도금 처리 장치 및 도금 처리 방법 그리고 도금 처리 프로그램을 기록한 기록 매체
    4.
    发明公开
    도금 처리 장치 및 도금 처리 방법 그리고 도금 처리 프로그램을 기록한 기록 매체 有权
    电镀设备,镀层方法和记录介质的记录介质

    公开(公告)号:KR1020130139955A

    公开(公告)日:2013-12-23

    申请号:KR1020137010818

    申请日:2011-08-24

    Abstract: 본 발명은, 기판(2)의 표면으로 도금 처리액을 공급하여 도금 처리를 행하는 도금 처리 장치(1)이다. 도금 처리 장치(1)는, 기판(2)을 회전 보지하는 기판 회전 보지 수단(25)과, 기판(2)의 표면으로 조성이 상이한 복수 종류의 도금 처리액을 공급하는 복수의 도금 처리액 공급 수단(29, 30)과, 기판(2)으로부터 비산한 도금 처리액을 종류마다 배출하는 도금 처리액 배출 수단(31)과, 기판 회전 보지 수단(25), 복수의 도금 처리액 공급 수단(29, 30) 및 도금 처리액 배출 수단(31)을 제어하는 제어 수단(32)을 가진다. 기판(2)을 회전 보지한 상태인 채로 상이한 도금 처리액을 기판(2)의 표면으로 차례로 공급하여 기판(2)의 표면에 순차적으로 복수의 도금 처리를 실시한다.

    Abstract translation: 电镀装置1可以通过将电镀液供给到基板2的表面来进行电镀处理。电镀装置1包括:基板旋转保持器,其被构造成保持和旋转基板2; 电镀液供给单元29,30,被配置为向基板2的表面供给不同种类的电镀液; 电镀液排出单元31,其被配置为根据电镀液的种类排出从基板2分散的镀液; 以及控制器32,被配置为控制基板旋转保持器25,电镀液供给单元29和30,电镀液排出单元31.在保持基板2并旋转的同时,在基板2的表面上进行电镀处理 依次通过将不同种类的电镀液体供给到基板2的表面上。

    전자 빔 처리 방법 및 전자 빔 처리 장치
    6.
    发明公开
    전자 빔 처리 방법 및 전자 빔 처리 장치 失效
    电子束处理方法和防止S值中k值和化学抗性降解的装置

    公开(公告)号:KR1020040084795A

    公开(公告)日:2004-10-06

    申请号:KR1020040020177

    申请日:2004-03-25

    CPC classification number: H01L21/31058 Y10S430/143

    Abstract: PURPOSE: An electron beam processing method and apparatus are provided to prevent the degradation of a k-value and chemical-resistance in an SOD(Spin On Dielectric) film by irradiating electron beams on the SOD film through a methane gas. CONSTITUTION: An organic material film is formed on a wafer(W). The organic material film is treated by irradiating electron beams thereon. At this time, the electron beams are irradiated through a hydrocarbon radical generating gas. The hydrocarbon radical generating gas is a low molecular weight hydrocarbon-based gas. The low molecular weight hydrocarbon-based gas is a methane gas. The organic material film is a low-k film.

    Abstract translation: 目的:提供一种电子束处理方法和装置,用于通过甲烷气体在SOD膜上照射电子束来防止SOD(旋转介质)膜中的k值和耐化学腐蚀性降低。 构成:在晶片(W)上形成有机材料膜。 通过在其上照射电子束来处理有机材料膜。 此时,通过产生烃基的气体照射电子束。 产生烃基的气体是低分子量烃类气体。 低分子量烃类气体是甲烷气体。 有机材料膜是低k膜。

    다층막을 에칭하는 방법
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:KR101847866B1

    公开(公告)日:2018-04-11

    申请号:KR1020150106597

    申请日:2015-07-28

    Abstract: 다층막에형성되는스페이스의수직성의, 피처리체의일부영역에있어서의열화를억제하는것이요청되고있다. 다층막을에칭하는방법은, 플라즈마처리장치의처리용기내에서플라즈마를발생시켜다층막을에칭하는공정을포함한다. 이공정에서는, 피처리체의중앙영역을향해가스를공급하기위한제 1 공급부및 당해중앙영역의외측의영역으로가스를공급하기위한제 2 공급부로부터, 수소가스, 취화수소가스, 불소함유가스, 탄화수소가스, 플루오르하이드로카본가스및 플루오르카본가스를포함하는제 1 처리가스를공급하고, 제 1 공급부및 제 2 공급부중 일방으로부터, 탄화수소가스및 플루오르카본가스를포함하는제 2 처리가스를더 공급하고, 제 1 처리가스및 제 2 처리가스를여기시킨다.

    도금 처리 장치, 도금 처리 방법 및 기억 매체
    10.
    发明授权
    도금 처리 장치, 도금 처리 방법 및 기억 매체 有权
    电镀处理装置,电镀处理方法和存储介质

    公开(公告)号:KR101765572B1

    公开(公告)日:2017-08-07

    申请号:KR1020137033422

    申请日:2012-06-07

    Abstract: 도금액중의암모니아성분의농도를일정하게유지하여도금액을순환하여사용할수 있는도금처리장치를제공한다. 도금처리장치(20)는, 기판(2)을회전보지하는기판회전보지기구(110)와, 기판(2)으로도금액(35)을공급하는도금액공급기구(30)를구비하고있다. 이중 도금액공급기구(30)는, 기판(2)으로공급되는도금액(35)을저류하는공급탱크(31)와, 도금액(35)을기판(2)에토출하는토출노즐(32)과, 공급탱크(31)의도금액(35)을토출노즐(32)로공급하는도금액공급관(33)을가지고있다. 또한공급탱크(31)에는, 암모니아가스저류부(170)가접속되고, 공급탱크(31)에저류된도금액(35) 중의암모니아성분의농도를목적의농도범위로유지한다.

    Abstract translation: 本发明提供一种即使在镀液中的氨成分的浓度保持一定的情况下也能够使氨成分的量循环的镀覆装置。 电镀处理单元20还设置有货币供给机构30供给的基板旋转机构不110中,在基板2 eurodo量35,其,不旋转的衬底(2)。 双重电镀液供应机构30包括用于存储供应到基板2的电镀液35的供应箱31,用于将电镀液35排放到基板2的排放喷嘴32, 以及用于将供应箱31的除臭剂35供应到排放喷嘴32的除臭剂供应管33。 氨气储存部分170连接到供应罐31,并且储存在供应罐31中的电镀液35中的氨成分浓度保持在目标浓度范围内。

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