公开(公告)号：KR101207172B1

公开(公告)日：2012-12-03

申请号：KR1020097001602

申请日：2007-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마다요시아끼 ,  야마구찌다다유끼 ,  야마모또유우이찌 ,  사이가야스히또

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/38 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/67748

Abstract: 본발명에있어서, 레지스트막이형성된기판은노광장치로이송되어노광처리된다. 기판은이후제2 처리시스템에서노광후베이킹처리된다. 기판은이후다시노광장치로이송되어노광처리된다. 2회째의노광처리가종료된기판은제1 처리시스템으로이송되어다시노광후베이킹처리된다. 1회째와 2회째에서노광처리의종료에서부터노광후베이킹의개시까지의시간은동일하도록제어된다. 본발명에따르면, 레지스트막형성처리와현상처리의사이에복수회의노광처리가수행되는패턴형성처리에있어서, 최종적으로소망치수의패턴이형성될수 있다.

公开(公告)号：KR1020090046800A

公开(公告)日：2009-05-11

申请号：KR1020097001602

申请日：2007-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마다요시아끼 ,  야마구찌다다유끼 ,  야마모또유우이찌 ,  사이가야스히또

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/38 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/67748 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/70466 ,  G03F7/7055

Abstract: 본 발명에 있어서, 레지스트막이 형성된 기판은 정렬 장치로 이송되어 노광 처리된다. 기판은 이후 제2 처리 시스템에서 노광후 베이킹 처리된다. 기판은 이후 다시 정렬 장치로 이송되어 노광 처리된다. 2회째의 노광 처리가 종료된 기판은 제1 처리 시스템으로 이송되어 다시 노광후 베이킹 처리된다. 1회째와 2회째에서 노광 처리의 종료에서부터 노광후 베이킹의 개시까지의 시간은 동일하도록 제어된다. 본 발명에 따르면, 레지스트막 형성 처리와 현상 처리의 사이에 복수회의 노광 처리가 수행되는 패턴 형성 처리에 있어서, 최종적으로 소망 치수의 패턴이 형성될 수 있다.
레지스트막 형성 처리, 현상 처리, 노광 처리, 가열 처리, 세정 처리, 정렬 장치, 이송 장치

公开(公告)号：KR101114787B1

公开(公告)日：2012-02-28

申请号：KR1020087030300

申请日：2007-06-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모또유우이찌 ,  야마구찌다다유끼 ,  사이가야스히또 ,  야마다요시아끼

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67225 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/7075 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/67727 ,  H01L21/67733 ,  Y10S414/135

Abstract: 기판 처리 시스템(100)은 시스템 전체에 걸쳐서 웨이퍼의 반송 및 각 처리부와의 기판의 전달을 행하는 제1 자동 기판 반송 라인인 주 반송 라인(20)과, 포토리소그래피 처리부(1a) 내에서의 웨이퍼의 반송을 행하는 제2 자동 기판 반송 라인인 부 반송 라인(30)을 구비하고 있다. 부 반송 라인(30)은 주 반송 라인(20)과는 독립된 반송계로서 설치되고, OHT(31)는 루프 형상으로 형성된 부 반송 라인(30)을 주회하여 이동하고, 포토리소그래피 처리부(1a) 내의 각 처리 장치에 웨이퍼를 반송하여 각 처리 장치와의 사이에서 웨이퍼의 전달을 행한다.
포토리소그래피 처리부, 노광 처리 장치, 현상 처리 장치, 카세트 스테이션

公开(公告)号：KR1020110066081A

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：KR1020100107961

申请日：2010-11-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나까게이이찌 ,  야마다요시아끼 ,  고스기히또시

IPC: G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/3021 ,  G03F7/265 ,  G03F1/22 ,  G03F1/60 ,  G03F7/32 ,  G03F7/70033 ,  H01L21/0275

Abstract: PURPOSE: A developing treatment method for a substrate, and a computer memory device for performing thereof are provided to properly produce a resist pattern on a resist film for EUV on the substrate. CONSTITUTION: A developing treatment method for a substrate comprises a step of supplying a developer to the substrate for developing a resist film for EUV. The temperature of the developer is 5~23deg C. The developing treatment is performed for 10~30second. The concentration of the developer is less than 2.38mass%.

Abstract translation: 目的：提供一种用于基板的显影处理方法和用于执行其的计算机存储装置，以在基板上的EUV抗蚀剂膜上适当地制造抗蚀剂图案。 构成：用于衬底的显影处理方法包括将显影剂供应到用于显影用于EUV的抗蚀剂膜的衬底的步骤。 显影剂的温度为5〜23℃。显影处理进行10〜30秒。 显影剂的浓度小于2.38质量％。

公开(公告)号：KR1020110066079A

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：KR1020100104990

申请日：2010-10-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마다요시아끼 ,  다나까게이이찌 ,  고스기히또시

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/38 ,  H01L21/0275 ,  G03F1/60 ,  G03F7/70033

Abstract: PURPOSE: A method of process a substrate, a computer memory medium, and a substrate processing system are provided to heat a wafer by a second temperature lower than a first temperature. CONSTITUTION: A first heating portion(120) comprises a cover and a thermal plate receiving part(131) forming a first reaction chamber. The thermal plate receiving part includes a holding support member(141) of a ring shape and a support ring. A heater(143) which is heated by power is built in the first thermal plate A second heating unit(120) comprises a cover and a thermal plate receiving part(161) forming a second reaction chamber.

Abstract translation: 目的：提供一种处理衬底，计算机存储介质和衬底处理系统的方法，以将晶片加热到低于第一温度的第二温度。 构成：第一加热部分（120）包括盖和形成第一反应室的热板接收部分（131）。 热板接收部分包括环形的保持支撑构件（141）和支撑环。 通过动力加热的加热器（143）被构建在第一热板A中。第二加热单元（120）包括盖和形成第二反应室的热板容纳部（161）。

公开(公告)号：KR1020080013774A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：KR1020070078890

申请日：2007-08-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모또다로오 ,  고스기히또시 ,  야마다요시아끼 ,  사이가야스히또

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/38 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/70341 ,  H01L21/0274

Abstract: A method and an apparatus for fabricating a pattern are provided to uniformly and stably form a resist pattern using a hydrophilicity instrument by supplying chemicals to a surface of a substrate on which a resist layer and a protective layer are formed before developing an exposed pattern. A coating process unit(13) forms a resist layer on a surface of the substrate, or forms a resist layer and a protective layer on the surface of the substrate in turn. An immersion exposing unit(14) immerses and exposes the substrate on which the resist layer and/or the protective layer to form a certain exposed pattern on the resist layer. A developing process unit(12) develops the exposed pattern by a developing solution to form a certain resist pattern. After the immersion exposing unit performs the exposing process, a hydrophilicity instrument performs a hydrophilicity process on the substrate enough to wet a surface of the resist layer or the protective layer with the developing solution before the developing process unit performs the developing process.

Abstract translation: 提供一种用于制造图案的方法和装置，以在显影曝光图案之前，使用亲水性仪器，通过向其上形成有抗蚀剂层和保护层的基板的表面供给化学品来均匀且稳定地形成抗蚀剂图案。 涂布处理单元（13）在基板的表面上形成抗蚀剂层，或者在基板的表面上依次形成抗蚀剂层和保护层。 浸没曝光单元（14）将抗蚀剂层和/或保护层的基板浸入并曝光，以在抗蚀剂层上形成一定的曝光图案。 显影处理单元（12）通过显影溶液显影曝光图案以形成一定的抗蚀剂图案。 在浸渍曝光单元执行曝光处理之后，亲水性仪器在显影处理单元执行显影处理之前，对基底进行亲水处理，足以使显影溶液的表面润湿抗蚀剂层或保护层。

公开(公告)号：KR101541933B1

公开(公告)日：2015-08-04

申请号：KR1020100104990

申请日：2010-10-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마다요시아끼 ,  다나까게이이찌 ,  고스기히또시

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/38

Abstract: 본발명의과제는기판상의 EUV용레지스트막에레지스트패턴을형성할때에기판처리의처리량을향상시키는것이다. PEB 장치(83)는제1 열판(140)과제2 열판(170)을갖고있다. 웨이퍼(W) 상의 EUV용레지스트막의노광처리후이며현상처리전에있어서, PEB 장치(83)에서는, 우선제1 열판(140)에의해제1 가열온도로웨이퍼(W)를가열한다. 이제1 열판(140)에의한가열시간은 10초이상또한 30초이하이다. 그후, 제2 열판(170)에의해제1 가열온도보다낮은제2 가열온도로웨이퍼(W)를가열한다. 이때, 제1 가열온도와제2 가열온도의온도차는 20℃이상또한 60℃이하이다.

Abstract translation: PEB单元具有第一加热板和第二加热板。 在晶片上并且在显影处理之前用于EUV的抗蚀剂膜的曝光处理之后，PEB单元在第一加热温度下通过第一加热板加热晶片。 通过第一加热板的加热时间不小于10秒且不超过30秒。 此后，PEB单元在低于第一加热温度的第二加热温度下通过第二加热板加热晶片。 第一加热温度和第二加热温度之间的温差不小于20℃且不大于60℃。

公开(公告)号：KR101400654B1

公开(公告)日：2014-06-27

申请号：KR1020097001604

申请日：2007-07-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마다요시아끼 ,  야마구찌다다유끼 ,  야마모또유우이찌 ,  사이가야스히또 ,  사와이가즈오

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0276

Abstract: 본 발명에서는, 기판 앞면 상의 피가공막에 대해 1회째의 패터닝이 실시되고, 상기 1회째의 패터닝에 의해 형성된 패턴의 치수를 측정한다. 상기 1회째의 패터닝의 치수 측정 결과에 기초하여, 2회째의 패터닝의 조건을 설정한다. 이때, 2회째 패터닝의 조건은, 상기 1회째 패터닝의 치수와 그 목표 치수 사이의 차이가 상기 2회째 패터닝의 치수와 그 목표 치수 사이의 차이와 동등하도록 설정된다. 이후, 상기 설정된 패터닝 조건 하에 상기 2회째의 패터닝을 실시한다.
피가공막, 패터닝, 실제 치수, 목표 치수, 상호관계, 가열 처리, 노광 처리, 현상 처리, 치수 측정부, 제어부

公开(公告)号：KR1020090046801A

公开(公告)日：2009-05-11

申请号：KR1020097001604

申请日：2007-07-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마다요시아끼 ,  야마구찌다다유끼 ,  야마모또유우이찌 ,  사이가야스히또 ,  사와이가즈오

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0276 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/70466 ,  G03F7/70625

Abstract: 본 발명에서는, 기판 앞면 상의 피가공막에 대해 1회째의 패터닝이 실시되고, 상기 1회째의 패터닝에 의해 형성된 패턴의 치수를 측정한다. 상기 1회째의 패터닝의 치수 측정 결과에 기초하여, 2회째의 패터닝의 조건을 설정한다. 이때, 2회째 패터닝의 조건은, 상기 1회째 패터닝의 치수와 그 목표 치수 사이의 차이가 상기 2회째 패터닝의 치수와 그 목표 치수 사이의 차이와 동등하도록 설정된다. 이후, 상기 설정된 패터닝 조건 하에 상기 2회째의 패터닝을 실시한다.
피가공막, 패터닝, 실제 치수, 목표 치수, 상호관계, 가열 처리, 노광 처리, 현상 처리, 치수 측정부, 제어부

公开(公告)号：KR1020090028522A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：KR1020087030300

申请日：2007-06-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모또유우이찌 ,  야마구찌다다유끼 ,  사이가야스히또 ,  야마다요시아끼

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67225 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/7075 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/67727 ,  H01L21/67733 ,  Y10S414/135 ,  G03F7/70725 ,  G03F7/70775

Abstract: A substrate processing system (100) is provided with a main transfer line (20), i.e., a first automatic substrate transfer line, for transferring wafers and receiving and transferring substrates from and to each processing section in the entire system, and a sub-transfer line (30), i.e., a second automatic substrate transfer line, for transferring the wafers in a photolithography processing section (1a). The sub-transfer line (30) is arranged as a transfer system independent from the main transfer line (20). An OHT (31) moves around on the sub-transfer line (30) formed in loop, transfers the wafers to each processing apparatus in the photolithography processing section (1a), and receives and transfers the wafers from and to each processing apparatus.

Abstract translation: 基板处理系统（100）具有主转印线（20），即第一自动基板输送线，用于从整个系统中的每个处理部分转移晶片和接收和传送基板， 传输线（30），即第二自动衬底传送线，用于在光刻处理部分（1a）中传送晶片。 副传送线（30）被布置为独立于主传输线（20）的传送系统。 OHT（31）在环路形成的副传输线（30）上移动，将晶片传送到光刻处理部分（1a）中的每个处理设备，并从每个处理设备接收并传送晶片。