公开(公告)号：KR1020150146440A

公开(公告)日：2015-12-31

申请号：KR1020150087444

申请日：2015-06-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가네다마사토시 ,  오이시유조 ,  요시다게이스케

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/22 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L21/67069 ,  B05C11/08 ,  B05C11/1002 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/68742

Abstract: 기판에주는영향을억제하면서, 상압분위기하에서기판의표면에형성된피처리막의일부를제거하는것이가능한기판처리방법등을제공한다. 산소함유분위기하에서자외선을조사함으로써분해되는피처리막의원료를기판(W)에도포하고, 기판(W)에도포된원료를가열하여피처리막을형성한다. 이어서, 피처리막이형성된기판(W)을, 기체의유속이 10 cm/초이하인산소함유분위기의처리실(61) 내에배치하고, 당해기판(W)에자외선을조사하여피처리막의일부를제거한다.

Abstract translation: 提供一种基板处理方法，其能够在抑制对基板的影响的同时，在常压气氛下除去在基板上形成的被处理层的一部分。 将通过在含氧气氛下照射紫外线而分解的被处理层的原料涂布在基板（W）上。 通过加热涂布在基板（W）上的原料来形成被处理层。 接着，将具有被处理层的基板（W）在气体流量为10cm /秒以下的含氧气氛下配置在处理室（61）中。 对基板（W）照射紫外线。 因此，要处理的图层的一部分被删除。