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公开(公告)号：KR102009372B1
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：KR1020147025355
申请日：2013-02-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/288 , H01L21/683 , C23C18/31 , C23C18/16
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公开(公告)号：KR101765567B1
公开(公告)日：2017-08-07
申请号：KR1020137033986
申请日：2012-06-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C18/163 , C23C18/1619 , C23C18/1632 , C23C18/1655 , C23C18/1669 , C23C18/1675 , C23C18/1676 , C23C18/168 , C23C18/18 , C23C18/50 , H05K3/187 , H05K2203/0165 , H05K2203/072 , H05K2203/075
Abstract: 기판의표면전역에걸쳐균일하게도금처리를실시하는도금처리장치를제공한다. 도금처리장치(20)는, 기판(2)을보지하여회전시키는기판회전보지기구(110)와, 기판회전보지기구(110)에보지된기판(2)을향해도금액을토출하는토출기구(21)와, 기판회전보지기구(110) 및토출기구(21)를제어하는제어기구(160)를구비하고있다. 토출기구(21)는, 기판(2)의반경방향을따라배열된복수의토출구(41)를포함하는, 또는기판(2)의반경방향을따라연장되는토출구(42)를포함하는제 1 노즐(40)과, 제 1 노즐(40)의토출구보다기판(2)의중심부에근접하도록위치할수 있는토출구(46)를포함하는제 2 노즐(45)을가지고있다.
Abstract translation: 一种用于在基板的整个表面上均匀地执行电镀工艺的电镀装置。 电镀处理部20，用于排出朝向基板2的电镀的放电，将基板旋转见机构110，和基板旋转见机构110，纸EVO衬底（2）旋转以看到机构（ 21以及用于控制基板旋转保持机构110和排出机构21的控制机构160。 包括排出机构（21）的第一喷嘴包括：基板（2），一个排出口41，排出口42，这就是，或沿（2）包括一个径向阵列的多个视的的基板的半径方向延伸的 并且第二喷嘴45包括排出口46，排出口46可以位于比第一喷嘴40的排出口更靠近基板2的中心。
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公开(公告)号：KR1020150016276A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：KR1020147033271
申请日：2013-05-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/288 , H01L21/3205 , C23C18/16
CPC classification number: C23C18/1619 , C23C18/1633 , C23C18/1651 , C23C18/1676 , C23C18/1683 , C23C18/1893 , C23C18/50 , H01L21/288 , H01L21/76843 , H01L21/76898 , H01L21/3205
Abstract: 오목부의 내면에 형성되는 도금층의 두께의 균일성을 향상시킬 수 있는 도금 처리 방법을 제공한다. 도금 처리 방법은, 오목부가 형성된 기판을 케이싱의 내부에 준비하는 공정과, 도금액을 기판에 대하여 공급하고, 특정 기능을 가지는 도금층을 오목부의 내면에 형성하는 도금 공정을 구비하고 있다. 도금 공정은, 제 1 도금액을 기판에 대하여 공급하고, 제 1 도금층을 형성하는 제 1 도금 공정과, 제 1 도금 공정 후에, 제 2 도금액을 기판에 대하여 공급하고, 제 1 도금층 상에 제 2 도금층을 형성하는 제 2 도금 공정을 포함하고 있다. 여기서, 제 1 도금액에 함유되는 첨가제의 농도와 제 2 도금액에 함유되는 첨가제의 농도가 상이하다.
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公开(公告)号：KR1020140143148A
公开(公告)日：2014-12-15
申请号：KR1020147025355
申请日：2013-02-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/288 , H01L21/683 , C23C18/31 , C23C18/16
CPC classification number: H01L21/288 , C23C18/1619 , C23C18/163 , C23C18/1669 , C23C18/1676 , H01L21/76849
Abstract: 도금 처리 장치(20)는, 기판(2)을 보지하여 회전시키는 기판 보지 기구(110)와, 기판 보지 기구(110)에 보지된 기판(2)을 향해 도금액을 토출하는 제 1 토출 기구(30)와, 기판(2)의 상방에 배치되고, 개구부(22)가 형성된 톱 플레이트(21)를 구비하고 있다. 제 1 토출 기구(30)는, 기판(2)을 향해 도금액을 토출하는 제 1 토출부(33)를 가지고 있다. 제 1 토출부(33)는, 도금액을 토출할 시 위치하는 토출 위치와, 도금액을 토출하지 않을 시 위치하는 대기 위치와의 사이에서 이동 가능하게 되어 있다. 또한 제 1 토출부(33)는, 토출 위치에 있을 시 톱 플레이트(21)의 개구부(22)와 중첩되도록 구성되어 있다.
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公开(公告)号：KR1020140138161A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：KR1020147025413
申请日：2013-02-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C18/1694 , C23C18/1619 , C23C18/1632 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C23C18/1676 , C23C18/1678 , C23C18/1696 , C23C18/18 , C23C18/1889 , C23C18/30 , C23C18/38 , C25D17/001 , H01L21/288 , H01L21/76843 , H01L21/76864 , H01L21/76874 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 하지층과의 사이의 밀착성을 향상시킬 수 있는 도금 처리 방법을 제공한다. 기판에 대하여 도금 처리를 실시하는 도금 처리 방법은, 기판(2) 상에 배리어막으로서 기능하는 제 1 도금층(23a)을 형성하는 공정과, 제 1 도금층(23a)을 굽는 공정과, 배리어막으로서 기능하는 제 2 도금층(23b)을 형성하는 공정과, 제 2 도금층(23b)을 굽는 공정을 구비하고 있다. 이와 같이 하여 얻어진 제 1 도금층(23a)과 제 2 도금층(23b)에 의해, 배리어막으로서 기능하는 도금층 적층체(23)가 얻어진다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140059796A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：KR1020147006158
申请日：2012-08-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 더 스쿨 코포레이션 칸사이 유니버시티
IPC: C23C22/73 , B01J19/10 , B01J23/44 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76874 , C23C18/1608 , C23C18/1619 , C23C18/1806 , C23C18/1831 , H01L21/288 , H01L21/76898
Abstract: 기판에 형성된 오목부의 하부에까지 충분히 촉매를 흡착시킬 수 있는 흡착 처리 방법을 제공한다. 먼저, 오목부(22)가 형성된 기판(20)을 준비한다. 이어서, 촉매 흡착 장치(10)에 의해 기판(20)과, 분산제로 피복된 나노 입자로 이루어지는 촉매를 포함하는 촉매 용액(12)을 접촉시키고, 이에 의해 기판(20)의 표면에 촉매(23)를 흡착시킨다. 이 때, 촉매 용액(12)에 고주파 진동이 부여된다.
Abstract translation: 催化剂吸附方法可以将催化剂充分地吸附到形成在基板中的凹部的下部。 准备形成有凹部22的基板20。 然后，通过使催化剂吸附装置10使基板20与含有催化剂的催化剂溶液12接触，将由分散剂涂布的纳米粒子形成的催化剂23吸附在基板20的表面。此时， 对催化剂溶液12施加振动。
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公开(公告)号：KR1020140031330A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：KR1020137033987
申请日：2012-06-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C18/1689 , C23C18/1619 , C23C18/1669 , C23C18/1675 , C23C18/1676
Abstract: 기판(2)의 표면에 전처리액이 남아 있는 상태에서, 기판(2)을 제 1 회전수로 회전시키고, 기판(2)으로 도금액을 공급함으로써 액 치환을 행한다(액 치환 공정(S305)). 이어서, 기판(2)으로 도금액을 계속 공급한 상태에서, 기판(2)을 정지 또는 제 2 회전수로 회전시켜, 기판(2)에 초기 성막을 행한다(인큐베이션 공정(S306)). 이 후, 기판(2)으로 도금액을 계속 공급한 상태에서, 기판(2)을 제 3 회전수로 회전시켜, 도금막을 성장시킨다(도금막 성장 공정(S307)). 제 1 회전수는 제 3 회전수보다 회전수가 높고, 제 3 회전수는 제 2 회전수보다 회전수가 높다.
Abstract translation: 通过在基板2的表面保持预处理液体的状态下以第一转速旋转基板2，将电镀液供给到基板2上进行液体位移（液体移位处理（方框S305）） 。 然后，通过停止基板2的旋转或者在将基板2连续供给到基板2上的同时以第二转速旋转基板2而在基板2上形成初始膜（保温处理（方框S306））。 然后，在将电镀液体持续供给到基板2上（电镀膜生长处理（框S307））的同时，以第三转速旋转基板2，生长镀膜。 这里，第一转速高于第三转速，第三转速高于第二转速。
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公开(公告)号：KR1020130139955A
公开(公告)日：2013-12-23
申请号：KR1020137010818
申请日：2011-08-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: B05D7/50 , B05B12/04 , B05B12/14 , B05D1/02 , C23C18/1632 , C23C18/1651 , C23C18/31 , C23C18/54 , C25D17/001 , C23C16/54 , C23C18/16
Abstract: 본 발명은, 기판(2)의 표면으로 도금 처리액을 공급하여 도금 처리를 행하는 도금 처리 장치(1)이다. 도금 처리 장치(1)는, 기판(2)을 회전 보지하는 기판 회전 보지 수단(25)과, 기판(2)의 표면으로 조성이 상이한 복수 종류의 도금 처리액을 공급하는 복수의 도금 처리액 공급 수단(29, 30)과, 기판(2)으로부터 비산한 도금 처리액을 종류마다 배출하는 도금 처리액 배출 수단(31)과, 기판 회전 보지 수단(25), 복수의 도금 처리액 공급 수단(29, 30) 및 도금 처리액 배출 수단(31)을 제어하는 제어 수단(32)을 가진다. 기판(2)을 회전 보지한 상태인 채로 상이한 도금 처리액을 기판(2)의 표면으로 차례로 공급하여 기판(2)의 표면에 순차적으로 복수의 도금 처리를 실시한다.
Abstract translation: 电镀装置1可以通过将电镀液供给到基板2的表面来进行电镀处理。电镀装置1包括：基板旋转保持器，其被构造成保持和旋转基板2; 电镀液供给单元29,30，被配置为向基板2的表面供给不同种类的电镀液; 电镀液排出单元31，其被配置为根据电镀液的种类排出从基板2分散的镀液; 以及控制器32，被配置为控制基板旋转保持器25，电镀液供给单元29和30，电镀液排出单元31.在保持基板2并旋转的同时，在基板2的表面上进行电镀处理 依次通过将不同种类的电镀液体供给到基板2的表面上。
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公开(公告)号：KR1020120057504A
公开(公告)日：2012-06-05
申请号：KR1020110085634
申请日：2011-08-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/04 , H01L21/02101 , H01L21/67017 , H01L21/6719 , H01L21/67034
Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a storage media are provided to prevent the high pressure fluid within a treatment basin to be entered in other instrument through a pipe. CONSTITUTION: A process chamber(31) of a supercritical processing unit(30) comprises a process space(310) for processing a wafer(W). The process chamber is connected to a fuzzy gas supply line(406) and an exhaust line(408). An opening for carrying in and out the wafer is formed at the front side of the process chamber. A spiral tube(41) is connected to the process chamber through a supply return line(411). The spiral tube accepts IPA(icosapentaenoic acid) as a liquid state.
Abstract translation: 目的：提供基板处理装置，基板处理方法和存储介质，以防止处理池内的高压流体通过管道进入其它仪器。 构成：超临界处理单元（30）的处理室（31）包括用于处理晶片（W）的处理空间（310）。 处理室连接到模糊气体供应管线（406）和排气管线（408）。 用于进出晶片的开口形成在处理室的前侧。 螺旋管（41）通过供应返回管线（411）连接到处理室。 螺旋管接受IPA（二十碳五烯酸）为液态。
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公开(公告)号：KR100998837B1
公开(公告)日：2010-12-06
申请号：KR1020087017109
申请日：2006-12-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: B05D1/005 , B05C11/06 , B05C11/08 , B05D3/0406 , B05D3/0486 , B05D2203/30 , B05D2203/35 , G03F7/162 , H01L21/67017 , H01L21/67023 , H01L21/6715
Abstract: 본 발명은 기판을 수평으로 보지하는 기판 보지부와, 기판 보지부에 수평으로 보지된 기판의 중심부에 약액을 공급하는 약액 노즐과, 원심력에 의해 기판의 전체 표면에 약액을 확장하여 도포하기 위해, 기판 보지부를 회전시키는 회전 기구와, 기판 보지부에 수평으로 보지된 기판의 표면에, 분위기 가스의 다운 플로우를 형성하는 기류 형성 유닛과, 기판 주위의 분위기를 배기하는 배기 유닛과, 분위기 가스보다도 동적 점성 계수가 큰 층류 형성용 가스를 기판 표면에 공급하는 가스 노즐을 구비하고, 상기 분위기 가스 또는 상기 층류 형성용 가스는 기판 중심부에 공급되게 되어 있는 것을 특징으로 하는 도포 장치이다.
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