公开(公告)号：KR101274781B1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：KR1020097025320

申请日：2008-05-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노무라마사미치 ,  고이즈미겐지로 ,  가사이시게루

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68792 ,  C23C14/505 ,  H01J37/32761

Abstract: 부상용 전자석 어셈블리(F)의 자기 흡인력에 의해, 피처리체(W)를 지지하는 회전 부상체(30)를 부상시키고, 회전 부상체(30)의 수평 방향 위치를 위치용 전자석 어셈블리(H)의 자기 흡인력에 의해 제어하면서, 회전 부상체(30)를 회전 전자석 어셈블리(R)의 자기 흡인력에 의해 회전시킨다. 부상용 전자석 어셈블리(F)는 자기 흡인력을 수직 방향 하방을 향해 작용하여, 처리 용기(2)의 내벽에 비접촉식으로 부양 지지되도록 회전 부상체(30)를 부상시킨다.

公开(公告)号：KR101059314B1

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：KR1020097004654

申请日：2007-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  미야시타히로유키 ,  요네다마사타케 ,  스즈키도모히로 ,  다나카스미 ,  노무라마사미치 ,  시미즈미와

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67109 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: Provided is an annealing apparatus, which is free from a problem of reduced light energy efficiency resulted by the reduction of light emission amount due to a heat generation and capable of maintaining stable performance. The apparatus includes: a processing chamber 1 for accommodating a wafer W; heating sources 17a and 17b including LEDs 33 and facing the surface of the wafer W to irradiate light on the wafer W; light-transmitting members 18a and 18b arranged in alignment with the heating sources 17a and 17b to transmit the light emitted from the LEDs 33; cooling members 4a and 4b supporting the light-transmitting members 18a and 18b at opposite side to the processing chamber 1 to make direct contact with the heating sources 17a and 17b and made of a material of high thermal conductivity; and a cooling mechanism for cooling the cooling members 4a and 4b with a coolant.

Abstract translation: 本发明提供一种退火装置，其不存在因发热引起的发光量减少而导致的光能量利用率降低，能够维持稳定的性能的问题。 该装置包括：用于容纳晶片W的处理室1; 加热源17a和17b，其包括LED33并面向晶片W的表面以向晶片W上照射光; 透光构件18a和18b，其与加热源17a和17b对齐地布置以透射从LED 33发射的光; 在处理容器1的相反侧支撑透光部件18a和18b以便与加热源17a和17b直接接触并由高热导率材料制成的冷却部件4a和4b; 以及用冷却剂冷却冷却构件4a和4b的冷却机构。

公开(公告)号：KR1020100018530A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：KR1020097025320

申请日：2008-05-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노무라마사미치 ,  고이즈미겐지로 ,  가사이시게루

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68792 ,  C23C14/505 ,  H01J37/32761

Abstract: A rotary floater (30) for supporting a treatment object (W) is floated by the magnetic attraction of a floating electromagnet assembly (F), and the rotary floater (30) is rotated by the magnetic attraction of a rotary electromagnet assembly (R) while its horizontal position being controlled by the magnetic attraction of a positioning electromagnet assembly (H). The floating electromagnet assembly (F) causes the magnetic attraction to act vertically downward, so that the rotary floater (30) is floated and suspended without contact from the inner wall of a treating container (2).

Abstract translation: 用于支撑处理物体（W）的旋转浮子（30）通过浮动电磁体组件（F）的磁吸引而浮起，旋转浮子（30）通过旋转电磁体组件（R）的磁吸引力而旋转， 而其水平位置由定位电磁铁组件（H）的磁吸引力控制。 浮动电磁体组件（F）使得磁吸引力垂直向下作用，使得旋转浮子（30）浮动并悬挂而不与处理容器（2）的内壁接触。

公开(公告)号：KR1020120030564A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：KR1020127001941

申请日：2010-07-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노무라마사미치 ,  고이즈미겐지로 ,  가사이시게루 ,  다나카스미

IPC: H01L21/683 ,  C23C14/50 ,  C23C16/458 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68792

Abstract: 본 발명은 피처리체에 대해 소정의 처리를 실시하는 처리 장치에 있어서, 배기 가능하게 된 처리 용기와, 상기 처리 용기내에 배치되어 상단측에서 상기 피처리체를 지지하는 비자성 재료로 이루어지는 회전 부상체와, 상기 회전 부상체에 그 둘레방향을 따라 소정의 간격으로 마련된 자성 재료로 이루어지는 복수의 회전 XY용 흡착체와, 상기 회전 부상체에 그 둘레방향을 따라 마련된 자성 재료로 이루어지는 링형상의 부상용 흡착체와, 상기 처리 용기의 외측에 마련되어 상기 부상용 흡착체에 수직방향 위쪽을 향하는 자기 흡인력을 작용시켜 상기 회전 부상체의 기울기를 조정하면서 부상시키는 부상용 전자석군과, 상기 처리 용기의 외측에 마련되어 상기 회전 XY용 흡착체에 자기 흡인력을 작용시켜 상기 부상된 상기 회전 부상체를 수평방향에서 � �치 조정하면서 회전시키는 회전 XY용 전자석군과, 상기 처리 용기내에 필요한 가스를 공급하는 가스 공급 수단과, 상기 피처리체에 소정의 처리를 실시하는 처리 기구와, 장치 전체의 동작을 제어하는 장치 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 처리 장치이다.

公开(公告)号：KR100430947B1

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：KR1019970006787

申请日：1997-02-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오키카주추구 ,  오카세와타루 ,  야기히로노리 ,  노무라마사미치

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67115 ,  C23C16/481 ,  C30B25/10 ,  C30B25/14

Abstract: A heat treating apparatus comprises a process chamber within which a wafer is subjected to a heat treatment. A supporting plate for supporting the wafer is arranged within the process chamber. A process gas is supplied from above into the process chamber. A main heating means for heating the wafer is arranged below the process chamber, with a transmitting window interposed therebetween. The main heating means includes a plurality of heating sources for irradiating the supporting plate with heat rays so as to heat the wafer indirectly and a rotatable table having the heating sources arranged on the front surface thereof. The heat treating apparatus also comprises an auxiliary heating means for compensating for an uneven temperature caused on the surface of the wafer by the main heating means. The heating source of the auxiliary heating means is arranged on the surface of the rotatable table together with the heating sources of the main heating means, and the heat output from the heating source of the auxiliary heating means can be controlled independently of the heat output from the heating sources of the main heating means.

Abstract translation: 一种热处理装置包括处理室，在该处理室内对晶片进行热处理。 处理室内设有支撑晶片的支撑板。 处理气体从上方供给到处理室中。 用于加热晶片的主加热装置设置在处理室的下方，其间插入透射窗口。 主加热装置包括用于向支承板照射热射线以间接加热晶片的多个加热源，以及具有布置在其前表面上的加热源的旋转台。 该热处理设备还包括辅助加热装置，用于补偿主加热装置在晶片表面上引起的不均匀温度。 辅助加热装置的加热源与主加热装置的加热源一起布置在旋转台的表面上，并且辅助加热装置的加热源的热输出可以独立于来自辅助加热装置的热量输出 主要加热装置的加热源。

公开(公告)号：KR1020110022740A

公开(公告)日：2011-03-07

申请号：KR1020117003539

申请日：2007-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  미야시타히로유키 ,  요네다마사타케 ,  스즈키도모히로 ,  다나카스미 ,  노무라마사미치 ,  시미즈미와

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67109 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 열의 영향에 의한 발광량의 저하에 기인하는 광에너지 효율이 낮다고 하는 문제가 발생하지 않고 안정된 성능을 유지할 수 있는 어닐 장치를 제공 한다.
웨이퍼(W)가 수용되는 처리실(1)과, 웨이퍼(W)의 면에 면하도록 마련되어, 웨이퍼(W)에 대하여 광을 조사하는 복수의 LED(33)를 가지는 가열원(17a, 17b)과, 가열원(17a, 17b)에 대응해서 마련되어, 발광 소자(33)로부터의 광을 투과하는 광투과 부재(18a, 18b)와, 광투과 부재(18a, 18b)의 처리실(1)과 반대측을 지지하고, 가열원(17a, 17b)에 직접 접촉하도록 마련된 고열전도성 재료로 이루어지는 냉각 부재(4a, 4b)와, 냉각 부재(4a, 4b)를 냉각 매체로 냉각하는 냉각 기구를 가진다.

公开(公告)号：KR1020090045314A

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：KR1020097004654

申请日：2007-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  미야시타히로유키 ,  요네다마사타케 ,  스즈키도모히로 ,  다나카스미 ,  노무라마사미치 ,  시미즈미와

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67109 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: Provided is an annealing apparatus, which is free from a problem of reduced light energy efficiency resulted by the reduction of light emission amount due to a heat generation and capable of maintaining stable performance. The apparatus includes: a processing chamber 1 for accommodating a wafer W; heating sources 17a and 17b including LEDs 33 and facing the surface of the wafer W to irradiate light on the wafer W; light-transmitting members 18a and 18b arranged in alignment with the heating sources 17a and 17b to transmit the light emitted from the LEDs 33; cooling members 4a and 4b supporting the light-transmitting members 18a and 18b at opposite side to the processing chamber 1 to make direct contact with the heating sources 17a and 17b and made of a material of high thermal conductivity; and a cooling mechanism for cooling the cooling members 4a and 4b with a coolant.

公开(公告)号：KR1019980041679A

公开(公告)日：1998-08-17

申请号：KR1019970006787

申请日：1997-02-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오키카주추구 ,  오카세와타루 ,  야기히로노리 ,  노무라마사미치

IPC: H01L21/324

Abstract: 반도체 제조프로세스에 있어서의 가열장치 및 열처리장치에 관한 것으로서, 피처리체에 대한 처리의 면내균일성을 향상하고 관리의 점에서 우수하며 피처리체의 온도의 불균일을 개선하기 위해서, 피처리체를 가열하고 피처리체에 대해서 직접 또는 간접적으로 열선을 조사하는 여러개의 가열원을 갖는 주가열수단, 주가열수단에 의한 가열위치에 피처리체가 배치되도록 피처리체를 지지하는 지지수단, 주가열수단과 지지수단을 상대적으로 회전시키는 회전수단 및 주가열수단에 의한 피처리체의 가열에 의해 피처리체에 발생한 온도불균일을 보상하고, 주가열수단과는 별개로 독립해서 제어가능하며 피처리체에 대해 직접 또는 간접적으로 열선을 조사하는 적어도 1개의 가열원을 갖는 보조가열수단을 구비하는 구성으로 하였다.
이렇게 하는 것에 의해서, 피처리체의 온도불균일을 보상해서 피처리체에 대한 처리의 면내균일성을 향상할 수 있고, 가열램프의 수명을 연장하는 것에 의해 관리의 점에서 우수하며, 피처리체의 외주끝부로부터의 열방열에 의한 피처리체의 온도의 불균일을 개선할 수 있다는 효과가 얻어진다.