公开(公告)号：KR101254986B1

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：KR1020117007197

申请日：2009-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다미노루 ,  고노마사유키 ,  오타오슈이치로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/511 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은, 복수의 구멍을 갖는 평면 안테나에 의해 처리 용기 내에 마이크로파를 도입하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 CVD 장치를 이용하여, 처리 용기 내의 압력을 0.1Pa 이상 6.7Pa 이하의 범위 내로 설정하고, SiCl
4 가스와 질소 가스를 포함하는 성막 원료 가스를 이용하여 플라즈마 CVD를 행함으로써 막 중의 수소 원자 농도가 9.9×10
20 atoms/㎤ 이하의 질화 규소막을 형성하는 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR101254987B1

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：KR1020117007198

申请日：2009-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오타오슈이치로 ,  혼다미노루 ,  고노마사유키

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/792

Abstract: 본 발명은, 복수의 구멍을 갖는 평면 안테나(31)에 의해 처리 용기(1)에 마이크로파를 도입하는 플라즈마 CVD 장치(100)에 있어서, 처리 용기(1) 내의 압력을 10Pa 이상 133.3Pa 이하의 범위 내로 설정하고, 고주파 전원(9)으로부터, 웨이퍼(W)를 올려놓는 재치대(2)의 전극(7)에 웨이퍼(W)의 면적당 0.009W/㎠ 이상 0.64W/㎠ 이하의 범위 내의 출력 밀도로 고주파 전력을 공급하여, 웨이퍼(W)에 RF 바이어스를 인가하면서, 실리콘 함유 화합물 가스와 질소 가스를 포함하는 성막 가스를 이용하여 플라즈마 CVD를 행하는 공정을 구비한 질화 규소막의 성막 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020130000409A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：KR1020127026718

申请日：2011-03-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로 ,  오타오슈이치로 ,  사토요시히로

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/32105

Abstract: 처리 용기(1) 내를 배기 장치(24)에 의해 감압 배기하면서, 가스 공급 장치(18)의 불활성 가스 공급원(19a) 및 오존 함유 가스 공급원(19b)으로부터, 불활성 가스 및 O
2 와 O
3 의 합계의 체적에 대한 O
3 의 체적 비율이 50% 이상인 오존 함유 가스를 소정의 유량으로 가스 도입부(5)를 거쳐서 처리 용기(1) 내에 도입한다. 마이크로파 발생 장치(39)에서 발생된 소정 주파수, 예를 들어 2.45GHz의 마이크로파를, 평면 안테나(31)로부터 투과판(28)을 경유하여 처리 용기(1)로 방사하고, 불활성 가스 및 오존 함유 가스를 플라즈마한다. 이 마이크로파 여기 플라즈마에 의해 웨이퍼(W) 표면에 실리콘 산화막을 형성한다. 플라즈마 산화 처리 동안에, 탑재대(2)에 고주파 전원(44)으로부터 소정의 주파수 및 파워의 고주파 전력을 공급하여도 좋다.

公开(公告)号：KR1020110055703A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：KR1020117007198

申请日：2009-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오타오슈이치로 ,  혼다미노루 ,  고노마사유키

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/792

Abstract: 본 발명은, 복수의 구멍을 갖는 평면 안테나(31)에 의해 처리 용기(1)에 마이크로파를 도입하는 플라즈마 CVD 장치(100)에 있어서, 처리 용기(1) 내의 압력을 10Pa 이상 133.3Pa 이하의 범위 내로 설정하고, 고주파 전원(9)으로부터, 웨이퍼(W)를 올려놓는 재치대(2)의 전극(7)에 웨이퍼(W)의 면적당 0.009W/㎠ 이상 0.64W/㎠ 이하의 범위 내의 출력 밀도로 고주파 전력을 공급하여, 웨이퍼(W)에 RF 바이어스를 인가하면서, 실리콘 함유 화합물 가스와 질소 가스를 포함하는 성막 가스를 이용하여 플라즈마 CVD를 행하는 공정을 구비한 질화 규소막의 성막 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020100123889A

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：KR1020107021780

申请日：2009-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 엔도테츠오 ,  고노마사유키 ,  오타오슈이치로 ,  혼다미노루 ,  나카니시토시오

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792 ,  H01L29/66833

Abstract: 서로 이웃하는 절연막의 밴드갭의 크기가 상이한 절연막 적층체를 갖는 MOS형 반도체 메모리 장치를 제조하기 위해, 복수의 구멍을 갖는 평면 안테나(31)에 의해 챔버(1)에 마이크로파를 도입하는 플라즈마 처리 장치(100)를 이용하여, 적어도 인접하는 절연막을 형성할 때의 압력 조건과는 상이한 압력 조건으로 플라즈마 CVD를 행하여, 절연막 적층체를 구성하는 서로 이웃하는 절연막의 밴드갭의 크기를 변경하여 차례대로 형성한다.

公开(公告)号：KR101153310B1

公开(公告)日：2012-06-08

申请号：KR1020107021780

申请日：2009-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 엔도테츠오 ,  고노마사유키 ,  오타오슈이치로 ,  혼다미노루 ,  나카니시토시오

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 서로이웃하는절연막의밴드갭의크기가상이한절연막적층체를갖는 MOS형반도체메모리장치를제조하기위해, 복수의구멍을갖는평면안테나(31)에의해챔버(1)에마이크로파를도입하는플라즈마처리장치(100)를이용하여, 적어도인접하는절연막을형성할때의압력조건과는상이한압력조건으로플라즈마 CVD를행하여, 절연막적층체를구성하는서로이웃하는절연막의밴드갭의크기를변경하여차례대로형성한다.

公开(公告)号：KR1020110055702A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：KR1020117007197

申请日：2009-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다미노루 ,  고노마사유키 ,  오타오슈이치로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/511 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은, 복수의 구멍을 갖는 평면 안테나에 의해 처리 용기 내에 마이크로파를 도입하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 CVD 장치를 이용하여, 처리 용기 내의 압력을 0.1Pa 이상 6.7Pa 이하의 범위 내로 설정하고, SiCl
4 가스와 산소 함유 가스를 포함하는 성막 원료 가스를 이용하여 플라즈마 CVD를 행함으로써 수소 농도가 9.9×10
20 atoms/㎤ 이하의 질화 규소막을 형성하는 방법에 관한 것이다.