公开(公告)号：KR1020150101927A

公开(公告)日：2015-09-04

申请号：KR1020150021628

申请日：2015-02-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우다히로시 ,  츠지모토히로시 ,  하라다아키토시 ,  야쿠시지히데아키 ,  스기야마마사하루

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32862 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/3065 ,  H01L2224/80013

Abstract: 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에 잔류하는 Ti 함유 반응물을 간편하고 또한 효율적으로 제거하는 것이다. Low-k막의 에칭 가공에서, 드라이 에칭 공정(S
2 )을 종료한 직후에, 반도체 웨이퍼를 정전 척(40) 상에 보지한 채로 웨이퍼가 있는 드라이 클리닝의 프로세스를 실행한다(단계(S
3 )). 이 웨이퍼가 있는 드라이 클리닝 공정(S
3 )은 주로 챔버(10) 내에 잔류하고 있는 Ti 함유 반응물을 제거하기 위하여, 처리 가스 공급부(70)로부터 H
2 가스와 N
2 가스를 소정의 유량비로 포함하는 클리닝 가스를 챔버(10) 내로 도입하고, 플라즈마 생성용의 제 1 고주파(HF)를 소정의 파워로 서셉터(12)에 인가하여, 챔버(10) 내에서 클리닝 가스의 고주파 방전에 의한 플라즈마를 생성한다.

Abstract translation: 本发明的目的是简单有效地除去留在等离子体处理装置的处理容器中的含Ti反应物。 在Low-k膜的蚀刻工艺中，刚刚在干蚀刻工艺（S_2）完成之后，随着半导体晶片被保持在静电吸盘（40）（S_3）上，进行用晶片干法的处理。 与晶片的干洗处理（S_3）将来自处理气体供给部（70）的包含H_2气体和固定通量比的N_2气体的清洗气体引入到室（10）中，以除去剩余的含Ti反应物 在所述室（10）中，通过以固定的功率强度施加用于等离子体产生的第一高频（HF）到基座（12），通过高频放电来产生等离子体，以清洁气体在室（10）中。