公开(公告)号：KR100586390B1

公开(公告)日：2006-06-08

申请号：KR1020030097286

申请日：2003-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오니시다다시 ,  하마마나부 ,  혼다미노루 ,  미츠오카가즈유키 ,  이와시타미츠아키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02351 ,  C23C16/56 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/3156 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/312 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253

Abstract: 박막 처리 방법 및 박막 처리 시스템은 복수의 전자빔 관으로부터 피 처리체에 형성된 막으로 전자빔을 조사하여 막두께를 맞추며, 상기 공정에서 상기 복수의 전자빔 관 각각의 출력 또는 조사 시간을 상기 막두께의 분포에 따라 개별적으로 제어한다. 또한, 박막 처리 방법 및 박막 처리 시스템에 의해 피 처리체의 막에 대전된 전하가 제거된다.

Abstract translation: 一种薄膜处理方法和薄膜处理系统中，每个输出或多个电子束管中的曝光时间的通过照射电子束到薄膜matchumyeo膜厚，在膜厚度的分布形成在目标体从多个电子束管的步骤 沿着可独立控制的。 此外，通过薄膜处理方法和薄膜处理系统去除待处理物体的膜上的电荷。

公开(公告)号：KR1020040060782A

公开(公告)日：2004-07-06

申请号：KR1020030097286

申请日：2003-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오니시다다시 ,  하마마나부 ,  혼다미노루 ,  미츠오카가즈유키 ,  이와시타미츠아키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02351 ,  C23C16/56 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/3156 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/312 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253

Abstract: PURPOSE: A method and a system for processing thin films are provided to maintain a uniformity of a film thickness and to remove electric charges charged in the film in an operation of using a plasma processing apparatus. CONSTITUTION: A thin film processing system includes a film thickness measuring device and an electron beam processor(40), and a controller(44). The film thickness measuring device measures a thickness of a film formed on an object to be processed. The electron beam processor includes a plurality of electron beam tubes for irradiating electron beams onto the film of the object. The controller individually controls output powers or beam irradiation times of the electron beam tubes based on a measurement result taken by the film thickness measuring device.

Abstract translation: 目的：提供一种用于处理薄膜的方法和系统，以在使用等离子体处理装置的操作中保持膜厚度的均匀性和去除带电荷的膜中的电荷。 构成：薄膜处理系统包括膜厚测量装置和电子束处理器（40）和控制器（44）。 膜厚测量装置测量形成在待处理物体上的膜的厚度。 电子束处理器包括用于将电子束照射到物体的膜上的多个电子束管。 控制器基于由膜厚测量装置获得的测量结果单独地控制电子束管的输出功率或光束照射时间。

公开(公告)号：KR1020040058053A

公开(公告)日：2004-07-03

申请号：KR1020030096184

申请日：2003-12-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오니시다다시 ,  하마마나부

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/26 ,  H01J37/304 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/2482 ,  H01J2237/30466 ,  H01J2237/3156

Abstract: PURPOSE: A film processing method and a film processing apparatus are provided to improve a film characteristic of an object to be processed by illuminating an electron beam on a surface of the object to be processed with uniform intensity. CONSTITUTION: A film-processing apparatus includes a processing unit(1), an electric-current sensor(21), an electric-current measuring unit(22), a calculating unit(23), and a detecting unit(20). The processing unit irradiates electron beams onto a film on a surface of an object to be processed to conduct a process to the film. The electric-current sensor captures the electron beams as an electric-current in a vicinity of the object to be processed. The electric-current measuring unit measures an electric-current value of the electric-current captured by the electric-current sensor. The calculating unit calculates an amount of electron by means of a time integration of the electric-current value. The detecting unit detects an end point of the process to the film based on the amount of electron.

Abstract translation: 目的：提供一种胶片处理方法和胶片处理装置，通过以均匀的强度照射待加工物体的表面上的电子束来改善待处理物体的胶片特性。 构成：胶片处理装置包括处理单元（1），电流传感器（21），电流测量单元（22），计算单元（23）和检测单元（20）。 处理单元将电子束照射到被处理物体的表面上的膜上，以对膜进行处理。 电流传感器将电子束作为处理对象附近的电流捕获。 电流测量单元测量由电流传感器捕获的电流的电流值。 计算单元通过电流值的时间积分来计算电子量。 检测单元基于电子量检测膜的处理的终点。

公开(公告)号：KR1020050106387A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：KR1020050101545

申请日：2005-10-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오니시다다시 ,  하마마나부 ,  혼다미노루 ,  미츠오카가즈유키 ,  이와시타미츠아키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02351 ,  C23C16/56 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/3156 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/312 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253

Abstract: In a thin film processing method and system, a film thickness is regulated by using electron beams irradiated from a plurality of electron beam tubes onto a film of varying thickness formed on an object to be processed, wherein the output powers or beam irradiation times of the electron beam tubes are individually controlled according to a distribution of the thickness. In the method and system, electric charges charged in a film of an object to be processed can be removed also.

公开(公告)号：KR1020030025199A

公开(公告)日：2003-03-28

申请号：KR1020020056797

申请日：2002-09-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타노타카히로 ,  하마마나부 ,  스기모토신이치 ,  히라카와나오야

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67034 ,  B05D3/0493

Abstract: PURPOSE: A reduced-pressure drying unit is provided to improve uniformity of a film thickness by preventing a rounded shape or an accumulated portion of a coating solution at a peripheral region of a substrate and by making a coating film uniform in thickness. CONSTITUTION: A mount(41) for mounting a substrate coated with a coating solution made by mixing a component of the coating film and a solvent is installed in a hermetic container(4). A vacuum exhauster is connected to the hermetic container through an exhaust passage for reducing a pressure in the hermetic container to vaporize the solvent from the coating solution on the substrate. A current member is provided to face a front face of the substrate mounted on the mount. A current member raising and lowering mechanism(53) raises and lowers the current member. When the current member is raised and lowered to change in height position while the pressure inside the hermetic container is reduced to vaporize the solvent from the coating solution on the substrate, a liquid flow of the coating solution on the substrate is controlled, so that the film thickness of a film of the coating solution is controlled.

Abstract translation: 目的：提供一种减压干燥装置，通过防止在基板的周边区域的涂布液的圆形或累积部分，并使涂膜的厚度均匀化来提高膜厚的均匀性。 构成：用于安装涂覆有通过混合涂膜的组分和溶剂制成的涂布溶液的基材的安装座（41）安装在密封容器（4）中。 真空排气器通过排气通道连接到密封容器，用于减小密封容器中的压力，使溶剂从基材上的涂布溶液蒸发。 设置当前构件以面对安装在安装件上的基板的前表面。 当前构件升降机构（53）升高并降低当前构件。 当当前构件升高和降低以改变高度位置，同时减少密封容器内的压力以使溶剂从衬底上的涂布溶液蒸发时，控制衬底上的涂布液的液体流动，使得 控制涂布液的膜的膜厚。

公开(公告)号：KR100918580B1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：KR1020020056797

申请日：2002-09-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타노타카히로 ,  하마마나부 ,  스기모토신이치 ,  히라카와나오야

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67034 ,  B05D3/0493

Abstract: 본 발명은 감압건조장치 및 도포막 형성방법에 관한 것으로, 도포막의 성분과 용제를 혼합하여 이루어지는 도포액이 도포된 기판을 재치하기 위한 재치부가 내부에 설치된 밀폐용기와, 밀폐용기에 배기로를 통해 접속되고, 밀폐용기 내를 감압하여, 기판상의 도포액에서 용제를 휘발시키기 위한 진공배기장치와, 재치부에 재치된 기판 표면과 대향하도록 설치된 정류부재와, 이 정류부재를 승강시키기 위한 정류부재 승강기구를 구비하고 있다. 밀폐용기 내를 감압하여 기판상의 도포액에서 용제를 휘발시키는 동안에 상기 정류부재가 승강되고, 정류부재의 높이 위치가 변화하면, 기판상 도포액의 액흐름이 제어되고, 도포액의 막두께 제어를 할 수 있다. 기판 주연영역에서의 도포액 둥글기와 부풀기가 억제되고, 도포막의 중앙부와 주연영역의 막두께가 가지런해지며, 막두께의 균일성을 향상할 수 있는 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR100643666B1

公开(公告)日：2006-11-10

申请号：KR1020050101545

申请日：2005-10-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오니시다다시 ,  하마마나부 ,  혼다미노루 ,  미츠오카가즈유키 ,  이와시타미츠아키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02351 ,  C23C16/56 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/3156 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/312 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253

Abstract: 박막 처리 방법 및 박막 처리 시스템은 복수의 전자빔 관으로부터 피 처리체에 형성된 막으로 전자빔을 조사하여 막두께를 맞추며, 상기 공정에서 상기 복수의 전자빔 관 각각의 출력 또는 조사 시간을 상기 막두께의 분포에 따라 개별적으로 제어한다. 또한, 박막 처리 방법 및 박막 처리 시스템에 의해 피 처리체의 막에 대전된 전하가 제거된다.

公开(公告)号：KR100576402B1

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：KR1020030096184

申请日：2003-12-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오니시다다시 ,  하마마나부

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/26 ,  H01J37/304 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/2482 ,  H01J2237/30466 ,  H01J2237/3156

Abstract: 본 발명의 막 처리 방법은, 피처리체 표면의 막에 전자빔을 조사하여 상기 막을 처리하는 처리 공정과, 상기 처리 공정 중에서, 상기 피처리체의 근방에서 전자빔을 포착하여 전류값으로서 측정하는 전류 측정 공정과, 상기 전류값을 시간 적분하여 얻어지는 전자량에 근거하여 막 처리의 종점을 검출하는 검출 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 막 처리 방법이다. 본 발명에 따르면, 피처리체의 막에 대한 전자빔의 과부족(過不足)없는 조사가 실현되어, 적정한 막질을 얻을 수 있다.