公开(公告)号：KR100944576B1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：KR1020090083065

申请日：2009-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠키하야시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C4/11 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/507 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32495 ,  Y10T428/26

Abstract: 본 발명의 처리 장치는 반도체 웨이퍼를 수용하고, 가열, 플라즈마, 프로세스 가스 중 어느 하나, 또는 이들의 조합에 의해서 해당 피처리 기판에 가공을 실시하는 처리를 실시하기 위한 부재가 수납된 챔버를 탑재하는 장치에 있어서, 상기 챔버 내부 벽면 및 챔버내에 노출되는 상기 부재 표면에 Al
2 O
3 및 Y
2 O
3 로 이루어진 막이 형성되고, 고내식성 및 절연성을 가지고, 프로세스 가스를 반도체 웨이퍼의 처리면상에 도입 및 확산시킴으로써, 플라즈마를 발생시키는 영역이나 챔버내에 수납된 부재에 생성물이 부착되지 않도록 하는 처리 장치이다.

Abstract translation: 本发明的处理装置包括用于容纳半导体晶片并且包含用于执行用于通过加热，等离子体和处理气体中的任一种来处理待处理基板的处理的构件或其组合 其中室内壁表面和暴露在室内的构件表面具有Al

公开(公告)号：KR100944572B1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：KR1020080068351

申请日：2008-07-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠키하야시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C4/11 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/507 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32495 ,  Y10T428/26

Abstract: 본 발명의 처리 장치는 반도체 웨이퍼를 수용하고, 가열, 플라즈마, 프로세스 가스 중 어느 하나, 또는 이들의 조합에 의해서 해당 피처리 기판에 가공을 실시하는 처리를 실시하기 위한 부재가 수납된 챔버를 탑재하는 장치에 있어서, 상기 챔버 내부 벽면 및 챔버내에 노출되는 상기 부재 표면에 Al
2 O
3 및 Y
2 O
3 로 이루어진 막이 형성되고, 고내식성 및 절연성을 가지고, 프로세스 가스를 반도체 웨이퍼의 처리면상에 도입 및 확산시킴으로써, 플라즈마를 발생시키는 영역이나 챔버내에 수납된 부재에 생성물이 부착되지 않도록 하는 처리 장치이다.

公开(公告)号：KR1020090098952A

公开(公告)日：2009-09-18

申请号：KR1020090083065

申请日：2009-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠키하야시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C4/11 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/507 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32495 ,  Y10T428/26

Abstract: An apparatus for processing a substrate for a semiconductor and a liquid crystal display device is provided to prevent corrosion of a chamber due to plasma or a cleaning gas by forming a thermal spraying film in an inner wall of the chamber. A substrate is received in a chamber(11). A bell jar has a spherical surface part formed in a top direction of a cylindrical part. A gas discharge hole(61) supplies a process gas to an inner part of the chamber. A high frequency power source(66) supplies a high frequency power to an antenna. An exhaust pipe(62) is connected to an exhaust device which exhausts an inner part of the chamber. A film including 3a-group element compound having corrosion resistance about a corrosion gas is included.

Abstract translation: 提供一种用于处理半导体用基板的装置和液晶显示装置，以通过在所述室的内壁中形成热喷涂膜来防止由于等离子体或清洁气体引起的室的腐蚀。 衬底被容纳在腔室（11）中。 钟罩具有沿圆柱形部分的顶部方向形成的球形表面部分。 气体排出孔（61）将处理气体供给到室的内部。 高频电源（66）向天线提供高频电力。 排气管（62）连接到排出室的内部的排气装置。 包括具有腐蚀气体腐蚀性的3a族元素化合物的膜。

公开(公告)号：KR1020090048523A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：KR1020097008625

申请日：1999-12-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠키하야시 ,  다다구니히로 ,  마츠세기미히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23C16/45514 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76871 ,  H01L23/485 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: TiSiN막은 Cu의 확산을 방지하기 위해 반도체장치에 있어서 배리어 금속층으로서 이용된다. TiSiN막은 플라즈마 CVD 또는 열CVD에 의해 성막된다. TiCl
4 가스, 수소화 규소가스 및 NH
3 가스는 열CVD에 의해 TiSiN막을 성막하는 경우에 성막가스로서 이용된다. TiCl
4 가스, 수소화 규소가스, H
2 가스 및 N
2 가스는 플라즈마 CVD에 의해 TiSiN막을 성막하는 경우에 성막가스로서 이용된다.

公开(公告)号：KR100588887B1

公开(公告)日：2006-06-13

申请号：KR1020007004870

申请日：1998-11-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠세기미히로 ,  오츠키하야시

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L29/4941 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명에 관한 반도체 장치의 배선 구조는 반도체 기판 상에 형성된 반도체 소자 또는 배선과 전기적으로 접속하는 제 1 도전층과, 제 1 도전층 상에 형성되는 배리어 메탈과, 배리어 메탈 상에 형성되고, 배리어 메탈을 거쳐서 제 1 도전층과 전기적으로 접속되는 제 2 도전층을 구비하며, 배리어 메탈은 WNx(텅스텐 질화물) 또는 WSixNy(텅스텐 실리사이드 질화물)로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR101015667B1

公开(公告)日：2011-02-22

申请号：KR1020100033986

申请日：2010-04-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠키하야시

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C4/11 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/507 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32495 ,  Y10T428/26

Abstract: 본 발명의 처리 장치는 반도체 웨이퍼를 수용하고, 가열, 플라즈마, 프로세스 가스 중 어느 하나, 또는 이들의 조합에 의해서 해당 피처리 기판에 가공을 실시하는 처리를 실시하기 위한 부재가 수납된 챔버를 탑재하는 장치에 있어서, 상기 챔버 내부 벽면 및 챔버내에 노출되는 상기 부재 표면에 Al
2 O
3 및 Y
2 O
3 로 이루어진 막이 형성되고, 고내식성 및 절연성을 가지고, 프로세스 가스를 반도체 웨이퍼의 처리면상에 도입 및 확산시킴으로써, 플라즈마를 발생시키는 영역이나 챔버내에 수납된 부재에 생성물이 부착되지 않도록 하는 처리 장치이다.

公开(公告)号：KR100944573B1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：KR1020080068339

申请日：2008-07-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠키하야시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C4/11 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/507 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32495 ,  Y10T428/26

Abstract: 본 발명의 처리 장치는 반도체 웨이퍼를 수용하고, 가열, 플라즈마, 프로세스 가스 중 어느 하나, 또는 이들의 조합에 의해서 해당 피처리 기판에 가공을 실시하는 처리를 실시하기 위한 부재가 수납된 챔버를 탑재하는 장치에 있어서, 상기 챔버 내부 벽면 및 챔버내에 노출되는 상기 부재 표면에 Al
2 O
3 및 Y
2 O
3 로 이루어진 막이 형성되고, 고내식성 및 절연성을 가지고, 프로세스 가스를 반도체 웨이퍼의 처리면상에 도입 및 확산시킴으로써, 플라즈마를 발생시키는 영역이나 챔버내에 수납된 부재에 생성물이 부착되지 않도록 하는 처리 장치이다.

公开(公告)号：KR100935258B1

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：KR1020070118140

申请日：2007-11-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠키하야시 ,  마츠다츠카사 ,  이케다교코

IPC: G01N21/00

CPC classification number: H01L21/67253 ,  G01N1/24 ,  G01N15/06 ,  G01N2015/0693

Abstract: 본 발명은, 처리 챔버(48) 내의 대기 또는 가스를 진공 펌프(98)에 의해 배기시킨 분위기를 생성하여, 그 분위기 내에서 웨이퍼 W에 대해 반도체 장치 제조에 관한 처리를 실시하는 처리 장치(40)에 구비되고, 처리 챔버(48)의 배기구(86)와 진공 펌프(98)를 연결하는 배기관(90)에 장착되어, 배기 가스중의 파티클수를 계측하는 파티클 계측 장치 및 그 계측 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020090106436A

公开(公告)日：2009-10-09

申请号：KR1020090077471

申请日：2009-08-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠키하야시 ,  마츠다츠카사 ,  이케다교코

IPC: G01N15/06 ,  G01N21/47 ,  H01L21/66

Abstract: PURPOSE: A particle measuring method and a device thereof are provided to exactly count particles discharged from a processing chamber, thereby grasping a particle generation situation with high correlation. CONSTITUTION: A particle measuring method comprises the following steps. A parameter is modeled. A locus of exhaust gas including particles flowing in an exhaust pipe is shown. A locus value simulation process of the exhaust gas and particle is performed.

Abstract translation: 目的：提供粒子测量方法及其装置，以精确地计数从处理室排出的颗粒，从而掌握高相关性的颗粒生成情况。 构成：粒子测量方法包括以下步骤。 一个参数被建模。 示出了包括在排气管中流动的颗粒的废气的轨迹。 执行排气和颗粒的轨迹值模拟处理。

公开(公告)号：KR1020080082587A

公开(公告)日：2008-09-11

申请号：KR1020080080533

申请日：2008-08-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠키하야시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C4/11 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/507 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32495 ,  Y10T428/26

Abstract: A gas discharge member is provided to prevent the corrosion of a chamber due to plasma cleaning gas by forming a sprayed film made of Al2O3 and Y2O3 on an inner wall of the chamber. A ring shaped head unit(30) is arranged in a process container. At least one ring-shaped gas channel is installed in the head unit. A gas introducing hole introduces the gas into the gas channel. Gas discharge holes(30a,30b,30c) are installed along an inner walls of the head unit. The gas discharge holes are communicated with the gas channel. The gas discharge holes discharge the gas into the process container. First, second, and third ring-shaped members are laminated on the head unit. The head unit has first and second ring-shaped channels. The gas introducing hole has first and second gas introducing holes. The gas discharge hole has first and second gas discharge holes. The first ring-shaped channel is communicated with the first gas introducing hole and the first gas discharge hole. The second ring-shaped channel is communicated with the second gas introducing hole and the second gas discharge hole.

Abstract translation: 提供一种气体排出构件，以通过在室的内壁上形成由Al 2 O 3和Y 2 O 3制成的喷涂膜来防止由于等离子体清洗气体引起的室的腐蚀。 环形头单元（30）布置在处理容器中。 在头单元中安装至少一个环形气体通道。 气体导入孔将气体引入气体通道。 气体排出孔（30a，30b，30c）沿头部单元的内壁安装。 气体排出孔与气体通道连通。 气体排放孔将气体排放到处理容器中。 第一，第二和第三环形构件层压在头单元上。 头单元具有第一和第二环形通道。 气体导入孔具有第一和第二气体导入孔。 排气孔具有第一和第二排气孔。 第一环形通道与第一气体导入孔和第一气体排出孔连通。 第二环形通道与第二气体导入孔和第二气体排出孔连通。