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公开(公告)号:KR1020160108351A
公开(公告)日:2016-09-19
申请号:KR1020167019174
申请日:2015-01-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G03F7/7055 , G03F7/2022 , G03F7/70558 , G03F7/2063 , G03F7/40 , G03F7/70483 , G03F7/70508
Abstract: 본발명은, 레지스트패턴을형성하는데 있어서, 패턴의선 폭에대하여해상도가높고, 웨이퍼 W 위에서의높은면내균일성이얻어지는기술을제공하는것을과제로한다. 레지스트막을기판위에형성하고, 패턴노광기 C6에의한패턴노광을행한후에, 일괄노광장치(1)를사용해서패턴노광영역의전체를노광한다. 이때, 사전에검사장치[861(862)]로부터얻어진레지스트패턴의선 폭의면 내분포의정보에기초하여, 웨이퍼 W 위의노광위치에따라서노광량을조정한다. 노광량의조정방법으로서는, 웨이퍼 W의직경에대응하는띠 형상의조사영역을이동시키면서노광량을조정하는방법, 패턴노광의샷 영역에따른조사영역을간헐적으로이동시켜서각 칩에대한노광량을조정하는방법등을들 수있다.
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公开(公告)号:KR102153767B1
公开(公告)日:2020-09-08
申请号:KR1020157036324
申请日:2014-06-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G03F7/20 , G03F7/40 , G03F7/32 , G03F7/00 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/311 , H01L21/308
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公开(公告)号:KR1020160025515A
公开(公告)日:2016-03-08
申请号:KR1020157036324
申请日:2014-06-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/308 , G03F7/40 , H01L21/311 , H01L21/67
CPC classification number: G03F7/20 , B81C2201/0149 , C08L53/00 , C09D153/00 , G03F7/0002 , G03F7/16 , G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/02282 , H01L21/0274 , H01L21/3086 , H01L21/31133 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/6708
Abstract: 기판처리방법은, 블록공중합체를친수성중합체와소수성중합체로상분리시키는중합체분리공정과, 상분리한블록공중합체로부터, 친수성중합체를선택적으로제거하는중합체제거공정을갖고, 중합체제거공정에서는, 상분리한블록공중합체에에너지선을조사하고, 계속해서친수성중합체에대하여제1 용해도를갖고, 물보다비점이낮고, 물에대하여가용이며또한소수성중합체를용해하지않는제1 극성유기용제를블록공중합체에공급하고, 계속해서, 제1 용해도보다낮은제2 용해도를갖고, 물보다도비점이높으며또한소수성중합체를용해하지않는제2 극성유기용제를, 블록공중합체에공급하여친수성중합체를제거한다.
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