公开(公告)号：KR101069954B1

公开(公告)日：2011-10-04

申请号：KR1020067012569

申请日：2004-12-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토타로 ,  요시하라코우스케 ,  쿄다히데하루 ,  타케구찌히로후미 ,  오코우치아츠시

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 현상장치 및 현상방법에 관한 것으로서 기판의 유효 영역의 폭에 대응하는 길이가 슬릿 형상의 토출구를 가지는 현상액 노즐에 의해 현상액이 스캔 도포된다. 현상액이 기판상에 액활성된 상태로 일정시간 보지한 후 희석액 노즐에 의해 희석액이 스캔 도포된다. 이것에 의해 현상 반응이 실질적으로 정지함과 함께 레지스트 용해 성분이 확산된다. 현상액의 온도 조정에 의해 신속히 원하는 양의 레지스트가 용해되는 한편 소정 타이밍에서의 희석액 공급에 의해 레지스트 용해 성분에 의한 악영향이 생기기 전에 현상을 정지함으로써 선폭이 균일한 패턴을 구할 수 있고 또한 수율도 향상하는 레지스트의 종류 혹은 레지스트 패턴에 따라 현상액의 온도가 조정되는 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR101160704B1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：KR1020067012793

申请日：2004-12-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오코우치아츠시 ,  야마모토타로 ,  타케구찌히로후미 ,  쿄다히데하루 ,  요시하라쿄스케

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67051 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6719 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명은 현상장치 및 현상방법에 관한 것으로서 노광 끝난 기판을 스핀 척 에 유지해 수직축 주위에 회전시켜 긴 방향이 웨이퍼의 반경 방향과 직교하는 방향을 향한 슬릿 형상의 토출구를 가지는 현상액 노즐로부터 현상액을 토출시키면서 현상액 노즐을 웨이퍼의 외주변에서 중앙부로 향해 이동시키는 것으로 웨이퍼 표면에 현상액의 공급을 실시하여 소지름의 원형의 토출구를 가지는 노즐을 이용했을 경우에 비해 노즐의 이동 속도를 크게 할 수가 있어 현상 시간의 단축을 도모할 수 있고 또 기판상의 현상액막의 두께를 감소시킬 수가 있기 때문에 현상액을 절약할 수 있는 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020070007262A

公开(公告)日：2007-01-15

申请号：KR1020067012793

申请日：2004-12-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오코우치아츠시 ,  야마모토타로 ,  타케구찌히로후미 ,  쿄다히데하루 ,  요시하라쿄스케

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67051 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6719 ,  Y10S134/902 ,  H01L21/02057

Abstract: A development liquid nozzle is moved from an outer edge of a wafer toward the central portion while an exposed substrate held at a spin chuck is being rotated about a vertical axis and while a development liquid is being discharged from the development liquid nozzle, and this way the development liquid is supplied to the surface of the wafer, the development nozzle having a slit-like discharge opening whose longitudinal direction is oriented to the direction perpendicular to the radial direction of the wafer. The movement speed of the nozzle is higher than a case where a nozzle with a small-diameter circular nozzle is used, and this enables a development time to be reduced. Further, the thickness of a development liquid on a substrate can be reduced, so that the development liquid can be saved. ® KIPO & WIPO 2007

Abstract translation: 显影液喷嘴从晶片的外边缘向中心部分移动，同时保持在旋转卡盘处的暴露的基板绕垂直轴线旋转并且显影液体从显影液喷嘴排出，并且以这种方式 显影液被供给到晶片的表面，显影喷嘴具有狭缝状排出口，其纵向方向取向于与晶片的径向垂直的方向。 喷嘴的移动速度高于使用具有小直径圆形喷嘴的喷嘴的情况，这使得能够减少显影时间。 此外，可以减少基板上的显影液的厚度，从而可以节省显影液。 ®KIPO＆WIPO 2007

公开(公告)号：KR100876128B1

公开(公告)日：2008-12-29

申请号：KR1020020050805

申请日：2002-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시하라코우스케 ,  타나카케이이치 ,  야마모토타로 ,  쿄우다히데하루 ,  타케구치히로푸미 ,  오코우치아츠시

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  G03D3/06 ,  G03F7/3021

Abstract: In a developing processing of a wafer having a resist film low in the dissolving rate in a developing solution formed thereon and subjected to an exposure treatment, a developing solution of a low concentration is supplied first onto a wafer and the wafer is left to stand for a prescribed time to permit a developing reaction to proceed, followed by further supplying a developing solution having a concentration higher than that of the developing solution supplied first onto the wafer, leaving the substrate to stand and subsequently rinsing the wafer, thereby improving the uniformity of the line width in the central portion and the peripheral portion of the wafer.

Abstract translation: 在具有在其上形成的显影液中的溶解速率低的抗蚀剂膜并进行曝光处理的晶片的显影处理中，首先将低浓度的显影液供应到晶片上并且将晶片放置 进行规定的时间以允许显影反应进行，随后进一步将浓度高于首先供给的显影溶液的浓度的显影液供给到晶片上，留下基板并随后漂洗晶片，由此提高晶片的均匀性 晶片中央部分和周边部分的线宽。

公开(公告)号：KR1020070007260A

公开(公告)日：2007-01-15

申请号：KR1020067012569

申请日：2004-12-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토타로 ,  요시하라코우스케 ,  쿄다히데하루 ,  타케구찌히로후미 ,  오코우치아츠시

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/3028 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/6715

Abstract: Temperature of a developing liquid is regulated according to the types of a resist or a resist pattern. A developing liquid is scan-sprayed by a developing liquid nozzle having a slit-form ejection outlet with a length corresponding to the width of an effective area of a substrate. After a developing liquid piled up on the substrate and kept held for a specified time, diluent is scan-sprayed by a diluent nozzle. This substantially stops a developing reaction and diffuses a resist solution component. Thus, a desired amount of resist is quickly dissolved by the temperature regulation of a developing liquid, while developing is stopped by supplying a diluent at a specified timing before an adverse effect is caused by a resist solution component, whereby a pattern with a uniform line width can be obtained and throughput is improved. ® KIPO & WIPO 2007

Abstract translation: 显影液的温度根据抗蚀剂或抗蚀剂图案的种类进行调节。 显影液被具有狭缝形喷射出口的显影液体喷嘴扫描喷射，其长度对应于基底的有效面积的宽度。 将显影液堆积在基片上并保持一定时间后，用稀释剂喷嘴对稀释剂进行扫描。 这基本上停止显影反应并扩散抗蚀剂溶液成分。 因此，通过显影液的温度调节，所需量的抗蚀剂迅速溶解，同时通过在由抗蚀剂溶液成分引起不利影响的规定时间内供给稀释剂来停止显影，由此形成具有均匀线的图案 可以获得宽度并提高生产量。 ®KIPO＆WIPO 2007

公开(公告)号：KR1020030019138A

公开(公告)日：2003-03-06

申请号：KR1020020050805

申请日：2002-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시하라코우스케 ,  타나카케이이치 ,  야마모토타로 ,  쿄우다히데하루 ,  타케구치히로푸미 ,  오코우치아츠시

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  G03D3/06 ,  G03F7/3021

Abstract: PURPOSE: A method for developing processing and an apparatus for supplying developing solution are to provide an appropriate method for a developing processing conforming to the characteristics of the resist material relative to the developing solution. CONSTITUTION: A method for a developing processing of a resist film comprises steps of adjusting the concentration of a developing solution in accordance with the characteristics of the resist film and applying a developing processing to the resist film using the concentration-adjusted developing solution.

Abstract translation: 目的：开发处理方法和提供显影液的设备是提供一种适用于与抗蚀剂材料相对于显影液的特性一致的显影处理的方法。 构成：抗蚀剂膜的显影处理方法包括根据抗蚀剂膜的特性调节显影液的浓度并使用浓度调节显影液对抗蚀剂膜进行显影处理的步骤。