公开(公告)号：KR100430947B1

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：KR1019970006787

申请日：1997-02-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오키카주추구 ,  오카세와타루 ,  야기히로노리 ,  노무라마사미치

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67115 ,  C23C16/481 ,  C30B25/10 ,  C30B25/14

Abstract: A heat treating apparatus comprises a process chamber within which a wafer is subjected to a heat treatment. A supporting plate for supporting the wafer is arranged within the process chamber. A process gas is supplied from above into the process chamber. A main heating means for heating the wafer is arranged below the process chamber, with a transmitting window interposed therebetween. The main heating means includes a plurality of heating sources for irradiating the supporting plate with heat rays so as to heat the wafer indirectly and a rotatable table having the heating sources arranged on the front surface thereof. The heat treating apparatus also comprises an auxiliary heating means for compensating for an uneven temperature caused on the surface of the wafer by the main heating means. The heating source of the auxiliary heating means is arranged on the surface of the rotatable table together with the heating sources of the main heating means, and the heat output from the heating source of the auxiliary heating means can be controlled independently of the heat output from the heating sources of the main heating means.

Abstract translation: 一种热处理装置包括处理室，在该处理室内对晶片进行热处理。 处理室内设有支撑晶片的支撑板。 处理气体从上方供给到处理室中。 用于加热晶片的主加热装置设置在处理室的下方，其间插入透射窗口。 主加热装置包括用于向支承板照射热射线以间接加热晶片的多个加热源，以及具有布置在其前表面上的加热源的旋转台。 该热处理设备还包括辅助加热装置，用于补偿主加热装置在晶片表面上引起的不均匀温度。 辅助加热装置的加热源与主加热装置的加热源一起布置在旋转台的表面上，并且辅助加热装置的加热源的热输出可以独立于来自辅助加热装置的热量输出 主要加热装置的加热源。

公开(公告)号：KR1019980041679A

公开(公告)日：1998-08-17

申请号：KR1019970006787

申请日：1997-02-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오키카주추구 ,  오카세와타루 ,  야기히로노리 ,  노무라마사미치

IPC: H01L21/324

Abstract: 반도체 제조프로세스에 있어서의 가열장치 및 열처리장치에 관한 것으로서, 피처리체에 대한 처리의 면내균일성을 향상하고 관리의 점에서 우수하며 피처리체의 온도의 불균일을 개선하기 위해서, 피처리체를 가열하고 피처리체에 대해서 직접 또는 간접적으로 열선을 조사하는 여러개의 가열원을 갖는 주가열수단, 주가열수단에 의한 가열위치에 피처리체가 배치되도록 피처리체를 지지하는 지지수단, 주가열수단과 지지수단을 상대적으로 회전시키는 회전수단 및 주가열수단에 의한 피처리체의 가열에 의해 피처리체에 발생한 온도불균일을 보상하고, 주가열수단과는 별개로 독립해서 제어가능하며 피처리체에 대해 직접 또는 간접적으로 열선을 조사하는 적어도 1개의 가열원을 갖는 보조가열수단을 구비하는 구성으로 하였다.
이렇게 하는 것에 의해서, 피처리체의 온도불균일을 보상해서 피처리체에 대한 처리의 면내균일성을 향상할 수 있고, 가열램프의 수명을 연장하는 것에 의해 관리의 점에서 우수하며, 피처리체의 외주끝부로부터의 열방열에 의한 피처리체의 온도의 불균일을 개선할 수 있다는 효과가 얻어진다.