公开(公告)号：KR102009372B1

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：KR1020147025355

申请日：2013-02-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이나토미유이치로 ,  타나까타카시 ,  미즈타니노부타카 ,  사이토유스케 ,  이와시타미츠아키

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/683 ,  C23C18/31 ,  C23C18/16

公开(公告)号：KR1020140143148A

公开(公告)日：2014-12-15

申请号：KR1020147025355

申请日：2013-02-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이나토미유이치로 ,  타나까타카시 ,  미즈타니노부타카 ,  사이토유스케 ,  이와시타미츠아키

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/683 ,  C23C18/31 ,  C23C18/16

CPC classification number: H01L21/288 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/163 ,  C23C18/1669 ,  C23C18/1676 ,  H01L21/76849

Abstract: 도금 처리 장치(20)는, 기판(2)을 보지하여 회전시키는 기판 보지 기구(110)와, 기판 보지 기구(110)에 보지된 기판(2)을 향해 도금액을 토출하는 제 1 토출 기구(30)와, 기판(2)의 상방에 배치되고, 개구부(22)가 형성된 톱 플레이트(21)를 구비하고 있다. 제 1 토출 기구(30)는, 기판(2)을 향해 도금액을 토출하는 제 1 토출부(33)를 가지고 있다. 제 1 토출부(33)는, 도금액을 토출할 시 위치하는 토출 위치와, 도금액을 토출하지 않을 시 위치하는 대기 위치와의 사이에서 이동 가능하게 되어 있다. 또한 제 1 토출부(33)는, 토출 위치에 있을 시 톱 플레이트(21)의 개구부(22)와 중첩되도록 구성되어 있다.

公开(公告)号：KR1020140138161A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：KR1020147025413

申请日：2013-02-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타나까타카시 ,  이나토미유이치로 ,  미즈타니노부타카 ,  사이토유스케 ,  이와시타미츠아키

IPC: C23C18/16 ,  C25D5/34

CPC classification number: C23C18/1694 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1676 ,  C23C18/1678 ,  C23C18/1696 ,  C23C18/18 ,  C23C18/1889 ,  C23C18/30 ,  C23C18/38 ,  C25D17/001 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 하지층과의 사이의 밀착성을 향상시킬 수 있는 도금 처리 방법을 제공한다. 기판에 대하여 도금 처리를 실시하는 도금 처리 방법은, 기판(2) 상에 배리어막으로서 기능하는 제 1 도금층(23a)을 형성하는 공정과, 제 1 도금층(23a)을 굽는 공정과, 배리어막으로서 기능하는 제 2 도금층(23b)을 형성하는 공정과, 제 2 도금층(23b)을 굽는 공정을 구비하고 있다. 이와 같이 하여 얻어진 제 1 도금층(23a)과 제 2 도금층(23b)에 의해, 배리어막으로서 기능하는 도금층 적층체(23)가 얻어진다.

公开(公告)号：KR1020130139955A

公开(公告)日：2013-12-23

申请号：KR1020137010818

申请日：2011-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타나까타카시 ,  사이토유스케 ,  이와시타미츠아키 ,  토시마타카유키

IPC: C23C18/31 ,  C23C18/16

CPC classification number: B05D7/50 ,  B05B12/04 ,  B05B12/14 ,  B05D1/02 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/31 ,  C23C18/54 ,  C25D17/001 ,  C23C16/54 ,  C23C18/16

Abstract: 본 발명은, 기판(2)의 표면으로 도금 처리액을 공급하여 도금 처리를 행하는 도금 처리 장치(1)이다. 도금 처리 장치(1)는, 기판(2)을 회전 보지하는 기판 회전 보지 수단(25)과, 기판(2)의 표면으로 조성이 상이한 복수 종류의 도금 처리액을 공급하는 복수의 도금 처리액 공급 수단(29, 30)과, 기판(2)으로부터 비산한 도금 처리액을 종류마다 배출하는 도금 처리액 배출 수단(31)과, 기판 회전 보지 수단(25), 복수의 도금 처리액 공급 수단(29, 30) 및 도금 처리액 배출 수단(31)을 제어하는 제어 수단(32)을 가진다. 기판(2)을 회전 보지한 상태인 채로 상이한 도금 처리액을 기판(2)의 표면으로 차례로 공급하여 기판(2)의 표면에 순차적으로 복수의 도금 처리를 실시한다.

Abstract translation: 电镀装置1可以通过将电镀液供给到基板2的表面来进行电镀处理。电镀装置1包括：基板旋转保持器，其被构造成保持和旋转基板2; 电镀液供给单元29,30，被配置为向基板2的表面供给不同种类的电镀液; 电镀液排出单元31，其被配置为根据电镀液的种类排出从基板2分散的镀液; 以及控制器32，被配置为控制基板旋转保持器25，电镀液供给单元29和30，电镀液排出单元31.在保持基板2并旋转的同时，在基板2的表面上进行电镀处理 依次通过将不同种类的电镀液体供给到基板2的表面上。

公开(公告)号：KR100728547B1

公开(公告)日：2007-06-15

申请号：KR1020057012922

申请日：2004-12-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  이이노다다시 ,  사이토유스케 ,  나카모리미츠노리 ,  유치다노리타카 ,  오리이다케히코

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/304

CPC classification number: G03F7/427 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명은 ArF 레지스트막을 수반한 웨이퍼로부터 이 ArF 레지스트막을 제거하는 처리 방법에 관한 것이다.
ArF 레지스트막에 자외선 조사 처리를 실시하고, 이어서 ArF 레지스트막에 오존 가스와 수증기를 공급하여 처리함으로써, 이 ArF 레지스트막을 수용성으로 변성시킨다. 그 후, 수용성으로 변성된 ArF 레지스트막에 순수를 공급함으로써, ArF 레지스트막을 기판으로부터 박리한다.

公开(公告)号：KR1020040084795A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：KR1020040020177

申请日：2004-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미츠오카가즈유키 ,  혼다미노루 ,  강송윤 ,  사이토유스케

IPC: H01L21/26

CPC classification number: H01L21/31058 ,  Y10S430/143

Abstract: PURPOSE: An electron beam processing method and apparatus are provided to prevent the degradation of a k-value and chemical-resistance in an SOD(Spin On Dielectric) film by irradiating electron beams on the SOD film through a methane gas. CONSTITUTION: An organic material film is formed on a wafer(W). The organic material film is treated by irradiating electron beams thereon. At this time, the electron beams are irradiated through a hydrocarbon radical generating gas. The hydrocarbon radical generating gas is a low molecular weight hydrocarbon-based gas. The low molecular weight hydrocarbon-based gas is a methane gas. The organic material film is a low-k film.

Abstract translation: 目的：提供一种电子束处理方法和装置，用于通过甲烷气体在SOD膜上照射电子束来防止SOD（旋转介质）膜中的k值和耐化学腐蚀性降低。 构成：在晶片（W）上形成有机材料膜。 通过在其上照射电子束来处理有机材料膜。 此时，通过产生烃基的气体照射电子束。 产生烃基的气体是低分子量烃类气体。 低分子量烃类气体是甲烷气体。 有机材料膜是低k膜。

公开(公告)号：KR101847866B1

公开(公告)日：2018-04-11

申请号：KR1020150106597

申请日：2015-07-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시타류우 ,  사이토유스케

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/11553 ,  H01L27/1158

Abstract: 다층막에형성되는스페이스의수직성의, 피처리체의일부영역에있어서의열화를억제하는것이요청되고있다. 다층막을에칭하는방법은, 플라즈마처리장치의처리용기내에서플라즈마를발생시켜다층막을에칭하는공정을포함한다. 이공정에서는, 피처리체의중앙영역을향해가스를공급하기위한제 1 공급부및 당해중앙영역의외측의영역으로가스를공급하기위한제 2 공급부로부터, 수소가스, 취화수소가스, 불소함유가스, 탄화수소가스, 플루오르하이드로카본가스및 플루오르카본가스를포함하는제 1 처리가스를공급하고, 제 1 공급부및 제 2 공급부중 일방으로부터, 탄화수소가스및 플루오르카본가스를포함하는제 2 처리가스를더 공급하고, 제 1 처리가스및 제 2 처리가스를여기시킨다.

公开(公告)号：KR101826302B1

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：KR1020147025422

申请日：2013-02-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈타니노부타카 ,  타나까타카시 ,  이나토미유이치로 ,  사이토유스케 ,  이와시타미츠아키

IPC: C23C28/02 ,  C23C14/24 ,  C23C16/44 ,  C23C18/18 ,  C23C18/50 ,  H01L21/288

CPC classification number: H01L21/76867 ,  C23C14/024 ,  C23C14/046 ,  C23C14/24 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1692 ,  C23C18/1694 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/1893 ,  C23C18/38 ,  C23C28/322 ,  C23C28/34 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76898

Abstract: 기판과의밀착성을향상시킬수 있는도금처리방법을제공한다. 기판에대하여도금처리를실시하는도금처리방법은, 기판(2)에대하여진공증착처리를실시하여기판(2) 상에진공증착처리층(2A)을형성하는공정과, 기판(2)의진공증착처리층(2A) 상에밀착층(21) 및촉매흡착층(22)을순차형성하는공정과, 기판(2)의촉매흡착층(22) 상에배리어막으로서기능하는제 1 도금층(23a)과, 제 2 도금층(23b)을가지는도금층적층체(23)를형성하는공정을구비하고있다. 진공증착처리층(2A)에의해기판(2) 표면을원활화시킬수 있어, 진공증착처리층(2A)은밀착성을높이는하지층으로서기능한다.

Abstract translation: 电镀方法可以提高与基材的粘合性。 在衬底上执行电镀工艺的电镀方法包括通过在衬底2上执行真空沉积工艺在衬底2上形成真空沉积层2A; 在衬底2的真空沉积层2A上形成粘附层21和催化剂吸附层22; 在基板2的催化剂吸附层22上形成具有作为阻挡膜的第1镀层23a和第2镀层23b的镀层叠层体23.通过形成真空蒸镀层2A， 能够使基板2平滑化，成为基底层的真空蒸镀层2A能够提高密合性。

公开(公告)号：KR1020170118088A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：KR1020177023083

申请日：2016-01-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타나까타카시 ,  사이토유스케 ,  이와이카즈토시 ,  이와시타미츠아키

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/288 ,  C23C18/32 ,  G02B5/20

CPC classification number: C23C18/32 ,  G02B5/20 ,  H01L21/288 ,  H01L27/14

Abstract: 저비용으로정밀도좋게광학장치의차광체를제작한다. 차광체를포함하는광학장치의제조방법은, 기판(2) 상에무전해도금을실시하여 Co 또는 Co 합금의도금층(23)을형성하는공정을구비하고, 도금층(23)으로이루어지는차광체(23A)를제작한다.

Abstract translation: 光学装置的遮光体以低成本高精度制造。 制造包括遮光体的光学装置的方法包括通过在基板2上执行无电镀形成由Co或Co合金构成的镀层23以形成由镀层23构成的​​遮光体的步骤 图23A），以产生一个。

公开(公告)号：KR101765572B1

公开(公告)日：2017-08-07

申请号：KR1020137033422

申请日：2012-06-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이나토미유이치로 ,  타나까타카시 ,  구로다오사무 ,  이와시타미츠아키 ,  사이토유스케

IPC: C23C18/16 ,  C23C18/31

CPC classification number: B05C11/1039 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/165 ,  C23C18/168 ,  C23C18/1682 ,  C23C18/1683 ,  C23C18/32

Abstract: 도금액중의암모니아성분의농도를일정하게유지하여도금액을순환하여사용할수 있는도금처리장치를제공한다. 도금처리장치(20)는, 기판(2)을회전보지하는기판회전보지기구(110)와, 기판(2)으로도금액(35)을공급하는도금액공급기구(30)를구비하고있다. 이중 도금액공급기구(30)는, 기판(2)으로공급되는도금액(35)을저류하는공급탱크(31)와, 도금액(35)을기판(2)에토출하는토출노즐(32)과, 공급탱크(31)의도금액(35)을토출노즐(32)로공급하는도금액공급관(33)을가지고있다. 또한공급탱크(31)에는, 암모니아가스저류부(170)가접속되고, 공급탱크(31)에저류된도금액(35) 중의암모니아성분의농도를목적의농도범위로유지한다.

Abstract translation: 本发明提供一种即使在镀液中的氨成分的浓度保持一定的情况下也能够使氨成分的量循环的镀覆装置。 电镀处理单元20还设置有货币供给机构30供给的基板旋转机构不110中，在基板2 eurodo量35，其，不旋转的衬底（2）。 双重电镀液供应机构30包括用于存储供应到基板2的电镀液35的供应箱31，用于将电镀液35排放到基板2的排放喷嘴32， 以及用于将供应箱31的除臭剂35供应到排放喷嘴32的除臭剂供应管33。 氨气储存部分170连接到供应罐31，并且储存在供应罐31中的电镀液35中的氨成分浓度保持在目标浓度范围内。