公开(公告)号：KR1020130000409A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：KR1020127026718

申请日：2011-03-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로 ,  오타오슈이치로 ,  사토요시히로

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/32105

Abstract: 처리 용기(1) 내를 배기 장치(24)에 의해 감압 배기하면서, 가스 공급 장치(18)의 불활성 가스 공급원(19a) 및 오존 함유 가스 공급원(19b)으로부터, 불활성 가스 및 O
2 와 O
3 의 합계의 체적에 대한 O
3 의 체적 비율이 50% 이상인 오존 함유 가스를 소정의 유량으로 가스 도입부(5)를 거쳐서 처리 용기(1) 내에 도입한다. 마이크로파 발생 장치(39)에서 발생된 소정 주파수, 예를 들어 2.45GHz의 마이크로파를, 평면 안테나(31)로부터 투과판(28)을 경유하여 처리 용기(1)로 방사하고, 불활성 가스 및 오존 함유 가스를 플라즈마한다. 이 마이크로파 여기 플라즈마에 의해 웨이퍼(W) 표면에 실리콘 산화막을 형성한다. 플라즈마 산화 처리 동안에, 탑재대(2)에 고주파 전원(44)으로부터 소정의 주파수 및 파워의 고주파 전력을 공급하여도 좋다.

公开(公告)号：KR1020120069754A

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：KR1020127011218

申请日：2010-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시히로 ,  시오자와도시히코 ,  니시타다츠오 ,  히로타요시히로

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/823857

Abstract: 희생 산화막의 형성과 웨트 에칭에 의한 박리, 및/또는 이산화 규소막의 형성과 웨트 에칭에 의한 박리를 실행하는 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서, 희생 산화막 및/또는 이산화 규소막의 형성을, 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에서, 산소를 포함하는 처리 가스를 이용하여 생성시킨 O(
1 D
2 ) 래디컬이 지배적인 플라즈마에 의해 실행한다.

公开(公告)号：KR100956467B1

公开(公告)日：2010-05-07

申请号：KR1020087019543

申请日：2005-03-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠야마세이지 ,  나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  아다치히카루 ,  다카츠키고이치 ,  사토요시히로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/518

Abstract: 본 발명에 있어서는, 산화막 형성 후의 기판에 대해서, 마이크로파에 의해서 발생시킨 플라즈마에 의해 질화 처리하여 산질화막을 형성할 때, 마이크로파의 공급을 단속적으로 행한다. 단속적으로 마이크로파를 공급함으로써, 전자 온도의 저하에 따른 이온 충격이 저하하고, 또한 산화막에 있어서의 질화물 시드의 확산 속도가 저하하며, 그 결과 산질화막의 기판측 계면에 질소가 집중하여 그 농도가 높게 되는 것을 억제할 수 있다. 이에 따라, 산질화막의 막질을 향상시켜 리크 전류의 저하, 동작 속도의 향상, 및 NBTI 내성의 향상을 도모하는 것이 가능하다.

Abstract translation: 在本发明中，在通过氮化处理形成氧氮化物膜时，通过该等离子体的氧化膜形成，由微波产生后的基板，并进行微波的在间歇供给。 通过提供在间歇的微波，根据电子温度还原降解离子冲击，并进一步降低在氧化膜的氮化物种子的扩散速率，并且在所得到的氧氮化物层的高的基板侧界面的氮浓度是浓度 可以压制。 因此，可以改善氮氧化物膜的膜质量，由此减小泄漏电流，提高操作速度并改善NBTI电阻。

公开(公告)号：KR1020090009283A

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：KR1020087029310

申请日：2007-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다미노루 ,  사토요시히로 ,  나카니시도시오

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/518

Abstract: Disclosed is a method for forming an insulating film, which comprises a step for forming a silicon nitride film on a silicon surface by subjecting an object substrate wherein silicon is exposed in the surface to a treatment for nitriding the silicon, a step for forming a silicon oxynitride film by heating the object substrate provided with the silicon nitride film in an N2O atmosphere, and a step for nitriding the silicon oxynitride film.

公开(公告)号：KR1020060116030A

公开(公告)日：2006-11-13

申请号：KR1020067017788

申请日：2005-03-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠야마세이지 ,  나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  아다치히카루 ,  다카츠키고이치 ,  사토요시히로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/518

Abstract: At the time of forming an oxynitride film on a substrate by nitriding the substrate with plasma generated by microwaves after forming an oxide film, the microwaves are intermittently supplied. Ion bombardment due to electron temperature reduction is reduced by intermittently supplying the microwaves, and the diffusing speed of a nitride seed in the oxide film is reduced. As a result, nitrogen concentrates on a nitride film interface on the substrate side, and the concentration increase can be suppressed. Thus, the film quality of the oxynitride film can be improved, a leak current can be reduced, and operation speed and NBTI resistance can be improved.

Abstract translation: 在通过在形成氧化膜之后通过微波产生的等离子体对基板进行氮化而在基板上形成氧氮化物膜时，间歇地供给微波。 通过间歇地供给微波来降低电子温度降低引起的离子轰击，减少氮化物种子在氧化膜中的扩散速度。 结果，氮浓缩在基板侧的氮化物膜界面上，并且可以抑制浓度增加。 因此，可以提高氮氧化物膜的膜质量，可以降低漏电流，并且可以提高操作速度和NBTI电阻。

公开(公告)号：KR102009078B1

公开(公告)日：2019-08-08

申请号：KR1020170075559

申请日：2017-06-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시히로 ,  와타나베사치오 ,  구보타마사키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L29/786

公开(公告)号：KR101380094B1

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：KR1020127011218

申请日：2010-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시히로 ,  시오자와도시히코 ,  니시타다츠오 ,  히로타요시히로

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/823857

Abstract: 희생 산화막의 형성과 웨트 에칭에 의한 박리, 및/또는 이산화 규소막의 형성과 웨트 에칭에 의한 박리를 실행하는 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서, 희생 산화막 및/또는 이산화 규소막의 형성을, 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에서, 산소를 포함하는 처리 가스를 이용하여 생성시킨 O(
1 D
2 ) 래디컬이 지배적인 플라즈마에 의해 실행한다.

公开(公告)号：KR101188574B1

公开(公告)日：2012-10-05

申请号：KR1020097013433

申请日：2007-12-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다미노루 ,  사토요시히로 ,  나카니시도시오

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115

Abstract: 절연막의 형성방법은, 표면에 실리콘이 노출된 피처리기판을 준비하는 공정과, 표면의 실리콘에 대하여 산화처리를 실시하고, 실리콘 표면에 실리콘산화막의 박막을 형성하는 공정과, 실리콘 산화막 및 그 기초인 실리콘에 대하여 제 1 질화처리를 실시하고, 실리콘산질화막을 형성하는 공정과, 실리콘산질화막에 대하여 N
2 O 분위기에서 제 1 열처리를 실시하는 공정을 포함한다. 이 방법은, 제 1 열처리 후, 실리콘산질화막에 대하여 제 2 질화처리를 실시하는 것을 또한 포함하도록 해도 좋고, 이에 더해 제 2 질화처리후의 상기 실리콘산질화막에 대하여 제 2 열처리를 실시하는 것을 또한 포함하도록 해도 좋다.

公开(公告)号：KR1020090094033A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：KR1020097014667

申请日：2007-12-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다미노루 ,  사토요시히로 ,  나카니시도시오

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/2254

Abstract: A method for forming an insulating film includes a step of preparing a substrate, which is to be processed and has silicon exposed on the surface; a step of performing first nitriding to the silicon exposed on the surface of the substrate, and forming a silicon nitride film having a thickness of 0.2nm but not more than 1nm on the surface of the substrate; and a step of performing first heat treatment to the silicon nitride film in N2O atmosphere and forming a silicon nitride film. This method may further include a step of performing second nitriding to the silicon oxynitride film, and furthermore, may include a step of performing second heat treatment to the silicon oxynitride film after the second nitriding.

Abstract translation: 一种形成绝缘膜的方法包括制备待加工的基片并且在表面上具有硅的步骤; 对在基板表面露出的硅进行第一次氮化，在基板表面形成厚度为0.2nm〜1nm的氮化硅膜的工序; 以及对N 2 O气氛中的氮化硅膜进行第一热处理并形成氮化硅膜的工序。 该方法还可以包括对氮氧化硅膜进行第二氮化的步骤，此外，可以包括在第二次氮化之后对氮氧化硅膜进行第二热处理的步骤。

公开(公告)号：KR1020090094009A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：KR1020097013433

申请日：2007-12-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다미노루 ,  사토요시히로 ,  나카니시도시오

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02225 ,  H01L21/2254

Abstract: A method for forming an insulating film includes a step of preparing a substrate, which is to be processed and has silicon exposed on the surface; a step of performing oxidizing to the silicon on the surface, and forming a silicon oxide thin film on the surface of the silicon; a step of performing first nitriding to the silicon oxide film and the base silicon thereof, and forming a silicon oxynitride film; and a step of performing first heat treatment to the silicon oxynitride film in N2O atmosphere. In such method, a step of performing second nitriding to the silicon oxynitride film may be further included after the first heat treatment, and furthermore, a step of performing second heat treatment to the silicon oxynitride film after the second nitriding may be included.

Abstract translation: 一种形成绝缘膜的方法包括制备待加工的基片并且在表面上具有硅的步骤; 对表面上的硅进行氧化，在硅表面形成氧化硅薄膜的工序; 对氧化硅膜及其基底硅进行氮化的步骤，形成氮氧化硅膜; 以及在N 2 O气氛中对氮氧化硅膜进行第一热处理的工序。 在这种方法中，可以在第一热处理之后进一步包括对氮氧化硅膜进行第二氮化的步骤，此外，可以包括在第二次氮化之后对氮氧化硅膜进行第二次热处理的步骤。