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1.기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치의 메인터넌스 방법 및 기억 매체 审中-实审
Title translation: 基板加工设备基板处理方法基板加工设备和存储介质的维护方法公开(公告)号:KR1020170015210A
公开(公告)日:2017-02-08
申请号:KR1020160095918
申请日:2016-07-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324 , H01L21/67 , H01L21/60 , H01L21/02 , G03F7/20
Abstract: [과제] 웨이퍼를가열처리함에있어서, 웨이퍼의처리에의해생기는승화물을분해하여, 승화물이배기로에부착되는것을억제하는것. 또한, 광원부로부터의광에의해웨이퍼(W)에대하여가열등의처리를행함에있어서, 광투과창에부착된승화물을제거하는것. [해결수단] 처리용기(2)의내면에열촉매층(5)을형성하여, 이열촉매층(5)을가열하고있다. 이때문에웨이퍼(W) 상의도포막으로부터승화하여처리용기(2) 내에받아들여진승화물이열촉매층(5) 근방에도달했을때에, 열촉매층(5)의열활성화에의해분해제거된다. 또한, 광투과창(42)에부착된승화물을제거함에있어서는, 표면에열촉매층(5)을형성한클리닝용기판(6)을처리용기(2) 내에반입하여, 열촉매층(5)을광투과창(42)에가깝게한 후, 클리닝용기판(6)을가열함으로써, 광투과창(42)의표면에부착된승화물(9)을제거한다.