公开(公告)号：KR1020120132546A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：KR1020127026433

申请日：2011-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  이와타니 산교 가부시키가이샤

Inventor： 호시노사토히코 ,  마츠이히데후미 ,  나루시마마사키

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C14/046 ,  C23C14/221 ,  C23C16/0281 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 진공 상태로 유지된 처리 용기 내에서, 배선용 패턴이 형성된 기판을 배선하는 방법으로서, 기판 상의 배선용 패턴을 소망하는 클리닝 가스에 의해 세정하는 전공정과, 전공정 후, 클러스터화된 금속 가스를 이용하여 상기 배선용 패턴 내에 금속 나노 입자를 매립하는 매립 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 배선 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR1020120115582A

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：KR1020127023853

申请日：2011-02-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호시노사토히코

IPC: H01L21/027

CPC classification number: B29C33/44 ,  B29C33/424 ,  B29C37/0003 ,  B29C59/022 ,  B29C2035/0827 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0274

Abstract: 패턴 형성에서 성형재와 피성형재를 신속하게 박리시키는 것이 가능한 신규 또한 개량된 임프린트 방법을 제공한다. 원하는 패턴이 형성된 몰드(10)를 레지스트(30)에 압착시킴으로써 몰드(10)의 반전 패턴을 레지스트(30)에 전사하는 전사 공정과, 가열 또는 광의 조사에 의해 레지스트(30)를 경화시키는 경화 공정과, 경화 공정에 의해 레지스트(30)가 경화된 후, 몰드(10)와 레지스트(30)를 박리하는 박리 공정을 포함하고, 박리 공정은, 몰드(10)를 레지스트(30)의 압착 방향과 반대 방향으로 분리하는 분리 공정과, 레지스트(30)를 몰드(10)의 압착 방향과 동일 방향으로 누르는 누름 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR100887449B1

公开(公告)日：2009-03-10

申请号：KR1020067005288

申请日：2004-09-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루 ,  호시노사토히코 ,  이데신지 ,  가시와기유사쿠

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31695 ,  C23C16/401 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31633

Abstract: 본 발명은 화학 증착법에 의해 형성된 Si, O 및 CH를 포함하는 절연막의 유전율을 저하시키는 방법에 관한 것이다. 플라즈마 처리 장치의 반응 용기내에 수소 원자를 포함하는 프로세스 가스가 공급된다. 반응 용기내에 마이크로파를 도입하여 반응 용기내에 균일한 전자파를 공급하고, 이에 따라 반응 용기내에 수소 래디컬을 포함하는 플라즈마가 발생한다. 절연막에 조사된 플라즈마에 포함되는 수소 래디컬에 의해, 절연막의 구조가 변화되어 유전율이 저하한다. 마이크로파는 래디얼 슬롯 안테나를 거쳐서 반응 용기내에 공급된다.

公开(公告)号：KR100739955B1

公开(公告)日：2007-07-16

申请号：KR1020027002664

申请日：2001-06-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마에카와가오루 ,  호시노사토히코 ,  스기우라마사히토 ,  알렉레티페데리카

IPC: H01L21/31

Abstract: 반도체 장치의 제조 방법은 기판 상에 스핀-온 공정에 의해 제 1 절연막을 형성시키고, 상기 제 1 절연막에 380 내지 500 ℃의 온도에서 5 내지 180 초의 시간으로 경화 공정을 실시하고, 상기 제 1 절연막 상에 스핀-온 공정에 의해 제 2 절연막을 형성시키는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020050026018A

公开(公告)日：2005-03-14

申请号：KR1020057001481

申请日：2003-07-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼고도시아키 ,  호시노사토히코

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J2237/336 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3121

Abstract: A method for forming an insulating layer, which comprises irradiating a film containing a curable material provided on a substrate for an electronic device with a low energy plasma, to thereby cure said film containing a curable material. The method can be employed for forming an elctroconductive film having high quality, while preventing the application of an excessive thermal budget on the film.

Abstract translation: 一种用于形成绝缘层的方法，其包括用低能量等离子体照射含有设置在电子器件用基板上的可固化材料的膜，从而固化含有可固化材料的膜。 该方法可以用于形成具有高质量的导电膜，同时防止在膜上施加过多的热预算。

公开(公告)号：KR1020120120975A

公开(公告)日：2012-11-02

申请号：KR1020127026373

申请日：2011-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  이와타니 산교 가부시키가이샤

Inventor： 호시노사토히코 ,  마츠이히데후미 ,  나루시마마사키

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32816 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814

Abstract: 패턴의 형상을 유지한 상태에서 패턴의 바닥부까지 세정 가능한 세정 방법을 제공한다.
진공 상태로 유지된 처리용기(100)내에서, 웨이퍼(W)상의 막에 소정의 패턴을 형성하는 웨이퍼(W)의 세정 방법은 에칭 처리에 의해 소정의 패턴이 형성된 웨이퍼(W)상의 막을 원하는 클리닝 가스에 의해 세정하는 공정과(전 공정), 전 공정 후, 산화성 가스에 의해 패턴 표면의 잔사를 산화시키는 공정과(산화 공정), 상기 산화된 잔사를 환원성 가스에 의해 환원시키는 공정(환원 공정)을 포함한다. 산화 공정과 환원 공정은 연속해서 실행한다(연속 공정). 전 공정 및 연속 공정에 이용되는 가스는 내부압력(P
s )이 처리용기(100)의 내부압력(P
0 )보다 고압으로 유지된 가스 노즐(110)로부터 처리용기(100)내로 방출되는 것에 의해 클러스터화된다.

公开(公告)号：KR1020120030000A

公开(公告)日：2012-03-27

申请号：KR1020110089085

申请日：2011-09-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  이와타니 산교 가부시키가이샤

Inventor： 도바시가즈야 ,  후세다카시 ,  호시노사토히코 ,  세노오다케히코 ,  요시노유

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/306 ,  C23C14/02 ,  C23C14/165 ,  C23C14/568 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/386 ,  H01M10/0525

Abstract: PURPOSE: A vacuum processing device and method, and a fine processing device are provided to maintain a surface part with the high degree of cleanness by making a plurality of holes on the surface part of silicon based materials through a gas cluster under the vacuum atmosphere. CONSTITUTION: A film forming process part forms a film on silicon based materials which is porously formed in a second vacuum chamber(41) under the vacuum atmosphere. A vacuum return range comprises a delivering apparatus(22). The delivering apparatus returns the porous silicon based materials from a first vacuum chamber(31) to the second vacuum chamber without breaking up the vacuum atmosphere. The second vacuum chamber is connected with the first vacuum chamber through a dividing valve. A gas cluster is not ionized.

Abstract translation: 目的：提供真空处理装置和方法以及精细加工装置，通过在真空气氛下通过气体簇在硅基材料的表面部分上形成多个孔，来保持具有高清洁度的表面部分。 构成：成膜工艺部分在真空气氛下形成在第二真空室（41）中形成的硅基材料上的膜。 真空返回范围包括输送装置（22）。 输送装置将多孔硅基材料从第一真空室（31）返回到第二真空室，而不破坏真空气氛。 第二真空室通过分隔阀与第一真空室连接。 气体簇不离子化。

公开(公告)号：KR100701359B1

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：KR1020057001481

申请日：2003-07-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼고도시아키 ,  호시노사토히코

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J2237/336 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3121

Abstract: 전자 디바이스용 기재상에 배치된 경화성 재료 함유막에 대하여, 저에너지 플라즈마를 조사하여, 해당 경화성 재료 함유막을 경화시킨다. 과도한 열이력이 가해지는 것을 방지하면서, 또한 양질인 절연막을 부여할 수 있는 절연막의 형성 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR101409248B1

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：KR1020127023853

申请日：2011-02-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호시노사토히코

IPC: H01L21/027

CPC classification number: B29C33/44 ,  B29C33/424 ,  B29C37/0003 ,  B29C59/022 ,  B29C2035/0827 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002

Abstract: 패턴 형성에서 성형재와 피성형재를 신속하게 박리시키는 것이 가능한 신규 또한 개량된 임프린트 방법을 제공한다. 원하는 패턴이 형성된 몰드(10)를 레지스트(30)에 압착시킴으로써 몰드(10)의 반전 패턴을 레지스트(30)에 전사하는 전사 공정과, 가열 또는 광의 조사에 의해 레지스트(30)를 경화시키는 경화 공정과, 경화 공정에 의해 레지스트(30)가 경화된 후, 몰드(10)와 레지스트(30)를 박리하는 박리 공정을 포함하고, 박리 공정은, 몰드(10)를 레지스트(30)의 압착 방향과 반대 방향으로 분리하는 분리 공정과, 레지스트(30)를 몰드(10)의 압착 방향과 동일 방향으로 누르는 누름 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR101258813B1

公开(公告)日：2013-04-26

申请号：KR1020110089085

申请日：2011-09-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  이와타니 산교 가부시키가이샤

Inventor： 도바시가즈야 ,  후세다카시 ,  호시노사토히코 ,  세노오다케히코 ,  요시노유

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/306 ,  C23C14/02 ,  C23C14/165 ,  C23C14/568 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/386 ,  H01M10/0525

Abstract: 본 발명은 진공 분위기하에서 실리콘 기재의 표면부를 미세 가공에 의해 다공질화하고, 이어서 진공 분위기 그대로 연속하여 상기 표면부에 성막 처리할 수 있으며, 실리콘 기재에 불순물이 부착되는 것을 억제할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따르면, 진공실(31) 안에 노즐부(5)를 설치하고, 노즐부(5)의 토출구에 대향하도록 실리콘 기판(W)을 유지한다. 예컨대 ClF
3 가스 및 Ar 가스를 노즐부(5)의 기단측으로부터 0.3 MPa∼2.0 MPa로 공급하고, 이 혼합 가스를 노즐부(5)의 선단측으로부터 1 Pa∼100 Pa의 진공 분위기에 토출시킨다. 이것에 의해 혼합 가스가 단열 팽창하고, Ar 원자나 ClF
3 의 분자가 결합하여 가스 클러스터(C)가 된다. 이 가스 클러스터(C)를 이온화시키지 않으면서 실리콘 기판(W)의 표면부에 조사하여, 상기 표면부를 다공질화한다. 이어서 진공을 깨지 않으면서 별도의 진공실(41)에서 이 실리콘 기판(W)의 표면에 리튬을 스퍼터 성막한다.