公开(公告)号：KR100722016B1

公开(公告)日：2007-05-25

申请号：KR1020057016664

申请日：2003-12-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자키가즈요시 ,  아오야마신타로 ,  이게타마사노부 ,  신리키히로시

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/3144 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02326

Abstract: 매우 얇은, 막두께가 0.4㎚ 또는 그 이하의 산화막, 산질화막을 증막을 최소한으로 억제하여 효율 양호하게 질화하기 위해, 산소 래디컬 형성기구에 의해 산소 래디컬을 형성하고, 형성된 산소 래디컬에 의해, 실리콘 기판을 산화하여 실리콘 기판상에 산화막을 형성하고, 또한 질소 래디컬 형성기구에 의해 질소 래디컬을 형성하여, 상기 산화막 막표면을 질화하여 산질화막을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020030051654A

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：KR1020037003856

申请日：2001-09-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기류히데키 ,  다카하시츠요시 ,  아오야마신타로 ,  신리키히로시 ,  이게타마사노부

IPC: H01L21/31

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/308 ,  C23C16/40 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67167 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 본 발명의 성막 방법은 반도체 기판면상에 제 1 비유전율을 갖는 재료를 본질적인 성분으로 하는 제 1 절연막을 형성하는 제 1 공정과 제 1 절연막상에 상기 제 1 비유전율보다 큰 제 2 비유전율을 갖는 재료를 본질적인 성분으로 하는 제 2 절연막을 상기 제 1 절연막의 막 두께보다 두껍게 형성하는 제 2 공정을 포함한다. 제 2 절연막인 고유전율 재료의 막형성 프로세스를 제 1 절연막인 배리어층 형성 후에 연속해서 실시하므로, 기판에 대해 안정한 고유전율 재료의 게이트를 형성할 수 있다.

Abstract translation: 该成膜方法具有在半导体基板的表面上形成第一绝缘膜的第一工序和形成第二绝缘膜的第二工序，该第一绝缘膜的主要成分为具有第一介电常数的材料， 其成分是具有大于第一介电常数的第二介电常数的材料，在第一绝缘膜上比该第一绝缘膜厚。 因为形成构成第二绝缘膜的高介电常数材料的膜的过程是连续进行的，所以在形成作为第一绝缘膜的阻挡层之后，可以形成高介电常数材料的栅极 对基材稳定。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR100701714B1

公开(公告)日：2007-03-29

申请号：KR1020057003930

申请日：2003-09-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이게타마사노부 ,  아오야마신타로 ,  신리키히로시

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67017

Abstract: 기판 처리 장치(100, 40)는 고주파 플라즈마에 의해 질소 래디컬과 산소 래디컬을 형성하는 래디컬 형성부(26)와, 피처리 기판 W를 유지하는 처리용기(21)와, 래디컬 형성부에 접속되어 질소를 포함하는 제 1 원료 가스와 산소를 포함하는 제 2 원료 가스의 혼합비를 제어하여 원하는 혼합비의 혼합 가스를 래디컬 형성부로 공급하는 가스 공급부(30)를 구비한다. 혼합비가 제어된 질소 래디컬과 산소 래디컬을 피처리 기판 표면으로 공급하는 것에 의해, 피처리 기판 표면에 원하는 질소농도로 절연막을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020050057255A

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：KR1020057003930

申请日：2003-09-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이게타마사노부 ,  아오야마신타로 ,  신리키히로시

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67017

Abstract: A substrate-processing apparatus (100, 40) comprises a radical-forming unit (26) for forming nitrogen radicals and oxygen radicals through a high-frequency plasma, a processing vessel (21) in which a substrate (W) to be processed is held, and a gas- supplying unit (30) which is connected to the radical-forming unit. The gas-supplying unit (30) controls the mixture ratio between a first raw material gas containing nitrogen and a second raw material gas containing oxygen, and supplies a mixture gas of a desired mixture ratio to the radical-forming unit. By supplying nitrogen radicals and oxygen radicals mixed at the controlled mixture ratio to the surface of the substrate, an insulating film having a desired nitrogen concentration is formed on the surface of the substrate.

Abstract translation: 基板处理装置（100,40）包括用于通过高频等离子体形成氮自由基和氧自由基的自由基形成单元（26），处理容器（21），其中待处理的基板（W） 以及与自由基形成单元连接的气体供给单元（30）。 气体供给单元（30）控制含有氮的第一原料气体和含有氧的第二原料气体的混合比，并将所需混合比例的混合气体与自由基形成单元供给。 通过将以受控混合比混合的氮自由基和氧自由基提供给基板的表面，在基板表面上形成具有所需氮浓度的绝缘膜。

公开(公告)号：KR1020040007734A

公开(公告)日：2004-01-24

申请号：KR1020037016484

申请日：2002-12-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오야마신타로 ,  이게타마사노부 ,  신리키히로시 ,  다카하시츠요시

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67167 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/302 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67225 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 기판 처리 방법은 실리콘 기판 표면으로부터 탄소를 제거하는 공정과, 상기 탄소가 제거된 실리콘 기판 표면을 평탄화하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100723899B1

公开(公告)日：2007-06-04

申请号：KR1020047020911

申请日：2001-07-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오야마신타로 ,  신리키히로시 ,  이게타마사노부

IPC: H01L21/316

CPC classification number: C23C16/482 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45589 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32321 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/67017

Abstract: 피처리 기판을 유지하는 처리 용기 안에 라디칼원을 이동 가능하게 설치하고, 상기 라디칼원의 위치 또는 구동 에너지를 상기 피처리 기판 위에 형성되는 막의 막두께가 균일하게 되도록 설정한다. 또한 피처리 기판의 한 쪽에 라디칼원을 설치하고, 피처리 기판 표면의 상기 한 쪽에서 다른 쪽으로 흐르는 라디칼류를 형성하고, 라디칼류의 조건을 최적화함으로써, 상기 피처리 기판 위에 형성되는 막의 막두께를 균일하게 한다.

公开(公告)号：KR1020060105779A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：KR1020067011923

申请日：2004-12-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오야마신타로 ,  이게타마사노부 ,  야마자키가즈요시

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67155

Abstract: Disclosed is a method for forming an oxide film on the surface of a substrate to be processed at a certain process temperature in a process chamber. This method comprises a heating step wherein the substrate is heated to the certain process temperature, and this heating step includes a substep wherein the substrate is held in an atmosphere containing oxygen before the temperature of the substrate reaches 450°C.

Abstract translation: 公开了一种在处理室中在一定工艺温度下在待加工衬底的表面上形成氧化膜的方法。 该方法包括加热步骤，其中衬底被加热到一定的工艺温度，并且该加热步骤包括子步骤，其中在衬底的温度达到450℃之前将衬底保持在含氧气氛中。

公开(公告)号：KR1020030038675A

公开(公告)日：2003-05-16

申请号：KR1020037000941

申请日：2001-07-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오야마신타로 ,  신리키히로시 ,  이게타마사노부

IPC: H01L21/316

CPC classification number: C23C16/482 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45589 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32321 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/67017

Abstract: A radical source is movably provided in a processing vessel holding a substrate, and the location or driving energy of the radical source is set such that the film formed on the substrate has a uniform thickness. Further, a radical source is provided at a first side of the substrate and a radical flow is formed such that the radical flow flows from the first side of the substrate surface to the other side. By optimizing the condition of the radical flow, the film formed on the substrate has a uniform thickness.

Abstract translation: 自由基源可移动地设置在保持衬底的处理容器中，并且设定自由基源的位置或驱动能量，使得形成在衬底上的膜具有均匀的厚度。 此外，在衬底的第一侧提供自由基源，并形成自由基流，使得自由基流从衬底表面的第一侧流向另一侧。 通过优化自由基流动的条件，形成在基板上的膜具有均匀的厚度。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR100810777B1

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：KR1020067011923

申请日：2004-12-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오야마신타로 ,  이게타마사노부 ,  야마자키가즈요시

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67155

Abstract: 처리 용기 내에서 피처리 기판 표면에 소정의 처리 온도로 산화막을 형성하는 성막 방법은, 상기 기판을 상기 소정의 처리 온도까지 승온하는 승온 공정을 포함하고, 상기 승온 공정은, 상기 기판을, 상기 기판의 온도가 450℃의 온도에 도달하기 전에, 산소를 포함하는 분위기 중에 유지하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR100801770B1

公开(公告)日：2008-02-05

申请号：KR1020067008883

申请日：2004-11-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이게타마사노부 ,  야마자키가즈요시 ,  아오야마신타로 ,  신리키히로시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31662

Abstract: 처리용기 내부를 진공 배기한 상태로 운전을 정지하고 있었던 경우 등에 있어서, 운전을 재개하려고 해도, 플라즈마가 용이하게 착화하지 않는 현상이 생기는 문제를 해결한다.
처리용기(21) 중에 산소를 포함하는 가스를 유통시키고, 상기 처리용기(21) 내부를 배기하면서 상기 산소를 포함하는 가스에 자외광을 조사한다. 그 후, 리모트 플라즈마원(26)을 구동하여, 플라즈마를 착화시킨다.