公开(公告)号：KR101114787B1

公开(公告)日：2012-02-28

申请号：KR1020087030300

申请日：2007-06-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모또유우이찌 ,  야마구찌다다유끼 ,  사이가야스히또 ,  야마다요시아끼

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67225 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/7075 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/67727 ,  H01L21/67733 ,  Y10S414/135

Abstract: 기판 처리 시스템(100)은 시스템 전체에 걸쳐서 웨이퍼의 반송 및 각 처리부와의 기판의 전달을 행하는 제1 자동 기판 반송 라인인 주 반송 라인(20)과, 포토리소그래피 처리부(1a) 내에서의 웨이퍼의 반송을 행하는 제2 자동 기판 반송 라인인 부 반송 라인(30)을 구비하고 있다. 부 반송 라인(30)은 주 반송 라인(20)과는 독립된 반송계로서 설치되고, OHT(31)는 루프 형상으로 형성된 부 반송 라인(30)을 주회하여 이동하고, 포토리소그래피 처리부(1a) 내의 각 처리 장치에 웨이퍼를 반송하여 각 처리 장치와의 사이에서 웨이퍼의 전달을 행한다.
포토리소그래피 처리부, 노광 처리 장치, 현상 처리 장치, 카세트 스테이션

公开(公告)号：KR101207172B1

公开(公告)日：2012-12-03

申请号：KR1020097001602

申请日：2007-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마다요시아끼 ,  야마구찌다다유끼 ,  야마모또유우이찌 ,  사이가야스히또

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/38 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/67748

Abstract: 본발명에있어서, 레지스트막이형성된기판은노광장치로이송되어노광처리된다. 기판은이후제2 처리시스템에서노광후베이킹처리된다. 기판은이후다시노광장치로이송되어노광처리된다. 2회째의노광처리가종료된기판은제1 처리시스템으로이송되어다시노광후베이킹처리된다. 1회째와 2회째에서노광처리의종료에서부터노광후베이킹의개시까지의시간은동일하도록제어된다. 본발명에따르면, 레지스트막형성처리와현상처리의사이에복수회의노광처리가수행되는패턴형성처리에있어서, 최종적으로소망치수의패턴이형성될수 있다.

公开(公告)号：KR1020090046800A

公开(公告)日：2009-05-11

申请号：KR1020097001602

申请日：2007-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마다요시아끼 ,  야마구찌다다유끼 ,  야마모또유우이찌 ,  사이가야스히또

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/38 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/67748 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/70466 ,  G03F7/7055

Abstract: 본 발명에 있어서, 레지스트막이 형성된 기판은 정렬 장치로 이송되어 노광 처리된다. 기판은 이후 제2 처리 시스템에서 노광후 베이킹 처리된다. 기판은 이후 다시 정렬 장치로 이송되어 노광 처리된다. 2회째의 노광 처리가 종료된 기판은 제1 처리 시스템으로 이송되어 다시 노광후 베이킹 처리된다. 1회째와 2회째에서 노광 처리의 종료에서부터 노광후 베이킹의 개시까지의 시간은 동일하도록 제어된다. 본 발명에 따르면, 레지스트막 형성 처리와 현상 처리의 사이에 복수회의 노광 처리가 수행되는 패턴 형성 처리에 있어서, 최종적으로 소망 치수의 패턴이 형성될 수 있다.
레지스트막 형성 처리, 현상 처리, 노광 처리, 가열 처리, 세정 처리, 정렬 장치, 이송 장치

公开(公告)号：KR101400654B1

公开(公告)日：2014-06-27

申请号：KR1020097001604

申请日：2007-07-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마다요시아끼 ,  야마구찌다다유끼 ,  야마모또유우이찌 ,  사이가야스히또 ,  사와이가즈오

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0276

Abstract: 본 발명에서는, 기판 앞면 상의 피가공막에 대해 1회째의 패터닝이 실시되고, 상기 1회째의 패터닝에 의해 형성된 패턴의 치수를 측정한다. 상기 1회째의 패터닝의 치수 측정 결과에 기초하여, 2회째의 패터닝의 조건을 설정한다. 이때, 2회째 패터닝의 조건은, 상기 1회째 패터닝의 치수와 그 목표 치수 사이의 차이가 상기 2회째 패터닝의 치수와 그 목표 치수 사이의 차이와 동등하도록 설정된다. 이후, 상기 설정된 패터닝 조건 하에 상기 2회째의 패터닝을 실시한다.
피가공막, 패터닝, 실제 치수, 목표 치수, 상호관계, 가열 처리, 노광 처리, 현상 처리, 치수 측정부, 제어부

公开(公告)号：KR1020090046801A

公开(公告)日：2009-05-11

申请号：KR1020097001604

申请日：2007-07-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마다요시아끼 ,  야마구찌다다유끼 ,  야마모또유우이찌 ,  사이가야스히또 ,  사와이가즈오

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0276 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/70466 ,  G03F7/70625

Abstract: 본 발명에서는, 기판 앞면 상의 피가공막에 대해 1회째의 패터닝이 실시되고, 상기 1회째의 패터닝에 의해 형성된 패턴의 치수를 측정한다. 상기 1회째의 패터닝의 치수 측정 결과에 기초하여, 2회째의 패터닝의 조건을 설정한다. 이때, 2회째 패터닝의 조건은, 상기 1회째 패터닝의 치수와 그 목표 치수 사이의 차이가 상기 2회째 패터닝의 치수와 그 목표 치수 사이의 차이와 동등하도록 설정된다. 이후, 상기 설정된 패터닝 조건 하에 상기 2회째의 패터닝을 실시한다.
피가공막, 패터닝, 실제 치수, 목표 치수, 상호관계, 가열 처리, 노광 처리, 현상 처리, 치수 측정부, 제어부

公开(公告)号：KR1020090028522A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：KR1020087030300

申请日：2007-06-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모또유우이찌 ,  야마구찌다다유끼 ,  사이가야스히또 ,  야마다요시아끼

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67225 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/7075 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/67727 ,  H01L21/67733 ,  Y10S414/135 ,  G03F7/70725 ,  G03F7/70775

Abstract: A substrate processing system (100) is provided with a main transfer line (20), i.e., a first automatic substrate transfer line, for transferring wafers and receiving and transferring substrates from and to each processing section in the entire system, and a sub-transfer line (30), i.e., a second automatic substrate transfer line, for transferring the wafers in a photolithography processing section (1a). The sub-transfer line (30) is arranged as a transfer system independent from the main transfer line (20). An OHT (31) moves around on the sub-transfer line (30) formed in loop, transfers the wafers to each processing apparatus in the photolithography processing section (1a), and receives and transfers the wafers from and to each processing apparatus.

Abstract translation: 基板处理系统（100）具有主转印线（20），即第一自动基板输送线，用于从整个系统中的每个处理部分转移晶片和接收和传送基板， 传输线（30），即第二自动衬底传送线，用于在光刻处理部分（1a）中传送晶片。 副传送线（30）被布置为独立于主传输线（20）的传送系统。 OHT（31）在环路形成的副传输线（30）上移动，将晶片传送到光刻处理部分（1a）中的每个处理设备，并从每个处理设备接收并传送晶片。