公开(公告)号：KR100728547B1

公开(公告)日：2007-06-15

申请号：KR1020057012922

申请日：2004-12-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  이이노다다시 ,  사이토유스케 ,  나카모리미츠노리 ,  유치다노리타카 ,  오리이다케히코

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/304

CPC classification number: G03F7/427 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명은 ArF 레지스트막을 수반한 웨이퍼로부터 이 ArF 레지스트막을 제거하는 처리 방법에 관한 것이다.
ArF 레지스트막에 자외선 조사 처리를 실시하고, 이어서 ArF 레지스트막에 오존 가스와 수증기를 공급하여 처리함으로써, 이 ArF 레지스트막을 수용성으로 변성시킨다. 그 후, 수용성으로 변성된 ArF 레지스트막에 순수를 공급함으로써, ArF 레지스트막을 기판으로부터 박리한다.

公开(公告)号：KR1020060009232A

公开(公告)日：2006-01-31

申请号：KR1020057012922

申请日：2004-12-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  이이노다다시 ,  사이토유스케 ,  나카모리미츠노리 ,  유치다노리타카 ,  오리이다케히코

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/304

CPC classification number: G03F7/427 ,  H01L21/31138

Abstract: Disclosed is a processing method for removing an ArF resist film from a wafer having such an ArF resist film. The ArF resist film is irradiated with an ultraviolet light, and then treated with an ozone gas and water vapor supplied thereto, so that the ArF resist film is modified into a water-soluble one. By supplying a purified water to the thus-modified water-soluble ArF resist film, the ArF resist film is removed from the substrate.

Abstract translation: 公开了从具有这种ArF抗蚀剂膜的晶片去除ArF抗蚀剂膜的处理方法。 用紫外线照射ArF抗蚀剂膜，然后用供给其的臭氧气体和水蒸气进行处理，使得ArF抗蚀剂膜被改性为水溶性膜。 通过向经过改性的水溶性ArF抗蚀剂膜提供净化水，从基板除去ArF抗蚀剂膜。