公开(公告)号：KR1020150146440A

公开(公告)日：2015-12-31

申请号：KR1020150087444

申请日：2015-06-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가네다마사토시 ,  오이시유조 ,  요시다게이스케

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/22 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L21/67069 ,  B05C11/08 ,  B05C11/1002 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/68742

Abstract: 기판에주는영향을억제하면서, 상압분위기하에서기판의표면에형성된피처리막의일부를제거하는것이가능한기판처리방법등을제공한다. 산소함유분위기하에서자외선을조사함으로써분해되는피처리막의원료를기판(W)에도포하고, 기판(W)에도포된원료를가열하여피처리막을형성한다. 이어서, 피처리막이형성된기판(W)을, 기체의유속이 10 cm/초이하인산소함유분위기의처리실(61) 내에배치하고, 당해기판(W)에자외선을조사하여피처리막의일부를제거한다.

Abstract translation: 提供一种基板处理方法，其能够在抑制对基板的影响的同时，在常压气氛下除去在基板上形成的被处理层的一部分。 将通过在含氧气氛下照射紫外线而分解的被处理层的原料涂布在基板（W）上。 通过加热涂布在基板（W）上的原料来形成被处理层。 接着，将具有被处理层的基板（W）在气体流量为10cm /秒以下的含氧气氛下配置在处理室（61）中。 对基板（W）照射紫外线。 因此，要处理的图层的一部分被删除。

公开(公告)号：KR1020160075344A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：KR1020150179895

申请日：2015-12-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시다게이스케 ,  오오이시유조 ,  사사키게이스케 ,  데라다쇼이치

IPC: H01L21/263 ,  H01L21/324 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/67115

Abstract: 본발명의과제는에칭후에있어서의막 두께의균일성을높일수 있는장치및 방법을제공하는것이다. 에칭유닛(U3)은, 에칭대상의웨이퍼(W)를지지하고, 가열하는열판(40)과, 에칭용의에너지선을출사하는광원(60)과, 광원(60) 및열판(40) 사이에설치되어, 광원(60)으로부터웨이퍼(W)를향하는에너지선을투과시키는창부(P1)와, 웨이퍼(W)의부위마다의에칭량의차이를저감하도록, 창부(P1)의부위에따라창부(P1)로부터웨이퍼(W)로의에너지선의출사량을조절하는조절부(P2)를구비한다.

Abstract translation: 本发明涉及能够提高蚀刻后的膜厚均匀性的装置和方法。 蚀刻单元（U3）包括：加热板（40），其支撑并加热蚀刻目标晶片（W）; 输出用于蚀刻的能量射线的光源（60） 窗口部分（P1），安装在光源（60）和加热板（40）之间，并允许从光源（60）引导到晶片（W）的能量射线通过; 以及根据窗口部分（P1）的部分调整从窗口部分（P1）到晶片（W）的能量射线的输出量的调节部分（P2），以减少晶片的每个部分的蚀刻差异 （W）。