公开(公告)号：KR1020060106730A

公开(公告)日：2006-10-12

申请号：KR1020060028187

申请日：2006-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키요시아키 ,  무라키유스케 ,  니시무라에이이치 ,  오노유코

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/68

Abstract: 본 발명은 예컨대 처리 종료의 기판상에 부착된 부식성 가스 등 처리 가스의 가스 성분이 반송실 등의 배기와 동시에 그대로 외부로 배출되는 것을 방지하여, 공장의 배기 설비 등의 부담을 경감하는 것을 목적으로 한다.
웨이퍼에 소정의 처리를 실시하기 위한 처리 유닛과, 이 처리 유닛에 대하여 웨이퍼를 반출입하는 반송실(200)을 구비하는 기판 처리 장치로서, 반송실(200)은 반송실(200)내로 외기를 도입하는 급기부(230)와, 급기부(230)에 대향하여 설치되어 반송실(200)내를 배기하는 배기부(250)와, 배기부(250)에 설치되어 배기에 포함되는 적어도 유해 성분을 제거하는 유해 성분 제거 필터(256)로 이루어지는 배기 필터 수단(254)을 설치했다.

Abstract translation: 本发明是为了防止例如腐蚀性气体的气体成分，附接到手柄的过程中气体结束基底，因为它是与排气一起排出到外部，如传送室，用于降低植物的这种排气设备的负担的目的 的。

公开(公告)号：KR1020010090743A

公开(公告)日：2001-10-19

申请号：KR1020010018172

申请日：2001-04-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기타노쥰이치 ,  하다게이코 ,  오노유코 ,  가타노다카유키 ,  마쓰이히데후미

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/16 ,  Y10T428/2995

Abstract: PURPOSE: To evaluate the hydrophobicity on the surface of a substrate with high reliability and optimize hydrophobic treatment conditions, in a device for forming a resist pattern. CONSTITUTION: An HMDS gas is supplied to the surface of a wafer W for hydrophobic treatment, and the wafer W is housed in a sealed container 6 on a cassette stage 21 and it is conveyed to an analyzer A2 outside a device A1 for forming a resist pattern. The masses of ion kinds on the surface of the wafer W, such as CH3Si+, C3H9Si+, C3H9Si-, etc., are analyzed by using an analytical section such as TOF-SIMS, etc., thereby of the analytical equipment A2 measuring the quantity of HMDS(hexamethyl disilazane) on the surface of the wafer W. Thus, a quantity of HMDS on the surface of the wafer W can be measured, and hydrophobic treatment condition be evaluated with high reliability.

Abstract translation: 目的：用于形成抗蚀剂图案的装置中，以高可靠性和优化疏水处理条件来评估基材表面上的疏水性。 构成：将HMDS气体供给到用于疏水处理的晶片W的表面，并且将晶片W容纳在盒台21上的密封容器6中，并将其输送到用于形成抗蚀剂的装置A1外的分析器A2 模式。 通过使用诸如TOF-SIMS等的分析部分来分析晶片W的表面上的离子质量，例如CH 3 Si +，C 3 H 9 Si +，C 3 H 9 Si-等，由此分析设备A2测量量 的HMDS（六甲基二硅氮烷）。因此，可以测量晶片W的表面上的一定量的HMDS，并且以高可靠性评价疏水处理条件。

公开(公告)号：KR100795766B1

公开(公告)日：2008-01-21

申请号：KR1020060028187

申请日：2006-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키요시아키 ,  무라키유스케 ,  니시무라에이이치 ,  오노유코

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/68

Abstract: 본 발명은 예컨대 처리 종료의 기판상에 부착된 부식성 가스 등 처리 가스의 가스 성분이 반송실 등의 배기와 동시에 그대로 외부로 배출되는 것을 방지하여, 공장의 배기 설비 등의 부담을 경감하는 것을 목적으로 한다.
웨이퍼에 소정의 처리를 실시하기 위한 처리 유닛과, 이 처리 유닛에 대하여 웨이퍼를 반출입하는 반송실(200)을 구비하는 기판 처리 장치로서, 반송실(200)은 반송실(200)내로 외기를 도입하는 급기부(230)와, 급기부(230)에 대향하여 설치되어 반송실(200)내를 배기하는 배기부(250)와, 배기부(250)에 설치되어 배기에 포함되는 적어도 유해 성분을 제거하는 유해 성분 제거 필터(256)로 이루어지는 배기 필터 수단(254)을 설치했다.