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公开(公告)号:KR101207172B1
公开(公告)日:2012-12-03
申请号:KR1020097001602
申请日:2007-07-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0274 , G03F7/2022 , G03F7/38 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/67748
Abstract: 본발명에있어서, 레지스트막이형성된기판은노광장치로이송되어노광처리된다. 기판은이후제2 처리시스템에서노광후베이킹처리된다. 기판은이후다시노광장치로이송되어노광처리된다. 2회째의노광처리가종료된기판은제1 처리시스템으로이송되어다시노광후베이킹처리된다. 1회째와 2회째에서노광처리의종료에서부터노광후베이킹의개시까지의시간은동일하도록제어된다. 본발명에따르면, 레지스트막형성처리와현상처리의사이에복수회의노광처리가수행되는패턴형성처리에있어서, 최종적으로소망치수의패턴이형성될수 있다.
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公开(公告)号:KR1020090046800A
公开(公告)日:2009-05-11
申请号:KR1020097001602
申请日:2007-07-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0274 , G03F7/2022 , G03F7/38 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/67748 , G03F7/0035 , G03F7/70466 , G03F7/7055
Abstract: 본 발명에 있어서, 레지스트막이 형성된 기판은 정렬 장치로 이송되어 노광 처리된다. 기판은 이후 제2 처리 시스템에서 노광후 베이킹 처리된다. 기판은 이후 다시 정렬 장치로 이송되어 노광 처리된다. 2회째의 노광 처리가 종료된 기판은 제1 처리 시스템으로 이송되어 다시 노광후 베이킹 처리된다. 1회째와 2회째에서 노광 처리의 종료에서부터 노광후 베이킹의 개시까지의 시간은 동일하도록 제어된다. 본 발명에 따르면, 레지스트막 형성 처리와 현상 처리의 사이에 복수회의 노광 처리가 수행되는 패턴 형성 처리에 있어서, 최종적으로 소망 치수의 패턴이 형성될 수 있다.
레지스트막 형성 처리, 현상 처리, 노광 처리, 가열 처리, 세정 처리, 정렬 장치, 이송 장치-
公开(公告)号:KR101667432B1
公开(公告)日:2016-10-18
申请号:KR1020110074338
申请日:2011-07-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/68
CPC classification number: G03F7/3021 , G03F7/162 , H01L21/67178 , H01L21/67742 , H01L21/67745
Abstract: 본발명의과제는도포, 현상장치의처리량의저하를억제하는동시에장치의설치면적을억제할수 있는기술을제공하는것이다. 액처리계의단위블록군과, 이단위블록군의캐리어블록측에배치된제1 가열계의블록과, 상기액처리계의단위블록군의인터페이스블록측에배치된제2 가열계의블록을구비하도록처리블록을구성하여, 액처리계의단위블록군은반사방지막및 레지스트막을형성하는전단처리용단위블록을이중화한것과, 상층막을형성하여, 노광전에세정을행하는후단처리용단위블록을이중화한것과, 현상처리를행하는단위블록을포함하도록구성하여, 제1 가열계의블록은레지스트도포후 및현상후의기판을가열하고, 제2 가열계의블록은노광후 현상전, 반사방지막형성후 및상층막형성후의각 기판을가열한다.
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公开(公告)号:KR101776964B1
公开(公告)日:2017-09-08
申请号:KR1020110074464
申请日:2011-07-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/6715 , G03F7/162 , G03F7/3021 , H01L21/67178 , H01L21/6719 , H01L21/67745
Abstract: 본발명의과제는도포, 현상장치의처리량의저하를억제하는동시에, 장치의설치면적을억제할수 있는기술을제공하는것이다. 처리블록은캐리어블록측의가열계의블록과, 액처리계의단위블록군과, 인터페이스블록측의가열블록을캐리어블록측으로부터인터페이스블록측으로이 순서로배치하고, 상기액 처리계의단위블록군은반사방지막용의단위블록과, 레지스트막용의단위블록과, 상층막용의단위블록을이 순서로상측에적층한도포막용의단위블록군과, 이도포막용의단위블록군에대하여서로상하로적층된현상용의단위블록으로구성되고, 액처리계의각 단위블록에서액 처리모듈은기판의반송로의좌우양측에배치되도록장치를구성한다.
Abstract translation: 本发明要解决的问题是提供一种技术,该技术能够抑制涂布和显影设备的生产量的降低并且抑制设备的安装面积。 处理块从载体块侧向接口块侧依次包括载体块侧的加热块,液体处理系统上的单元块组和接口块侧的加热块, 在上侧依次层叠抗反射膜用单位块,抗蚀剂膜用单位块,上位膜用单位块,上位层用单位块组, 并且液体处理系统的每个单元块中的液体处理模块布置在基板的传送路径的右侧和左侧。
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公开(公告)号:KR101316343B1
公开(公告)日:2013-10-08
申请号:KR1020097012134
申请日:2007-11-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 야마모또유우이찌
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/0274 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , Y10S414/135 , Y10S414/137
Abstract: 1개의 기판에 대해 적어도 2회 리소그래피 처리 및 에칭 처리를 실행하는 멀티 패터닝 기술에 의한 기판 처리 방법이 개시된다. 이 기판 처리 방법은, 리소그래피 처리의 각 공정을 실행하기 위한 처리 유닛이 복수대씩 준비된 기판 처리 시스템을 사용하여 실시된다. 기판에 대해 2회째의 리소그래피 처리가 실행될 때, 2회째의 리소그래피 처리의 1개 또는 복수의 공정을 실행하기 위한 처리 유닛이, 1회째의 리소그래피 처리에서 사용한 것과 동일한 것이 사용되도록, 1회째의 리소그래피 처리의 처리 이력을 기초로 하여 2회째의 리소그래피 처리에 사용해야 할 처리 유닛이 자동적으로 선택된다.
리소그래피, 캐리어 블록, 측정 블록, 에칭 블록, 노광 장치-
公开(公告)号:KR101114787B1
公开(公告)日:2012-02-28
申请号:KR1020087030300
申请日:2007-06-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67225 , G03F7/70525 , G03F7/7075 , G03F7/70991 , H01L21/67727 , H01L21/67733 , Y10S414/135
Abstract: 기판 처리 시스템(100)은 시스템 전체에 걸쳐서 웨이퍼의 반송 및 각 처리부와의 기판의 전달을 행하는 제1 자동 기판 반송 라인인 주 반송 라인(20)과, 포토리소그래피 처리부(1a) 내에서의 웨이퍼의 반송을 행하는 제2 자동 기판 반송 라인인 부 반송 라인(30)을 구비하고 있다. 부 반송 라인(30)은 주 반송 라인(20)과는 독립된 반송계로서 설치되고, OHT(31)는 루프 형상으로 형성된 부 반송 라인(30)을 주회하여 이동하고, 포토리소그래피 처리부(1a) 내의 각 처리 장치에 웨이퍼를 반송하여 각 처리 장치와의 사이에서 웨이퍼의 전달을 행한다.
포토리소그래피 처리부, 노광 처리 장치, 현상 처리 장치, 카세트 스테이션-
公开(公告)号:KR1020090092804A
公开(公告)日:2009-09-01
申请号:KR1020097012134
申请日:2007-11-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 야마모또유우이찌
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/0274 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , Y10S414/135 , Y10S414/137 , G03F7/16 , G03F7/40 , G03F7/70716 , G03F7/7085 , H01L21/67276 , H01L21/67703
Abstract: Provided is a substrate processing method employing multi-patterning technology of performing lithography and etching at least two times to one substrate. The substrate processing method is performed by using a substrate processing system wherein a plurality of processing units for performing each step of lithography are prepared. At the time of performing lithography of the second time to the substrate, to use the same processing unit used for the lithography of the first time, for performing one or a plurality of steps for the lithography of the second time, the processing unit to be used for the processing of the second time is automatically selected, based on the process history of the lithography of the first time.
Abstract translation: 提供一种使用多图案化技术的基板处理方法,其对一个基板执行光刻和蚀刻至少两次。 通过使用基板处理系统来进行基板处理方法,其中准备了用于执行光刻的每个步骤的多个处理单元。 在第二次进行光刻到基板时,为了使用与第一次的光刻相同的处理单元,为了进行第二次的光刻的一个或多个步骤,处理单元为 用于第二次的处理是自动选择的,基于第一次光刻的工艺历史。
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公开(公告)号:KR1020090033179A
公开(公告)日:2009-04-01
申请号:KR1020087030311
申请日:2007-06-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 야마모또유우이찌
IPC: H01L21/027 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67745 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67225 , G03F7/2022 , G03F7/70466 , G03F7/70733 , G03F7/70775
Abstract: A substrate processing system (100) comprises a main conveyance line (20) for conveying a wafer (W) over the entire system, and a sub-conveyance line (30) for conveying the wafer (W) in a photolithography processing section (1a). In the photolithography processing section (1a), a resist coating device (2) and a developing device (5) are arranged separately and a first exposure device (3a) and a first PEB device (4a), and a second exposure device (3b) and a second PEB device (4b) are respectively arranged adjacently.
Abstract translation: 基板处理系统(100)包括用于在整个系统上传送晶片(W)的主输送线(20)和用于在光刻处理部(1a)中输送晶片(W)的子输送线(30) )。 在光刻处理部(1a)中,分别配置抗蚀剂涂敷装置(2)和显影装置(5),第一曝光装置(3a)和第一PEB装置(4a)和第二曝光装置(3b) )和第二PEB装置(4b)分别相邻布置。
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公开(公告)号:KR101400654B1
公开(公告)日:2014-06-27
申请号:KR1020097001604
申请日:2007-07-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/0274 , H01L21/0276
Abstract: 본 발명에서는, 기판 앞면 상의 피가공막에 대해 1회째의 패터닝이 실시되고, 상기 1회째의 패터닝에 의해 형성된 패턴의 치수를 측정한다. 상기 1회째의 패터닝의 치수 측정 결과에 기초하여, 2회째의 패터닝의 조건을 설정한다. 이때, 2회째 패터닝의 조건은, 상기 1회째 패터닝의 치수와 그 목표 치수 사이의 차이가 상기 2회째 패터닝의 치수와 그 목표 치수 사이의 차이와 동등하도록 설정된다. 이후, 상기 설정된 패터닝 조건 하에 상기 2회째의 패터닝을 실시한다.
피가공막, 패터닝, 실제 치수, 목표 치수, 상호관계, 가열 처리, 노광 처리, 현상 처리, 치수 측정부, 제어부-
公开(公告)号:KR1020120028798A
公开(公告)日:2012-03-23
申请号:KR1020110074338
申请日:2011-07-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/68
CPC classification number: G03F7/3021 , G03F7/162 , H01L21/67178 , H01L21/67742 , H01L21/67745 , H01L21/0274 , H01L21/682
Abstract: PURPOSE: A coating/developing apparatus, a method thereof, and a storage medium are provided to process a substrate in the other side unit block when one side unit block is not available, thereby preventing degradation of a processing amount. CONSTITUTION: A carrier block(S1), a processing block, and an interface block(S5) are connected into a straight line shape. An exposure apparatus(S6) for performing a dipping exposure process is connected to the interface block. A loading table(11) loads a carrier(C). A transfer arm(13) extracts a wafer from the carrier through an opening/closing part(12). The transfer arm comprises five wafer maintenance support parts(14) in up and down directions.
Abstract translation: 目的:提供一种涂布/显影装置,其方法和存储介质,以在一侧单元块不可用时处理另一侧单元块中的基板,从而防止处理量的劣化。 构成:承载块(S1),处理块和接口块(S5)被连接成直线形状。 用于进行浸渍曝光处理的曝光装置(S6)连接到界面块。 装载台(11)装载载体(C)。 传送臂(13)通过打开/关闭部分(12)从载体提取晶片。 传送臂在上下方向上包括五个晶片维护支撑部件(14)。
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