公开(公告)号：KR100739955B1

公开(公告)日：2007-07-16

申请号：KR1020027002664

申请日：2001-06-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마에카와가오루 ,  호시노사토히코 ,  스기우라마사히토 ,  알렉레티페데리카

IPC: H01L21/31

Abstract: 반도체 장치의 제조 방법은 기판 상에 스핀-온 공정에 의해 제 1 절연막을 형성시키고, 상기 제 1 절연막에 380 내지 500 ℃의 온도에서 5 내지 180 초의 시간으로 경화 공정을 실시하고, 상기 제 1 절연막 상에 스핀-온 공정에 의해 제 2 절연막을 형성시키는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020020027599A

公开(公告)日：2002-04-13

申请号：KR1020027002664

申请日：2001-06-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마에카와가오루 ,  호시노사토히코 ,  스기우라마사히토 ,  알렉레티페데리카

IPC: H01L21/31

Abstract: 반도체 장치의 제조 방법은 기판 상에 스핀-온 공정에 의해 제 1 절연 필름을 형성시키고, 상기 제 1 절연 필름에 380 내지 500 ℃의 온도에서 5 내지 180 초의 지속 시간동안 경화 공정을 적용시키고, 상기 제 1 절연 필름 상에 스핀-온 공정에 의해 제 2 절연 필름을 형성시키는 단계들을 포함한다.