Abstract:
A method of forming a resist on a substrate and processing the resist in a resist processing system having a processing region (10, 20, 40) and a non-processing region (4, 30) which are air-conditioned, the method comprising the steps of, transferring the substrate into the non-processing region, coating the resist on the substrate, exposing the coated resist, developing the exposed resist, subjecting the coated resist at least once, to heat treatment in a period from the transferring step (S1) to the developing step (S12), detecting at least once, the concentration of an alkaline component which causes defective resolution of the resist in a processing atmosphere in a period from the transferring step to the developing step, setting a threshold value for the concentration of the alkaline component in the processing atmosphere which causes the defective resolution of the resist, and controlling and changing at least one processing atmosphere in the steps (S1 to S12) in accordance with a detected concentration of the alkaline component and the threshold value.
Abstract:
PURPOSE: To evaluate the hydrophobicity on the surface of a substrate with high reliability and optimize hydrophobic treatment conditions, in a device for forming a resist pattern. CONSTITUTION: An HMDS gas is supplied to the surface of a wafer W for hydrophobic treatment, and the wafer W is housed in a sealed container 6 on a cassette stage 21 and it is conveyed to an analyzer A2 outside a device A1 for forming a resist pattern. The masses of ion kinds on the surface of the wafer W, such as CH3Si+, C3H9Si+, C3H9Si-, etc., are analyzed by using an analytical section such as TOF-SIMS, etc., thereby of the analytical equipment A2 measuring the quantity of HMDS(hexamethyl disilazane) on the surface of the wafer W. Thus, a quantity of HMDS on the surface of the wafer W can be measured, and hydrophobic treatment condition be evaluated with high reliability.
Abstract translation:目的:用于形成抗蚀剂图案的装置中,以高可靠性和优化疏水处理条件来评估基材表面上的疏水性。 构成:将HMDS气体供给到用于疏水处理的晶片W的表面,并且将晶片W容纳在盒台21上的密封容器6中,并将其输送到用于形成抗蚀剂的装置A1外的分析器A2 模式。 通过使用诸如TOF-SIMS等的分析部分来分析晶片W的表面上的离子质量,例如CH 3 Si +,C 3 H 9 Si +,C 3 H 9 Si-等,由此分析设备A2测量量 的HMDS(六甲基二硅氮烷)。因此,可以测量晶片W的表面上的一定量的HMDS,并且以高可靠性评价疏水处理条件。
Abstract:
1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야 기판의 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치. 2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제 고집적화 회로패턴을 가지는 반도체 디바이스의 제품수율을 향상시키고, 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기판의 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치를 제공함. 3. 발명의 해결방법의 요지 공조된 프로세스영역 및 비프로세스영역을 가지는 레지스트 처리시스템내에서 기판을 레지스트처리하는 방법으로, 외부로부터 비프로세스영역내에서 기판을 반입하는 공정과, 기판에 레지스트를 도포하는 공정과, 도포레지스트를 노광처리하는 공정과, 노광된 포토레지스트를 현상처리하는 공정과, 레지스트 도포공정으로부터 현상처리공정까지의 사이에 적어도 1회는 도포레지스트를 열처리하는 공정과, 기판반입공정으로부터 현상처리 공정까지의 사이에 적어도 1회는, 레지스트 처리시스템내의 처리분위기중에 있어서 레지스트의 해상불량의 원인이 되는 알칼리성분의 농도를 검출하는 공정과, 레지스트의 해상불량을 일으키는 레지스트 처리시스템내의 처리분위기중의 알칼리성분농도의 문턱치를 설정하는 공정과, 알칼리성분농도의 검출치 문턱치에 의거하여 상기 처리공정 중 적어도 하나의 처리분위기를 제어하는 공정을 구비한다. 4. 발명의 중요한 용도 반도체 웨이퍼와 같은 기판에 포토 레지스트를 도포, 노광하고, 현상하는 기판의 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치에 사용됨.
Abstract:
1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야 처리장치, 처리방법 및 불순물제거장치 2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제 케미컬필터를 사용하는 일없이 기액접촉에 의해서 분위기중의 알칼리성분등의 불순물을 효율적으로 제거하여, 기판에 대한 처리를 적합하게 실시할 수 있는 처리장치를 제공함. 3. 발명의 해결방법의 요지 공기조절된 클린룸내의 격리된 처리공간내에서 기판을 처리하는 처리장치으로서, 처리공간내의 공기의 적어도 일부를 회수하여, 회수한 공기로부터 불순물을 제거하는 복수의 제거부(130, 150, 330, 350)를 갖는 제거장치(101, 201, 301, 302, 501, 601)와, 이들 복수의 제거부는 직렬로 배치되고 또한 각각이 회수한 공기와 접촉하여 불순물을 제거하는 불순물제거액을 공급하는 공급기구(135A, 197A, 394∼399)를 갖는 것과, 제거장치에 의해 불순물제거된 공기의 온도를 조정하는 온도조정장치(173, 174, 203a, 203b, 204a, 204b, 391, 404, 405, 561, 557, 602)와, 온도조정장치에 의해 온도조정된 공기를 상기 처리공간내에 되돌리는 리턴회로(66,74)를 구비한다. 4. 발명의 중요한 용도 반도체웨이퍼의 도포현상처리등에 사용됨.
Abstract:
1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 반도체 웨이퍼나 LCD기판과 같은 기판의 처리분위기를 제어하기 위한 공조기능을 구비한 기판 처리시스템에 관한 것이다. 2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제 케미칼 필터를 이용하지 않고, 공기중에 포함되어 있는 미량의 알칼리성분을 효율적으로 제거할 수 있는 수명이 긴 기판 처리시스템을 제공하는 데 있다. 3. 발명의 해결방법의 요지 공조된 분위기하에서 기판을 처리하는 기판 처리시스템은, 기판(W)을 처리액으로 처리하는 액처리계 유니트(G1,G2,171,172,241∼244) 및 기판(W)을 가열하고 냉각하는 열처리계 유니트(G3,G4,245∼248) 중 적어도 어느 한쪽을 구비한 프로세스부(11,220)와, 이 프로세스부로 공기를 공급하기 위하여 프로세스부 보다 위쪽에 형성된 상부공간(62,262)과, 이 상부공간으로 공급되어야 할 공기로 부터 알칼리성분을 제거하여 공기를 정화하는 정화부(80,281,281A)와, 이 정화부 및 상기 상부공간의 각각으로 연이어 통하고, 상기 정화부를 통과한 공기의 온도 및 습도를 동시에 조정하는 온도습도 조정(140,301)부와, 이 온도습도 조정부로 부터 상기 상부공간으로 공기를 보내고, 상기 상부공간으로 부터 프로세스부 내로 공기를 하강시키며, 또 프로세스부 내를 하강하여 흐른 공� �� 중 적어도 일부를 상기 온도습도 조정부로 보내는 팬(151,152,263,307)을 구비하고 있다. 정화부(80,281,281A)는 시스템 외부로 연이어 통하는 챔버(81,282)와, 이 챔버 내에 시스템 외부로 부터 보충공기를 도입하는 공기보충수단(152)과, 이 챔버 내로 불순물 제거액을 분무하는 노즐(92,102,285)과, 이 분무된 순수한 물을 도입공기에 접촉시키기 위하여 챔버 내에 형성된 기액접촉부(90,100,298,299)와, 이 기액접촉부의 하류측에 배치되어, 기액접촉부를 통과한 기류중의 미스트형태의 순수한 물을 포착하는 미스트 트랩기구(91,94,101,104,291)를 구비하고 있다. 4. 발명의 중요한 용도 반도체 웨이퍼나 LCD기판의 처리시스템으로서 이용한다.
Abstract:
1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 반도체 웨이퍼나 LCD기판과 같은 기판의 처리분위기를 제어하기 위한 공조기능을 구비한 기판 처리시스템에 관한 것이다. 2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제 케미칼 필터를 이용하지 않고, 공기중에 포함되어 있는 미량의 알칼리성분을 효율적으로 제거할 수 있는 수명이 긴 기판 처리시스템을 제공하는 데 있다. 3. 발명의 해결방법의 요지 공조된 분위기하에서 기판을 처리하는 기판 처리시스템은, 기판(W)을 처리액으로 처리하는 액처리계 유니트(G1,G2,171,172,241∼244) 및 기판(W)을 가열하고 냉각하는 열처리계 유니트(G3,G4,245∼248) 중 적어도 어느 한쪽을 구비한 프로세스부(11,220)와, 이 프로세스부로 공기를 공급하기 위하여 프로세스부 보다 위쪽에 형성된 상부공간(62,262)과, 이 상부공간으로 공급되어야 할 공기로 부터 알칼리성분을 제거하여 공기를 정화하는 정화부(80,281,281A)와, 이 정화부 및 상기 상부공간의 각각으로 연이어 통하고, 상기 정화부를 통과한 공기의 온도 및 습도를 동시에 조정하는 온도습도 조정(140,301)부와, 이 온도습도 조정부로 부터 상기 상부공간으로 공기를 보내고, 상기 상부공간으로 부터 프로세스부 내로 공기를 하강시키며, 또 프로세스부 내를 하강하여 흐른 공기 중 적어도 일부를 상기 온도습도 조정부로 보내는 팬(151,152,263,307)을 구비하고 있다. 정화부(80,281,281A)는 시스템 외부로 연이어 통하는 챔버(81,282)와, 이 챔버 내에 시스템 외부로 부터 보충공기를 도입하는 공기보충수단(152)과, 이 챔버 내로 불순물 제거액을 분무하는 노즐(92,102,285)과, 이 분무된 순수한 물을 도입공기에 접촉시키기 위하여 챔버 내에 형성된 기액접촉부(90,100,298,299)와, 이 기액접촉부의 하류측에 배치되어, 기액접촉부를 통과한 기류중의 미스트형태의 순수한 물을 포착하는 미스트 트랩기구(91,94,101,104,291)를 구비하고 있다. 4. 발명의 중요한 용도 반도체 웨이퍼나 LCD기판의 처리시스템으로서 이용한다.
Abstract:
A processing apparatus using solution comprises a rotary table which rotates while holding a substrate thereon, in the processing chamber provided in the casing, a supply mechanism for supplying a processing solution to a surface of the substrate held on the rotary table, and an impurity remover unit, provided outside the casing, wherein the impurity remover unit includes a cleaning unit for cleaning an object gas introduced from the inlet opening by brining it into contact with an impurity remover solution, and the gas-liquid separation mechanism for separating liquid from gas in an exhaust is provided in the exhaust system for exhausting the casing.
Abstract:
1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야 용액을 사용한 처리장치 및 방법 2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제 별도의 불순물 제거장치에 의하여, 레지스트 도포 및 현상유니트와 같은 처리장치내의 대기를 청정화할 수 있고, 공장의 중앙 배출시스템으로 상기 유니트내의 전체 대기량을 폐기하지 않고서, 대기중에 재순환할 수 있도록 한 용액을 사용하는 처리장치 및 방법을 제공함. 3. 발명의 해결방법의 요지 케이싱내에 마련된 처리챔버내에서, 기판을 유지한 채로 회전하는 회전테이블과, 회전테이블상에 유지된 기판의 표면에 처리액을 공급하기 위한 공급기구와, 기체로부터 배출물내의 액체를 분리하기 위하여, 케이싱내를 배기하는 배기시스템내에 마련된 기액분리기구 및 케이싱내의 포함하여 미청정화된 기체를 청정화하기 위하여 케이싱에 결합된 불순물 제거기 유니트를 구성되며, 불순물 제거기 유니트는 기액분리기구의 가스출구에 접속된 가스도입구와, 도입구로 도입된 목적기체를 불순물 제거액과 접촉시킴으로써 청정화하기 위한 청정화 유니트 및 청정화된 기체를 케이싱내로 공급하기 위한 공급수단을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. 4. 발명의 중요한 용도 반도체 제조공정의 포토레지스트 처리공정에 사용됨.
Abstract:
1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야 기판처리시스템 및 기판처리방법. 2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제 시스템내로의 청정공기의 공급량 증대시키지 않고, 시스템내로의 파티클의 침입을 유효하게 방지할 수 있는 기판처리시스템을 제공함. 3. 발명의 해결방법의 요지 본 발명은 공기조절된 환경하에서 복수의 기판(W) 을 차례로 처리하는 기판처리시스템으로, 카세트(CR),(C)가 출입되는 카세트 반입출구(100b), (304)를 가지는 외장케이스(100a),(302)와, 이 외장케이스(100a),(302)로 둘러싸인 내부공간에 설치되고, 카세트가 얹어놓이는 카세트 얹어놓는 대(20),(303)를 가지며, 상기 카세트 반입출구 통해서 카세트가 반입되고, 상기 카세트 얹어놓는 대에 카세트가 얹어놓이는 카세트부(10),(351)와, 이 카세트부의 카세트로부터 기판을 1매씩 반출하여 이송하는 서브아암기구(22),(311)와, 카세트부에 인접해서 설치되고, 기판(W)을 처리하기 위한 복수의 처리유니트를 가지는 프로세스부(12),(352)와, 이 프로세스부내에 설치되고, 상기 카세트부의 서브아암기구로부터 기판(W)을 수취하고, 수취한 기판(W)을 각각 처리유니트에 차례로 반입 는 한편, 처리된 기판(W)을 각 처리유니트로부터 차례로 반출하는 주아암기구(24),(312),(313)와, 외장케이스(100a),(302)로 둘러싸인 내부공간에 다운플로우의 청정공기를 공급하는 에어공급기구(10a),(10b),(12a),(14a),(16a)∼(16e),(30),(31),(32),(33a)∼(33f),(34),(36),(37a)∼(37e),(38),(39),(48),(306),(306a),(306b)와, 이 에어공급기구에 의해서 형성되는 에어의 다운플로우에 간섭하지 않도록 외장케이스(100a),(302)로 둘러싸인 내부공간 칸막이하고, 또, 칸막이된 한쪽의 공간으로부터 다른쪽 공간으로 기판(W)을 반송하기 위한 기판반송구(11a),(11b),(29a),(51a),(61a),(308)를 가지는 칸막이판 (11),(11A),(29),(51),(61),(305)을 구비한다. 4. 발명의 중요한 용도 반도체 웨이퍼나 LCD용 기판과 같은 기판에 레지스트를 도포하고, 현상 처리하는 기판처리시스템 및 기판처리방법에 이용됨.