-
公开(公告)号:KR1020100125464A
公开(公告)日:2010-11-30
申请号:KR1020107024142
申请日:2009-01-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/316 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/31645 , H01L21/28194 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/78
Abstract: 성막 방법은 실리콘 기판 표면에 산화막을 형성하는 공정과, 상기 산화막을 에칭하고, 상기 산화막에 의해 계면 산화막을, XPS법으로 측정한 상기 계면 산화막의 막 두께가 6.7Å 이하이고 6.0Å 이상이 되도록 형성하는 공정과, 상기 계면 산화막 상에 HfO
2 막을 MOCVD법에 의해 산화 분위기 중에서 형성하는 공정을 포함한다.-
公开(公告)号:KR100633891B1
公开(公告)日:2006-10-13
申请号:KR1020047012091
申请日:2003-02-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
CPC classification number: G05D7/0635 , C23C16/4402 , C23C16/4481 , Y10T137/0419 , Y10T137/4259 , Y10T137/7759
Abstract: 본 발명은 기화된 액체 소스를 사용하는 성막 처리 장치에 있어서, 액체 소스의 유량을 제어하는 매스 플로우 컨트롤러(15) 등의 유량 제어기기의 유량 제어 정밀도의 확인을, 해당 유량 제어기기를 배관으로부터 분리하거나 배관을 분해하지 않고 실행할 수 있는 구성을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다. 액체 소스 공급로(12)로 세정액을 공급하기 위한 세정액 공급로(32)의 일부를 바이패스하는 바이패스로(41)를 설치하고, 거기에 MFM(42) 등의 유량계를 설치한다. MFM(42)을 통해서 세정액을 매스 플로우 컨트롤러(15)로 흐르게 하고, MFM(42)에 의해서 검출된 세정액 유량과 매스 플로우 컨트롤러(15)에 설정된 목표 유량을 비교함으로써, 매스 플로우 컨트롤러(15)가 정상적으로 동작하고 있는가 아닌가를 확인한다.
매스 플로우 컨트롤러, 액체 소스, 세정액-
公开(公告)号:KR1020040074140A
公开(公告)日:2004-08-21
申请号:KR1020047012091
申请日:2003-02-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
CPC classification number: G05D7/0635 , C23C16/4402 , C23C16/4481 , Y10T137/0419 , Y10T137/4259 , Y10T137/7759
Abstract: 본 발명은 기화된 액체 소스를 사용하는 성막 처리 장치에 있어서, 액체 소스의 유량을 제어하는 매스 플로우 컨트롤러(15) 등의 유량 제어기기의 유량 제어 정밀도의 확인을, 해당 유량 제어기기를 배관으로부터 분리하거나 배관을 분해하지 않고 실행할 수 있는 구성을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다. 액체 소스 공급로(12)로 세정액을 공급하기 위한 세정액 공급로(32)의 일부를 바이패스하는 바이패스로(41)를 설치하고, 거기에 MFM(42) 등의 유량계를 설치한다. MFM(42)을 통해서 세정액을 매스 플로우 컨트롤러(15)로 흐르게 하고, MFM(42)에 의해서 검출된 세정액 유량과 매스 플로우 컨트롤러(15)에 설정된 목표 유량을 비교함으로써, 매스 플로우 컨트롤러(15)가 정상적으로 동작하고 있는가 아닌가를 확인한다.
-
-