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公开(公告)号:KR100762522B1
公开(公告)日:2007-10-01
申请号:KR1020060021016
申请日:2006-03-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67742 , G03F7/162 , H01L21/6715 , H01L21/67173 , H01L21/67178
Abstract: 상하에 반사 방지막을 형성하는데 있어서, 반사 방지막을 형성하는 경우, 하지 않는 경우 중 어디에도 대응할 수 있고, 공간 절약화를 도모할 수 있는 도포, 현상 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명의 도포, 현상 장치에 있어서, 처리 블록(S2)에, 3층의 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)과, 2층의 현상 처리용의 단위 블록(B1, B2)을 서로 적층하여 마련한다. 상기 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)의 각각에는, 레지스트막의 하방측 또는 상방측의 반사 방지막을 형성하는 제 1 또는 제 2 반사 방지막 유닛(31, 33)과, 도포 유닛(32)이 마련되어 있기 때문에, 레지스트막의 상하에 반사 방지막을 형성하는데 있어서, 공간 절약화를 도모할 수 있고, 또한 반사 방지막을 형성하는 경우, 하지 않는 경우 중 어디에도 대응할 수 있다.-
公开(公告)号:KR1020060097613A
公开(公告)日:2006-09-14
申请号:KR1020060021016
申请日:2006-03-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67742 , G03F7/162 , H01L21/6715 , H01L21/67173 , H01L21/67178
Abstract: 상하에 반사 방지막을 형성하는데 있어서, 반사 방지막을 형성하는 경우, 하지 않는 경우 중 어디에도 대응할 수 있고, 공간 절약화를 도모할 수 있는 도포, 현상 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명의 도포, 현상 장치에 있어서, 처리 블록(S2)에, 3층의 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)과, 2층의 현상 처리용의 단위 블록(B1, B2)을 서로 적층하여 마련한다. 상기 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)의 각각에는, 레지스트막의 하방측 또는 상방측의 반사 방지막을 형성하는 제 1 또는 제 2 반사 방지막 유닛(31, 33)과, 도포 유닛(32)이 마련되어 있기 때문에, 레지스트막의 상하에 반사 방지막을 형성하는데 있어서, 공간 절약화를 도모할 수 있고, 또한 반사 방지막을 형성하는 경우, 하지 않는 경우 중 어디에도 대응할 수 있다.
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