프로세스에 의해, 실리콘 기판(1)의 청정면에 하프늄 실리케이트막(2)을 성막하는 공정과, 하프늄 실리케이트막(2)에 산화 처리를 실시하는 공정과, 산화 처리를 실시한 후의 하프늄 실리케이트막(2)에 질화 처리를 실시하는 공정을 갖는다. 이 방법에 의하면, 막두께가 얇더라도 표면 거칠기가 양호한 게이트 절연막을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR1020140147018A

公开(公告)日：2014-12-29

申请号：KR1020140071472

申请日：2014-06-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 몬덴다이치 ,  시모무라고우지 ,  홍석형 ,  미야가와요시히로 ,  야마시타쥰 ,  이케다다로 ,  모토무라유키

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H05B6/70 ,  H05B6/74 ,  H05B6/80

CPC classification number: H05B6/74 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792 ,  H05B6/705 ,  H05B6/806 ,  H05B2206/044

Abstract: The present invention provides a microwave heating apparatus and a heating method, capable of uniformly and effectively heating an object to be processed. The microwave heating apparatus (1) includes a phase control unit (7) configured to change a phase of a standing wave of a microwave introduced into a process container (2) by a microwave introduction unit (3). The phase control unit (7) includes a recessed portion recessed more than an inner surface (13b) of a bottom portion (13) of the processing container (2). The phase control unit (3) is formed of the bottom portion (13), and a fixing plate (27) installed at a lower surface of the bottom portion (13) from the outer side of the process container (2). The phase of the standing wave in the process container (2) is changed by the incidence and reflection of the microwave in the recessed portion of the phase control unit (7) surrounded by a metallic wall.

Abstract translation: 本发明提供一种微波加热装置和加热方法，能够均匀有效地加热待加工物体。 微波加热装置（1）包括相位控制单元（7），其被配置为通过微波引入单元（3）改变引入到处理容器（2）中的微波的驻波的相位。 相位控制单元（7）包括比处理容器（2）的底部（13）的内表面（13b）凹陷的凹部。 相位控制单元（3）由底部（13）和从处理容器（2）的外侧安装在底部（13）的下表面处的固定板（27）形成。 处理容器（2）中的驻波的相位通过由金属壁包围的相位控制单元（7）的凹部中的微波的入射和反射而改变。