公开(公告)号：KR101177962B1

公开(公告)日：2012-08-28

申请号：KR1020080035037

申请日：2008-04-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 데라사와노부또시 ,  오바따미노루 ,  고야마노리아끼

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/205 ,  H01L21/66

CPC classification number: F27B17/0025

Abstract: 열처리 장치에 이용되는 히터 소선이 단선되기 전에 그 수명을 사전에 예측할 때에, 히터 소선의 단선 징후가 나타나 쉬운 기간(예를 들어, 승온 기간)의 데이터를 이용함으로써, 히터 소선의 수명을 종래 이상으로 정확하게 예측한다.
웨이퍼를 열처리하는 데 앞서 히터 소선에 전력을 공급하여 열처리 온도까지 상승시키는 승온 기간 내에 있어서 히터 소선에 공급된 전력의 크기의 최대치를 검출하는 동시에 전력의 진폭의 크기를 나타내는 지표를 구하고, 이들 전력의 크기 및 전력의 진폭의 크기를 나타내는 지표가 각각의 임계치를 초과하는 경우에 히터 소선의 수명이 가까운 것을 알린다.
열처리 장치, 히터 소선, 웨이퍼, 온도 센서, 가스 공급관

公开(公告)号：KR1020090043451A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：KR1020080105588

申请日：2008-10-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다께나가유우이찌 ,  가사이다까히또 ,  오바따미노루 ,  다께자와요시히로 ,  야베가즈오

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: C23C16/481 ,  C23C16/52

Abstract: 제1 온도로부터 제2 온도로 제1 시간에서 온도를 변화시키는 제1 공정과, 제2 온도를 제2 시간만큼 유지하는 제2 공정과, 제2 온도로부터 제3 온도로 제3 시간에서 온도를 변화시키는 제3 공정을 포함하는 설정 온도 프로파일에 따라서 기판에 성막 처리가 실시된다. 온도-막두께-제1 관계, 실제 처리예에서의 복수 부위의 측정 막두께, 및 소정의 목표 막두께를 기초로 하여 제1 온도, 제2 온도 및 제3 온도가 결정된다. 결정된 제1 온도, 제2 온도 및 제3 온도에 대응하는 설정 온도 프로파일에 따라서 처리되는 기판의 복수 부위에서의 예상 막두께가 산출된다. 소정의 목표 막두께에 대해 예상 막두께가 소정의 허용 범위가 아닌 경우, 제1 시간, 제2 시간 및 제3 시간 중 적어도 어느 하나가 변경된다.
반응관, 웨이퍼 보트, 보온통, 기판 처리 장치

公开(公告)号：KR1020070115694A

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：KR1020070052434

申请日：2007-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고야마노리아끼 ,  오바따미노루 ,  왕웬링

IPC: H01L21/02

CPC classification number: G05B23/0221 ,  G05B2219/32184 ,  G05B2219/32192 ,  G05B2219/45031 ,  Y02P90/22

Abstract: An information processing device, a semiconductor manufacturing system, an information processing method, and a storage medium are provided to convert values having different scales such as a unit into values that does not depend on scales. A set value receiving unit(101) receives a set value. A state value receiving unit(102) receives a state value. A compensation amount calculating unit(103) calculates a compensation amount by using a compensation function indicating a relation of the compensation amount and the set value, and the state value. A compensation unit(104) compensates the state value received in the state value receiving unit by using the compensation amount calculated in the compensation amount calculating unit. An output unit(105) outputs the state value compensated in the compensation unit.

Abstract translation: 提供信息处理装置，半导体制造系统，信息处理方法和存储介质以将诸如单元的不同尺度的值转换为不依赖于尺度的值。 设定值接收单元（101）接收设定值。 状态值接收单元（102）接收状态值。 补偿量计算单元（103）通过使用表示补偿量与设定值的关系的补偿函数和状态值来计算补偿量。 补偿单元（104）通过使用在补偿量计算单元中计算的补偿量来补偿状态值接收单元中接收到的状态值。 输出单元（105）输出在补偿单元中补偿的状态值。

公开(公告)号：KR101099283B1

公开(公告)日：2011-12-26

申请号：KR1020070052434

申请日：2007-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고야마노리아끼 ,  오바따미노루 ,  왕웬링

IPC: H01L21/02

CPC classification number: G05B23/0221 ,  G05B2219/32184 ,  G05B2219/32192 ,  G05B2219/45031 ,  Y02P90/22

Abstract: 반도체를포함하는처리대상물에, 처리조건을설정하는값인설정치에따른처리를행하는반도체제조장치(200)의, 처리시의상태에관해서취득한값인취득치를처리하는정보처리장치(100)이며, 설정치를접수하는설정치접수부(101)와, 취득치를접수하는상태치접수부(102)와, 설정치와취득치와의관계를나타내는함수인보정함수에따라서, 취득치의보정량을산출하는보정량산출부(103)와, 상태치접수부(102)가접수한취득치를, 보정량산출부(103)가산출한보정량을이용해서보정하는보정부(104)와, 보정부(104)가보정한결과를출력하는출력부(105)를구비한다.

Abstract translation: 和含有该半导体处理对象物，作为一种半导体制造装置（200），用于根据所设定的值的设定的处理条件的值进行处理的处理的状态中获得的信息处理设备100用于处理的值而获得的值， 和设定的设定值接收部（101），用于接收所述值，状态值接收部（102），用于接收所获得的值时，校正量计算部103，其计算根据校正函数而获得的校正值，表示值的设定值和采集之间的关系的函数 校正单元104，用于使用由校正量计算单元103计算的校正量校正由状态值接收单元102获取的获取值;以及输出单元105，用于输出校正单元104提供的结果， 和。

公开(公告)号：KR101169894B1

公开(公告)日：2012-07-31

申请号：KR1020110083204

申请日：2011-08-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고야마노리아끼 ,  오바따미노루 ,  왕웬링

IPC: H01L21/02

CPC classification number: G05B23/0221 ,  G05B2219/32184 ,  G05B2219/32192 ,  G05B2219/45031 ,  Y02P90/22

Abstract: 종래의 정보 처리 장치에 있어서는, 다른 설정치로 행해진 처리에 관해서 각각 반도체 제조 장치 등으로부터 취득되는 값을, 용이하게 감시하는 것이 곤란했다.
반도체를 포함하는 처리 대상물에, 처리 조건을 설정하는 값인 설정치에 따른 처리를 행하는 반도체 제조 장치(200)의, 처리 시의 상태에 관해서 취득한 값인 취득치를 처리하는 정보 처리 장치(100)이며, 설정치를 접수하는 설정치 접수부(101)와, 취득치를 접수하는 상태치 접수부(102)와, 설정치와 취득치와의 관계를 나타내는 함수인 보정 함수에 따라서, 취득치의 보정량을 산출하는 보정량 산출부(103)와, 상태치 접수부(102)가 접수한 취득치를, 보정량 산출부(103)가 산출한 보정량을 이용해서 보정하는 보정부(104)와, 보정부(104)가 보정한 결과를 출력하는 출력부(105)를 구비한다.

公开(公告)号：KR1020080093896A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：KR1020080035037

申请日：2008-04-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 데라사와노부또시 ,  오바따미노루 ,  고야마노리아끼

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/205 ,  H01L21/66

CPC classification number: F27B17/0025

Abstract: A method is provided to estimate the lifetime of a heater line as compared with a conventional technique by using data related to a time interval for which the heater line is easily disconnected when the lifetime of the heater line is estimated. The maximum value of power(134A-134E) supplied to a heater line(132A-132E) within a period for increasing the temperature up to a heat treatment temperature is detected. When the maximum value of the power is determined to exceed a previously determined critical value, an alarm process is performed to inform that the lifetime of the heater line comes to an end. The critical value can be predetermined according to the condition of the heat treatment.

Abstract translation: 提供了一种与传统技术相比，通过使用与加热器线的寿命被估计时容易断开的时间间隔相关的数据来估计加热器线的寿命的方法。 检测在将温度升高到热处理温度的期间内供给到加热线（132A-132E）的功率（134A-134E）的最大值。 当功率的最大值被确定为超过预先确定的临界值时，执行报警处理以通知加热器线的寿命结束。 临界值可以根据热处理的条件来预先确定。

公开(公告)号：KR1020070090959A

公开(公告)日：2007-09-06

申请号：KR1020077014655

申请日：2005-12-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사까모또고오이찌 ,  오바따미노루 ,  고야마노리아끼

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  G05B23/02

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/52 ,  G05B23/0235 ,  H01L21/67288

Abstract: A two-axis coordinate system, in which two parameters to be monitored selected from a plurality of apparatus status parameters indicating a status of a semiconductor manufacturing apparatus are allocated to a first axis and a second axis, respectively, is prepared so as to detect an abnormality of the semiconductor manufacturing apparatus. As the parameters to be monitored, for example, a cumulative film thickness of a film forming process performed in the past by a film forming apparatus, and an open degree of a pressure adjusting valve provided in a vacuum exhaust path for controlling the pressure in a reactor vessel are selected. A value of the parameter to be monitored, which was obtained while the semiconductor manufacturing apparatus was normally operating in the past, is plotted on the two-axis coordinate system. A boundary between a normal status and an abnormal status is set around a plot group. A value of the parameter to be monitored, which is obtained while the semiconductor manufacturing apparatus is currently operating, is plotted on the two-axis coordinate system, and based on a positional relationship between the plot and the boundary, whether an abnormality is generated or not and a type of the abnormality are specified.

Abstract translation: 准备两轴坐标系，其中分别将从表示半导体制造装置的状态的多个装置状态参数中选择的两个要监视的参数分配给第一轴和第二轴，以便检测 半导体制造装置的异常。 作为要监视的参数，例如，过去由成膜装置进行的成膜处理的累积膜厚度和设置在真空排气路径中的压力调节阀的开度，用于控制在 选择反应堆容器。 在半轴制造装置过去正常工作时获得的要监视的参数的值被绘制在两轴坐标系上。 围绕绘图组设置正常状态和异常状态之间的边界。 在半轴制造装置当前操作时获得的要监视的参数的值被绘制在双轴坐标系上，并且基于绘图与边界之间的位置关系，是否产生异常或 没有指定异常的类型。

公开(公告)号：KR101154757B1

公开(公告)日：2012-06-08

申请号：KR1020080105588

申请日：2008-10-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다께나가유우이찌 ,  가사이다까히또 ,  오바따미노루 ,  다께자와요시히로 ,  야베가즈오

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: C23C16/481 ,  C23C16/52

Abstract: 제1 온도로부터제2 온도로제1 시간에서온도를변화시키는제1 공정과, 제2 온도를제2 시간만큼유지하는제2 공정과, 제2 온도로부터제3 온도로제3 시간에서온도를변화시키는제3 공정을포함하는설정온도프로파일에따라서기판에성막처리가실시된다. 온도-막두께-제1 관계, 실제처리예에서의복수부위의측정막두께, 및소정의목표막두께를기초로하여제1 온도, 제2 온도및 제3 온도가결정된다. 결정된제1 온도, 제2 온도및 제3 온도에대응하는설정온도프로파일에따라서처리되는기판의복수부위에서의예상막두께가산출된다. 소정의목표막두께에대해예상막두께가소정의허용범위가아닌경우, 제1 시간, 제2 시간및 제3 시간중 적어도어느하나가변경된다.

公开(公告)号：KR101208295B1

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：KR1020077014655

申请日：2005-12-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사까모또고오이찌 ,  오바따미노루 ,  고야마노리아끼

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  G05B23/02

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/52 ,  G05B23/0235 ,  H01L21/67288

Abstract: 반도체제조장치의이상을검출하기위해, 반도체제조장치의상태를나타내는복수의장치상태변수로부터선택된 2개의감시대상변수를각각제1 축및 제2 축으로할당된 2축좌표계가준비된다. 감시대상변수로서, 예를들면성막장치에있어서실시된과거의성막처리의누적막 두께와, 반응용기내 압력을제어하기위해진공배기로에마련된압력조정밸브의개방도가선택된다. 과거에반도체제조장치가정상적으로가동하고있는경우에취득된감시대상변수의값이 2축좌표계위에플롯된다. 플롯군의주위에정상상태와이상상태의경계가설정된다. 반도체제조장치의현재의운전시에취득된감시대상변수의값이 2축좌표계위에플롯되어, 이플롯과상기경계와의위치관계를기초로하여, 이상발생의유무, 및이상의종류가특정된다.

公开(公告)号：KR1020110110077A

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：KR1020110083204

申请日：2011-08-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고야마노리아끼 ,  오바따미노루 ,  왕웬링

IPC: H01L21/02

CPC classification number: G05B23/0221 ,  G05B2219/32184 ,  G05B2219/32192 ,  G05B2219/45031 ,  Y02P90/22

Abstract: 종래의 정보 처리 장치에 있어서는, 다른 설정치로 행해진 처리에 관해서 각각 반도체 제조 장치 등으로부터 취득되는 값을, 용이하게 감시하는 것이 곤란했다.
반도체를 포함하는 처리 대상물에, 처리 조건을 설정하는 값인 설정치에 따른 처리를 행하는 반도체 제조 장치(200)의, 처리 시의 상태에 관해서 취득한 값인 취득치를 처리하는 정보 처리 장치(100)이며, 설정치를 접수하는 설정치 접수부(101)와, 취득치를 접수하는 상태치 접수부(102)와, 설정치와 취득치와의 관계를 나타내는 함수인 보정 함수에 따라서, 취득치의 보정량을 산출하는 보정량 산출부(103)와, 상태치 접수부(102)가 접수한 취득치를, 보정량 산출부(103)가 산출한 보정량을 이용해서 보정하는 보정부(104)와, 보정부(104)가 보정한 결과를 출력하는 출력부(105)를 구비한다.