公开(公告)号：KR102153767B1

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：KR1020157036324

申请日：2014-06-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라마츠마코토 ,  기타노다카히로 ,  도미타다다토시 ,  니시다카노리 ,  가와카미신이치로 ,  야마우치다카시

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  G03F7/32 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/311 ,  H01L21/308

公开(公告)号：KR1020160025515A

公开(公告)日：2016-03-08

申请号：KR1020157036324

申请日：2014-06-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라마츠마코토 ,  기타노다카히로 ,  도미타다다토시 ,  니시다카노리 ,  가와카미신이치로 ,  야마우치다카시

IPC: H01L21/308 ,  G03F7/40 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67

CPC classification number: G03F7/20 ,  B81C2201/0149 ,  C08L53/00 ,  C09D153/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/16 ,  G03F7/32 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708

Abstract: 기판처리방법은, 블록공중합체를친수성중합체와소수성중합체로상분리시키는중합체분리공정과, 상분리한블록공중합체로부터, 친수성중합체를선택적으로제거하는중합체제거공정을갖고, 중합체제거공정에서는, 상분리한블록공중합체에에너지선을조사하고, 계속해서친수성중합체에대하여제1 용해도를갖고, 물보다비점이낮고, 물에대하여가용이며또한소수성중합체를용해하지않는제1 극성유기용제를블록공중합체에공급하고, 계속해서, 제1 용해도보다낮은제2 용해도를갖고, 물보다도비점이높으며또한소수성중합체를용해하지않는제2 극성유기용제를, 블록공중합체에공급하여친수성중합체를제거한다.

公开(公告)号：KR1020100071895A

公开(公告)日：2010-06-29

申请号：KR1020090097145

申请日：2009-10-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마우치다카시

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/02057

Abstract: PURPOSE: A cleaning apparatus, a substrate processing system, a cleaning method, a program, and a computer storage medium are provided to properly remove attached material on the edge of a wafer by immersing the edge of the wafer in deionized water of a high temperature. CONSTITUTION: A spin chuck(20) is installed inside a process container(10) to absorb a wafer(W). A guide ring(22) is installed under the spin chuck. A cleaning solution nozzle(40) sprays the cleaning solution to the edge of the wafer with preset pressure. The deionized water with a higher temperature than a room temperature circulates in an immersion container(30). A lateral opening unit(33) is formed on the side of the immersion container to insert the edge of the wafer. An upper opening unit is formed on the upper side of the immersion container.

Abstract translation: 目的：提供清洁装置，基板处理系统，清洁方法，程序和计算机存储介质，以通过将晶片的边缘浸入高温去离子水中来适当地去除晶片边缘上的附着材料 。 构成：旋转卡盘（20）安装在处理容器（10）的内部以吸收晶片（W）。 引导环（22）安装在旋转卡盘下方。 清洁溶液喷嘴（40）以预设的压力将清洁溶液喷射到晶片的边缘。 温度高于室温的去离子水在浸渍容器（30）中循环。 横向开口单元（33）形成在浸没容器的侧面以插入晶片的边缘。 在浸渍容器的上侧形成有上部开口单元。