公开(公告)号：KR1020020027604A

公开(公告)日：2002-04-13

申请号：KR1020027002700

申请日：2000-08-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

Inventor： 야마사키도모미 ,  기무라히데토시 ,  오노히루 ,  아라미주니치 ,  고시이시아키라 ,  미야타고지

IPC: H01L21/3065

Abstract: 기판(30)에 마그네트론 플라즈마 처리를 하는 데 있어서, 다수의 이방성 세그먼트 자석(22)을 챔버(1)의 둘레의 벽의 주위에 링 형상으로 배치하여 구성되는 쌍극자 링 자석(21)을 설치하고, 서로 이격된 한 쌍의 평행 전극 사이의 전계 방향에 직교하는 평면 내에서 자장 방향 B에 직교하는 방향을 따라서 E극측으로부터 W극측을 향해 자장 강도가 작아지는 자장 구배를 형성하며, 상기 복수의 이방성 세그먼트 자석은 피처리 기판의 E극측 단부의 외측에 위치하는 영역
A 의 근방에 이 영역에 N극을 향하게 하여 배치된 이방성 세그먼트 자석으로 구성되는 제 1 부분(
a )과, 상기 영역에 S극을 향하게 하여 배치된 이방성 세그먼트 자석으로 구성되는 제 2 부분(
b )을 포함하고, 이들 제 1 부분 및 제 2 부분에 의해 상기 제 1 및 제 2의 영역의 자장 강도를 국부적으� �� 높게 하고 있다.

公开(公告)号：KR100619112B1

公开(公告)日：2006-09-01

申请号：KR1020047003954

申请日：2002-09-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오노히루 ,  다테시타고이치 ,  혼다마사노부 ,  나가세키가즈야 ,  하야시다이스케

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/32688

Abstract: Each magnet segment 22 of a magnetic field forming mechanism 21 is constructed such that, after the magnetic pole of each magnet segment 22 set to face a vacuum chamber 1 as shown in FIG. 3 A, adjoining magnet segments 22 are synchronously rotated in opposite directions, and hence every other magnet element 22 is rotated in the same direction as shown in FIGS. 3 B, 3 C to thereby control the status of a multi-pole magnetic field formed in the vacuum chamber 1 and surrounding a semiconductor wafer W. Therefore, the status of a multi-pole magnetic field can be easily controlled and set appropriately according to a type of plasma processing process to provide a good processing easily.

Abstract translation: 磁场形成机构21的每个磁体段22被构造成使得在每个磁体段22的磁极设置为面对真空室1之后， 如图3A所示，相邻的磁体段22在相反的方向上同步旋转，并且因此每隔一个磁体元件22以如图3A和3B所示的相同方向旋转。 从而控制形成在真空室1中并围绕半导体晶片W的多极磁场的状态。因此，多极磁场的状态可容易地控制并根据 一种等离子体处理过程，以提供一个很好的处理。

公开(公告)号：KR100600177B1

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：KR1020027002700

申请日：2000-08-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

Inventor： 야마사키도모미 ,  기무라히데토시 ,  오노히루 ,  아라미주니치 ,  고시이시아키라 ,  미야타고지

IPC: H01L21/3065

Abstract: 기판(30)에 마그네트론 플라즈마 처리를 하는 데 있어서, 다수의 이방성 세그먼트 자석(22)을 챔버(1)의 둘레의 벽의 주위에 링 형상으로 배치하여 구성되는 쌍극자 링 자석(21)을 설치하고, 서로 이격된 한 쌍의 평행 전극 사이의 전계 방향에 직교하는 평면 내에서 자장 방향 B에 직교하는 방향을 따라서 E극측으로부터 W극측을 향해 자장 강도가 작아지는 자장 구배를 형성하며, 상기 복수의 이방성 세그먼트 자석은 피처리 기판의 E극측 단부의 외측에 위치하는 영역
A 의 근방에 이 영역에 N극을 향하게 하여 배치된 이방성 세그먼트 자석으로 구성되는 제 1 부분(
a )과, 상기 영역에 S극을 향하게 하여 배치된 이방성 세그먼트 자석으로 구성되는 제 2 부분(
b )을 포함하고, 이들 제 1 부분 및 제 2 부분에 의해 상기 제 1 및 제 2의 영역의 자장 강도를 국부적으로 높게 하고 있다.

公开(公告)号：KR1020040035813A

公开(公告)日：2004-04-29

申请号：KR1020047003954

申请日：2002-09-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오노히루 ,  다테시타고이치 ,  혼다마사노부 ,  나가세키가즈야 ,  하야시다이스케

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/32688

Abstract: 자장 형성 기구(21)의 각 자석 세그먼트(22)가 도 3a에 도시하는 바와 같이 각 자석 세그먼트(22)의 자극이 진공 챔버(1)측을 향한 상태로부터, 도 3b, 도 3c에 도시하는 바와 같이, 인접하는 자석 세그먼트(22)가 동기하여 반대 방향, 따라서 하나 건너 하나씩의 자석 세그먼트(22)가 동일한 방향으로 회전하여, 진공 챔버(1)내에 형성되는 반도체 웨이퍼(W)의 주위의 멀티폴 자장의 상태를 제어할 수 있도록 구성되어 있다. 이것에 의해서, 플라즈마 처리 프로세스의 종류에 따라서 적절한 멀티폴 자장의 상태를 용이하게 제어, 설정할 수 있어, 양호한 처리를 용이하게 실행할 수 있다.