公开(公告)号：KR1020100054109A

公开(公告)日：2010-05-24

申请号：KR1020090109931

申请日：2009-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  나가이케히로시 ,  야쿠시지히데아키

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67288 ,  G01N21/91 ,  G01N21/94 ,  G01N21/9501

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for detecting foreign materials and a storage medium are provided to detect a fine material which is over detection limit of a conventional measuring device. CONSTITUTION: In spraying step, oils and fats-type substance or an organic solvent(55) containing a halogen element on the surface of a substrate(W). In condense step, foreign materials to which the oils and fats-type substance or the organic solvent are attached are outstood by controlling the temperature of the surface of the substrate. In an inspection step, the foreign materials to which the oils and fats-type substance or the organic solvent are attached are detected by a surface inspection system.

Abstract translation: 目的：提供用于检测异物和存储介质的方法和装置，以检测传统测量装置超过检测限的细材料。 构成：在喷雾步骤中，在基材表面（W）上含有卤素元素的油和脂肪型物质或有机溶剂（55）。 在冷凝步骤中，通过控制基材表面的温度来了解附着有油和脂肪型物质或有机溶剂的异物。 在检查步骤中，通过表面检查系统检测附着有油和脂肪型物质或有机溶剂的异物。

公开(公告)号：KR101122978B1

公开(公告)日：2012-03-16

申请号：KR1020090109931

申请日：2009-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  나가이케히로시 ,  야쿠시지히데아키

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67288 ,  G01N21/91 ,  G01N21/94 ,  G01N21/9501

Abstract: 기존의 계측 장치에 있어서의 검출 한계 이하의 미소한 이물이라도 안정하고 또한 정확하게 검출할 수 있는 범용성이 높은 이물 검출 방법을 제공한다.
웨이퍼 W의 표면에 할로겐 원소를 함유하는 유지형상 물질 또는 유기용매를 분무하고, 웨이퍼 W의 표면 온도를 조정해서 분무된 유지형상 물질 또는 유기용매를 웨이퍼 W 표면에 부착된 파티클 P의 주위에 응축시켜 파티클 P를 강조하고, 강조된 파티클 P를 표면 검사 장치를 이용해서 광학적으로 검출한다.

公开(公告)号：KR1020160084802A

公开(公告)日：2016-07-14

申请号：KR1020150186298

申请日：2015-12-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카야마다카미츠 ,  하라다아키토시 ,  야쿠시지히데아키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32706

Abstract: 직류전압(HV)을인가할때의기판주변에의파티클의인입을억제하는것을목적으로한다. 플라즈마처리가행해지는챔버내에기판을반입하는공정과, 기판을배치하는배치대에, 플라즈마여기용고주파전력의주파수보다낮은주파수의바이어스용고주파전력을인가하는공정과, 상기배치대상의기판을정전흡착하는정전척에직류전압을인가하는공정을포함하고, 상기직류전압을인가하는공정은, 상기바이어스용고주파전력을인가하는공정후에실행되는, 플라즈마처리방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明的目的是在施加直流电压时抑制颗粒在基板周围的流入。 提供了一种等离子体处理方法，其包括以下步骤：将基板装载到执行等离子体处理的室中; 将具有低于用于等离子体激发的高频激励功率的频率的高频偏置功率施加到其上安装有基板的安装台; 并将直流电压施加到静电吸盘上，以静电吸收安装台上的基板。 在施加高频偏置功率的步骤之后执行施加直流电压的步骤。

公开(公告)号：KR1020150101927A

公开(公告)日：2015-09-04

申请号：KR1020150021628

申请日：2015-02-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우다히로시 ,  츠지모토히로시 ,  하라다아키토시 ,  야쿠시지히데아키 ,  스기야마마사하루

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32862 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/3065 ,  H01L2224/80013

Abstract: 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에 잔류하는 Ti 함유 반응물을 간편하고 또한 효율적으로 제거하는 것이다. Low-k막의 에칭 가공에서, 드라이 에칭 공정(S
2 )을 종료한 직후에, 반도체 웨이퍼를 정전 척(40) 상에 보지한 채로 웨이퍼가 있는 드라이 클리닝의 프로세스를 실행한다(단계(S
3 )). 이 웨이퍼가 있는 드라이 클리닝 공정(S
3 )은 주로 챔버(10) 내에 잔류하고 있는 Ti 함유 반응물을 제거하기 위하여, 처리 가스 공급부(70)로부터 H
2 가스와 N
2 가스를 소정의 유량비로 포함하는 클리닝 가스를 챔버(10) 내로 도입하고, 플라즈마 생성용의 제 1 고주파(HF)를 소정의 파워로 서셉터(12)에 인가하여, 챔버(10) 내에서 클리닝 가스의 고주파 방전에 의한 플라즈마를 생성한다.

Abstract translation: 本发明的目的是简单有效地除去留在等离子体处理装置的处理容器中的含Ti反应物。 在Low-k膜的蚀刻工艺中，刚刚在干蚀刻工艺（S_2）完成之后，随着半导体晶片被保持在静电吸盘（40）（S_3）上，进行用晶片干法的处理。 与晶片的干洗处理（S_3）将来自处理气体供给部（70）的包含H_2气体和固定通量比的N_2气体的清洗气体引入到室（10）中，以除去剩余的含Ti反应物 在所述室（10）中，通过以固定的功率强度施加用于等离子体产生的第一高频（HF）到基座（12），通过高频放电来产生等离子体，以清洁气体在室（10）中。

公开(公告)号：KR100996064B1

公开(公告)日：2010-11-22

申请号：KR1020080041757

申请日：2008-05-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마와쿠쥰 ,  모리야츠요시 ,  야쿠시지히데아키 ,  아베가즈마사

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 수분을 원인으로 하는 불량을 야기하지 않고, 진공 흡인 시간을 단축할 수 있는 진공 흡인 방법을 제공한다.
챔버(11)를 구비하는 진공 처리 장치(10)에서, 챔버(11) 내의 진공 흡인시, APC 밸브(16)에 의해서 일정한 시간, 예컨대, 수십초 동안에 걸쳐 챔버(11) 내의 압력을 6.7∼13.3×10
2 Pa(5∼10Torr)로 유지하고(압력 유지), 이어서, 챔버(11) 내에 가열 가스를 급속하게 도입하여 챔버(11) 내를 1.3∼2.7×10
4 Pa(100∼200Torr)까지 급속하게 승압시키고(급속 승압), 시간 T1로부터 시간 T2까지의 동안에, 압력 유지와 급속 승압을 복수회 반복한다.

公开(公告)号：KR1020160078910A

公开(公告)日：2016-07-05

申请号：KR1020150185257

申请日：2015-12-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하가히로후미 ,  나카오노부타카 ,  야쿠시지히데아키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67069 ,  A61L2/14 ,  A61L2/24 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/67017 ,  Y10T137/0379 ,  Y10T137/86002 ,  Y10T137/86027 ,  Y10T137/86083

Abstract: 수분을응고시키지않도록진공처리실내를소정의압력까지강압시키는것을목적으로한다. 진공처리실을갖는진공처리장치의진공배기방법으로서, 상기진공처리실과배기장치를접속하는밸브를개방하고, 그배기장치에의해제1 소정시간그 진공처리실내를진공배기하는제1 공정과, 상기제1 공정후에상기밸브를폐쇄하고, 제2 소정시간방치하여진공처리실(11) 내의승압을촉진하는제2 공정을가지며, 상기진공처리실내의수분을응고시키지않고상기진공처리실내의압력이 6.7 Pa∼13.3×10Pa가될 때까지강압하는진공배기방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明的目的是将真空处理室内的压力降低至不凝结水分的预定压力。 提供一种具有真空处理室的真空排气方法，该真空处理室包括：打开用于将排气装置与真空处理室连接的阀的第一过程，以及在第一预定时间段内通过排气排出真空处理室内的真空 仪器; 以及在第一处理之后关闭阀的第二过程，并且通过将阀关闭第二预定时间段来加速真空处理室（11）内的压力，从而降低真空处理室内的压力，直到 压力变为6.7-13.3×10 -2 Pa，而不会使真空处理室内的水分凝结。

公开(公告)号：KR1020150071655A

公开(公告)日：2015-06-26

申请号：KR1020140181418

申请日：2014-12-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시마사노리 ,  히다츠요시 ,  다케모토노보루 ,  야쿠시지히데아키 ,  린치아흥 ,  하라다아키토시

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32834 ,  H01J37/32844 ,  H01J37/32871 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 본발명은, 배기효율을유지하면서, 파티클이처리용기내에진입하는것을방지할수 있는입자역류방지부재를제공하는것을과제로한다. 처리용기와배기장치를연통시키는배기관의내부에배치되는입자역류방지부재로서, 제1 판형부재와, 개구부를가지며, 제1 판형부재에대하여제1 간극을두고배기장치측에배치되는제2 판형부재를가지며, 개구부는, 평면에서볼 때제1 판형부재에의해덮여있는입자역류방지부재가제공된다.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种能够防止颗粒进入处理容器同时保持排气效率的颗粒防回流部件。 作为布置在排气管中以将处理容器连接到排气装置的颗粒防回流构件，设置有包括第一平面构件和第二平面构件的颗粒防回流构件，该第一平面构件和第二平面构件包括开口部并布置在 所述排气装置相对于所述第一平面构件具有第一间隙。 开口部分由平面的第一平面构件覆盖。

公开(公告)号：KR1020080107996A

公开(公告)日：2008-12-11

申请号：KR1020080041757

申请日：2008-05-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마와쿠쥰 ,  모리야츠요시 ,  야쿠시지히데아키 ,  아베가즈마사

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: An absorbing method and a storage medium are provided to decrease the time required for the vacuum suction without causing the fault based on the moisture. An absorbing method of the vacuum processing device including vacuum process room includes the following steps: the first pressure adjustment step which is the sub atmospheric pressure and maintains the pressure within the vacuum process room over 6.7Î102 Pa (5Torr) in the vacuum suction; the second pressure adjustment step which boosts up the pressure in the vacuum process room higher than the pressure of the first pressure adjustment step and lower than the pressure of the sub atmospheric pressure, following the first pressure adjustment step.

Abstract translation: 提供一种吸收方法和存储介质，以减少真空抽吸所需的时间，而不会导致基于湿气的故障。 包括真空处理室的真空处理装置的吸收方法包括以下步骤：作为次大气压的第一压力调节步骤，并且在真空处理室内保持在真空吸附过程中的最大吸力为6.7〜102Pa（5Torr）的压力; 所述第二压力调节步骤在所述第一压力调节步骤之后，将所述真空处理室中的压力升高到高于所述第一压力调节步骤的压力并且低于所述次大气压的压力。