公开(公告)号：KR1020100125464A

公开(公告)日：2010-11-30

申请号：KR1020107024142

申请日：2009-01-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시모무라고지 ,  우에노데츠지 ,  아오야마신타로 ,  나카무라겐지

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31645 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 성막 방법은 실리콘 기판 표면에 산화막을 형성하는 공정과, 상기 산화막을 에칭하고, 상기 산화막에 의해 계면 산화막을, XPS법으로 측정한 상기 계면 산화막의 막 두께가 6.7Å 이하이고 6.0Å 이상이 되도록 형성하는 공정과, 상기 계면 산화막 상에 HfO
2 막을 MOCVD법에 의해 산화 분위기 중에서 형성하는 공정을 포함한다.