公开(公告)号：KR1020090052819A

公开(公告)日：2009-05-26

申请号：KR1020080115911

申请日：2008-11-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토료 ,  사이토히토시 ,  야마모토고지

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/203 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 장치 비용 및 전력 비용을 높이지 않고, 플라즈마 처리 도중에 플라즈마 상태의 제어를 행할 수 있는 유도 결합 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
처리실(4) 상방에 유전체벽(2)을 통해서 고주파 전력이 공급됨으로써 처리실(4) 내에 유도 전계를 형성하는 고주파 안테나(13)를 배치하고, 유도 전계에 의해 상기 처리실 내에 형성되는 유도 결합 플라즈마의 발광 상태를 플라즈마 발광 상태 검출부(40)에 의해 검출하며, 이 플라즈마 발광 상태 검출부(40)의 검출 정보에 기초해서, 제어 수단(50)이 고주파 안테나를 포함하는 안테나 회로의 특성을 조절하는 조절 수단(21)을 제어하고, 이것에 의해 플라즈마 상태를 제어한다.

公开(公告)号：KR100799382B1

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：KR1020060021069

申请日：2006-03-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시즈토무 ,  야마모토고지 ,  다나카유이치로

IPC: H05H1/34 ,  H05H1/26

Abstract: 플라즈마 처리 장치의 처리실내의 플라즈마 밀도가 국소적으로 높은 부위에 칸막이 부재를 삽입하여 플라즈마를 실활시켜서, 플라즈마를 균일화시킨다. 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서, 처리실(3)내의 플라즈마 밀도가 국소적으로 높은 부위에 플라즈마를 실활시키는 칸막이 부재(11)를 설치하여, 피처리 기판(G)에 대한 플라즈마 에칭 속도를 균일화한 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR101760975B1

公开(公告)日：2017-07-24

申请号：KR1020130129192

申请日：2013-10-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토고지 ,  히로세히로시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/60

Abstract: 주로 APC 밸브에의해서처리용기내의압력조절을행하는진공장치에서, 급격한압력변동을억제한다. 스텝 S1~스텝 S5까지의순서에따라, 처리용기(1) 내의압력변동을억제할수 있다. 스텝 S1에서는, EC(81)가 APC 밸브(55)의개방도를취득하고, 스텝 S2에서는, EC(81)의개방도판정부(123)에의해서, 스텝 S1에서취득된 APC 밸브(55)의개방도가제 1 임계값을넘었는지여부를판단한다. 스텝 S2에서, 개방도가제 1 임계값을넘었다고(예) 판정된경우는, 스텝 S3에서초과카운터(124)가초과카운트값을 1 카운트적산한다. 다음으로, 스텝 S4에서는, 초과카운터(124)에서카운트된초과카운트값의적산값이제 2 임계값을넘었는지여부의판정을행하고, 초과카운트값이제 2 임계값을넘었다고(예) 판정된경우에는, 유량제어부(121a)는, MC(83)를거쳐서매스플로우콘트롤러(MFC)(43)에대해, 처리가스의유량을소정량줄이도록제어신호를송출한다.

Abstract translation: 在主要通过APC阀调节处理容器内的压力的真空装置中，抑制了突然的压力波动。 处理容器1内的压力变动可以按照从步骤S1到步骤S5的过程来抑制。 在步骤S1中，EC 81获得APC阀55的开度。在步骤S2中，在步骤S1中获取的APC阀55的开度 确定开度是否超过第一阈值。 如果在步骤S2中，开度被确定大于第一阈值以上，和（e），累积计数器超过124 gachogwa计数在步骤S3 1计数值。 接着，如果在步骤S4中，在过量的计数器124的计数的过量计数值的累计值现在执行的是否判定或超过第二阈值，大于该计数值现在比所述第二阈值，并且（e）确定多个 还有，流量控制部（121A）可以是通过MC（83），用于质量流量控制器（MFC）（43），以减少工艺气体量的小流量发出控制信号。

公开(公告)号：KR1020060103107A

公开(公告)日：2006-09-28

申请号：KR1020060021069

申请日：2006-03-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시즈토무 ,  야마모토고지 ,  다나카유이치로

IPC: H05H1/34 ,  H05H1/26

CPC classification number: H01J37/32458 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32926 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4645

Abstract: 플라즈마 처리 장치의 처리실내의 플라즈마 밀도가 국소적으로 높은 부위에 칸막이 부재를 삽입하여 플라즈마의 활성을 억제하여, 플라즈마를 균일화시킨다. 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서, 처리실(3)내의 플라즈마 밀도가 국소적으로 높은 부위에 플라즈마의 활성을 억제하는 칸막이 부재(11)를 설치하고, 피처리 기판(G)에 대한 플라즈마 에칭 속도를 균일화한 것을 특징으로 한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种等离子体处理装置，其中在所述处理装置的处理室中具有高等离子体密度的部分插入屏蔽元件，使等离子体失去活性，使等离子体密度均匀; 本发明的特征在于：将所述处理装置（1）的处理室（3）中具有高等离子体密度的部分插入屏蔽元件，使等离子体失去活性，使得处理基板上的等离子体蚀刻速率 制服。

公开(公告)号：KR1020140059128A

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：KR1020130129192

申请日：2013-10-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토고지 ,  히로세히로시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/321 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L2021/60187 ,  H05H1/46

Abstract: A vacuum device which controls pressure within a processing container through an APC valve suppresses a rapid pressure change. According to priority of step S1~S5, a pressure change within a processing container (1) can be suppressed. In a step S1, an EC (81) obtains an opening ratio of an APC valve (55). In a step S2, it is determined that the opening ratio of the APC valve (55) obtained in the step S1 exceeds a first threshold value by determining the opening ratio of the EC (81). If the opening ratio exceeds the first threshold value in the step S2, an exceeding counter (124) integrates an exceeding count value in a step S3. In a step S4, it is determined that an integration value of the exceeding count value counted in the exceeding counter (124) exceeds a second threshold value. If the exceeding count value exceeds the second threshold value, a flow control unit (121a) transmits a control signal to reduce a flux of processing gas as a predetermined amount regarding a mass flow controller (MFC) (43) by passing an MC (83).

Abstract translation: 通过APC阀控制处理容器内的压力的真空装置抑制了快速的压力变化。 根据步骤S1〜S5的优先级，可以抑制处理容器（1）内的压力变化。 在步骤S1中，EC（81）获得APC阀（55）的开度。 在步骤S2中，通过确定EC（81）的开度比，确定在步骤S1中获得的APC阀（55）的开启率超过第一阈值。 如果在步骤S2中打开比率超过第一阈值，则在步骤S3中超过计数器（124）对超过计数值进行积分。 在步骤S4中，确定超过计数器（124）中计数的超过计数值的积分值超过第二阈值。 如果超过计数值超过第二阈值，则流量控制单元（121a）通过使MC（83）通过MC（83）来发送控制信号，以减少与质量流量控制器（MFC）（43）相关的预定量的处理气体的通量 ）。

公开(公告)号：KR101110974B1

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：KR1020080115911

申请日：2008-11-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토료 ,  사이토히토시 ,  야마모토고지

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/203 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 장치 비용 및 전력 비용을 높이지 않고, 플라즈마 처리 도중에 플라즈마 상태의 제어를 행할 수 있는 유도 결합 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
처리실(4) 상방에 유전체벽(2)을 통해서 고주파 전력이 공급됨으로써 처리실(4) 내에 유도 전계를 형성하는 고주파 안테나(13)를 배치하고, 유도 전계에 의해 상기 처리실 내에 형성되는 유도 결합 플라즈마의 발광 상태를 플라즈마 발광 상태 검출부(40)에 의해 검출하며, 이 플라즈마 발광 상태 검출부(40)의 검출 정보에 기초해서, 제어 수단(50)이 고주파 안테나를 포함하는 안테나 회로의 특성을 조절하는 조절 수단(21)을 제어하고, 이것에 의해 플라즈마 상태를 제어한다.

公开(公告)号：KR1020110003446A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：KR1020100121412

申请日：2010-12-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토료 ,  사이토히토시 ,  야마모토고지

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/32935

Abstract: PURPOSE: An inductively coupled plasma processing device is provided to remove an additional high frequency power source part and a power supply part by controlling an adjusting part, which controls the property of an antenna circuit based on plasma detection information. CONSTITUTION: A processing chamber(4) processes plasma by storing a substrate. A high frequency antenna(13) forms an induction magnetic field inside the processing chamber. A plasma emission detection part(40) detects the radiation of inductively coupled plasma formed by the induction magnetic field. An adjusting part(21) controls the property of an antenna circuit which includes the high frequency antenna. A control part(50) controls the state of plasma based on the plasma emission information of the plasma emission detection part.

Abstract translation: 目的：提供一种电感耦合等离子体处理装置，通过控制基于等离子体检测信息来控制天线电路的性质的调节部分来去除附加的高频电源部分和电源部分。 构成：处理室（4）通过存储基板来处理等离子体。 高频天线（13）在处理室内形成感应磁场。 等离子体发射检测部分（40）检测由感应磁场形成的电感耦合等离子体的辐射。 调整部（21）控制包含高频天线的天线电路的特性。 控制部（50）基于等离子体发射检测部的等离子体发射信息来控制等离子体的状态。