公开(公告)号：KR100915252B1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：KR1020010055142

申请日：2001-09-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구와다도모나오 ,  요네다마사타케 ,  니시모리다카시

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45572

Abstract: 본 발명은 피처리체에 대해 성막 처리를 실시하기 위한 처리 챔버의 천정부에 설치되어 소정 가스를 공급하는 샤워 헤드 구조체로서, 복수의 가스 분사 구멍이 개구된 저부를 갖는 컵 형상으로 형성되고, 그 컵 형상의 개구측에 상기 천정부로의 장착용 접합 플랜지부가 일체적으로 형성된 헤드 본체와, 상기 헤드 본체의 저부 근방에 설치되어, 상기 헤드 본체를 원하는 온도로 조정하는 헤드 가열부를 구비하고, 저온하에서의 재현성을 향상시킨 성막 처리와 고온하에서의 반응 부생성물의 제거를 실행하는 샤워 헤드 구조체이다.

公开(公告)号：KR1020120062915A

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：KR1020127010860

申请日：2010-09-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키미키오 ,  니시모리다카시 ,  유아사히데키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/18 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556

Abstract: 성막 원료로서 니켈아미디네이트를 이용하고, 환원 가스로서 암모니아, 히드라진, 및 이러한 유도체에서 선택된 적어도 1종을 이용한 CVD에 의해 기판 상에 질소를 포함한 Ni막을 성막하는 공정과, 성막된 질소를 포함하는 Ni막에 수소 가스를 공급하여, Ni를 촉매로서 원자형상 수소를 생성시키고, 생성한 원자형상 수소에 의해 상기 질소를 포함하는 Ni막으로부터 질소를 이탈시키는 공정을 포함하는 사이클을, 1회 또는 복수회 실행한다.

公开(公告)号：KR1020080110903A

公开(公告)日：2008-12-19

申请号：KR1020087027767

申请日：2007-05-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다치바나미츠히로 ,  니시모리다카시

IPC: C23C16/14 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45544 ,  H01L21/28556

Abstract: A film forming method is provided with a step of placing a subject to be processed in a processing container which can be vacuumized by exhaustion, and a film forming step wherein a tungsten film is formed on the surface of the subject by supplying a tungsten containing gas and a reducing gas into the processing container and activating the reducing gas by a heated catalytic body. ® KIPO & WIPO 2009

Abstract translation: 提供一种成膜方法，其具有将待处理对象放置在可通过排气被抽真空的处理容器中的步骤;以及成膜步骤，其中通过提供含钨气体在被检体的表面上形成钨膜 以及还原气体进入处理容器并通过加热的催化剂体活化还原气体。 ®KIPO＆WIPO 2009

公开(公告)号：KR100907968B1

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：KR1020080073220

申请日：2008-07-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구와다도모나오 ,  요네다마사타케 ,  니시모리다카시

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45572

Abstract: There is disclosed a shower head structure, disposed on a ceiling portion of a process chamber for subjecting a material to be treated to a film forming process, for supplying a predetermined gas, the structure comprising a head main body formed in a cup shape having a bottom with a plurality of gas injection holes opened therein, and formed integrally with a joining flange portion to be attached to the ceiling portion of the process chamber on an opening side of the cup shape, and a head heating portion, disposed on the bottom of the head main body, for adjusting the head main body at a desired temperature, so that the film forming process for enhancing reproducibility under a low temperature is performed and a reactive byproduct is removed under a high temperature.

Abstract translation: 本发明公开了一种喷淋头结构，其设置在处理室的顶部上，用于对待处理材料进行成膜处理，用于供给预定的气体，该结构包括：形成为杯状的头部主体，该头部主体具有 底部具有多个在其中开口的气体喷射孔，并且与在杯形的开口侧上附接到处理室的顶部的接合凸缘部一体地形成;以及头部加热部，其设置在底部上 头主体，用于将头主体调整在期望的温度，从而执行用于在低温下提高再现性的成膜过程，并且在高温下去除反应副产物。

公开(公告)号：KR1020080025756A

公开(公告)日：2008-03-21

申请号：KR1020087003005

申请日：2006-07-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다치바나미츠히로 ,  스기우라마사히토 ,  니시모리다카시 ,  사토고히치

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/285 ,  C23C16/08

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: It is intended to form a metallic film with resistance lower than in the prior art through controlling of crystal structure. The method may comprise the first tungsten film forming step and the second tungsten film forming step. In the first tungsten film forming step, the step of feeding, for example, WF6 gas as a metallic raw material gas and the step of feeding, for example,SiH4 gas as a hydrogen compound gas are alternately repeatedly carried out with the purging step of feeding an inert gas, for example, Ar gas or N2 gas interposed between the above steps to thereby form the first tungsten film containing amorphous matter. In the second tungsten film forming step, the WF6 gas and a reducing gas, for example, H 2 gas are simultaneously fed over the first tungsten film so as to form the second tungsten film. The ratio of amorphous matter contained in the first tungsten film is controlled by varying the execution time of the purging step ensuing the step of feeding SiH4 gas. ® KIPO & WIPO 2008

Abstract translation: 旨在通过控制晶体结构形成具有比现有技术更低的电阻的金属膜。 该方法可以包括第一钨膜形成步骤和第二钨膜形成步骤。 在第一钨成膜工序中，例如将作为金属原料气体的WF 6气体进料的步骤和例如作为氢化合物气体的SiH 4气体的供给步骤交替反复进行， 在上述步骤之间插入惰性气体，例如Ar气体或N 2气体，从而形成含有无定形物质的第一钨膜。 在第二钨膜形成工序中，将WF 6气体和还原气体例如H 2气体同时供给到第一钨膜上，形成第二钨膜。 包含在第一钨膜中的无定形物的比率通过改变进行SiH 4气体的步骤之后的清洗步骤的执行时间来控制。 ®KIPO＆WIPO 2008

公开(公告)号：KR100919331B1

公开(公告)日：2009-09-25

申请号：KR1020080073222

申请日：2008-07-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구와다도모나오 ,  요네다마사타케 ,  니시모리다카시

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45572

Abstract: 본 발명은 피처리체에 대해 성막 처리를 실시하기 위한 처리 챔버의 천정부에 설치되어 소정 가스를 공급하는 샤워 헤드 구조체로서, 복수의 가스 분사 구멍이 개구된 저부를 갖는 컵 형상으로 형성되고, 그 컵 형상의 개구측에 상기 천정부로의 장착용 접합 플랜지부가 일체적으로 형성된 헤드 본체와, 상기 헤드 본체의 저부 근방에 설치되어, 상기 헤드 본체를 원하는 온도로 조정하는 헤드 가열부를 구비하고, 저온하에서의 재현성을 향상시킨 성막 처리와 고온하에서의 반응 부생성물의 제거를 실행하는 샤워 헤드 구조체이다.

公开(公告)号：KR101130897B1

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：KR1020087027767

申请日：2007-05-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다치바나미츠히로 ,  니시모리다카시

IPC: C23C16/14 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45544 ,  H01L21/28556

Abstract: 본 발명은, 진공 배기가 가능하게 이루어진 처리 용기 내에 피처리체를 탑재하는 공정, 및 상기 처리 용기 내로 텅스텐 함유 가스와 환원 가스를 공급함과 아울러, 상기 환원 가스를 가열된 촉매체에 의해서 활성화시켜, 상기 피처리체의 표면에 텅스텐막을 형성하는 성막 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 성막 방법이다.

公开(公告)号：KR100991566B1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：KR1020087003005

申请日：2006-07-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다치바나미츠히로 ,  스기우라마사히토 ,  니시모리다카시 ,  사토고히치

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/285 ,  C23C16/08

CPC classification number: C23C16/14 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 결정 구조를 컨트롤함으로써 종래 이상으로 낮은 저항을 갖는 금속계막을 형성한다. 금속계 원료 가스로서 예컨대 WF
6
가스를 공급하는 단계와 수소 화합물 가스로서 예컨대 SiH
4
가스를 공급하는 단계를 불활성 가스 예컨대 Ar 가스, N
2 가스를 공급하는 퍼지 단계를 개재시켜 교대로 반복 실행함으로써 비정질을 포함하는 제1 텅스텐막을 형성하는 제1 텅스텐막 형성 단계와, 제1 텅스텐막 상에 상기 WF
6
가스와 환원성 가스로서 예컨대 H
2
가스를 동시에 공급함으로써 제2 텅스텐막을 형성하는 제2 텅스텐막 형성 단계를 포함한다. SiH
4
가스를 공급하는 단계 이후의 퍼지 단계의 실행 시간을 바꿈으로써 제1 텅스텐막이 포함하는 비정질의 비율을 컨트롤한다.

公开(公告)号：KR100919330B1

公开(公告)日：2009-09-25

申请号：KR1020080073221

申请日：2008-07-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구와다도모나오 ,  요네다마사타케 ,  니시모리다카시

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45572

Abstract: 본 발명은 피처리체에 대해 성막 처리를 실시하기 위한 처리 챔버의 천정부에 설치되어 소정 가스를 공급하는 샤워 헤드 구조체로서, 복수의 가스 분사 구멍이 개구된 저부를 갖는 컵 형상으로 형성되고, 그 컵 형상의 개구측에 상기 천정부로의 장착용 접합 플랜지부가 일체적으로 형성된 헤드 본체와, 상기 헤드 본체의 저부 근방에 설치되어, 상기 헤드 본체를 원하는 온도로 조정하는 헤드 가열부를 구비하고, 저온하에서의 재현성을 향상시킨 성막 처리와 고온하에서의 반응 부생성물의 제거를 실행하는 샤워 헤드 구조체이다.

公开(公告)号：KR1020080083243A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：KR1020080073222

申请日：2008-07-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구와다도모나오 ,  요네다마사타케 ,  니시모리다카시

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45572

Abstract: A shower head structure and a gas processing apparatus are provided to prevent the friction between members by forming an adiabatic material including a resin in a gap between the members. A process chamber performs a substrate treatment process. The process chamber includes a shower head installed therein in order to supply a process gas. A gas injection unit includes a plurality of gas injection holes(94) which are formed at a bottom part of the shower head. A junction unit is formed at a top end of the shower head in order to install the shower head at a top end of the process chamber. A sidewall part and the shower head are formed with one body. The sidewall part includes a concave part(118) for reducing a sectional surface thereof.

Abstract translation: 提供了一种淋浴头结构和气体处理装置，以通过在构件之间的间隙中形成包括树脂的绝热材料来防止构件之间的摩擦。 处理室进行基板处理工艺。 处理室包括安装在其中以供应处理气体的淋浴喷头。 气体喷射单元包括形成在喷淋头的底部的多个气体喷射孔（94）。 接头单元形成在淋浴头的顶端，以将淋浴头安装在处理室的顶端。 侧壁部分和淋浴头形成有一个主体。 侧壁部分包括用于减小其截面的凹部（118）。