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公开(公告)号：KR1020030051654A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：KR1020037003856
申请日：2001-09-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/31
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/308 , C23C16/40 , C23C16/452 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , C23C16/45542 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/3141 , H01L21/3145 , H01L21/31616 , H01L21/31637 , H01L21/31641 , H01L21/31645 , H01L21/31691 , H01L21/67017 , H01L21/67167 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518
Abstract: 본 발명의 성막 방법은 반도체 기판면상에 제 1 비유전율을 갖는 재료를 본질적인 성분으로 하는 제 1 절연막을 형성하는 제 1 공정과 제 1 절연막상에 상기 제 1 비유전율보다 큰 제 2 비유전율을 갖는 재료를 본질적인 성분으로 하는 제 2 절연막을 상기 제 1 절연막의 막 두께보다 두껍게 형성하는 제 2 공정을 포함한다. 제 2 절연막인 고유전율 재료의 막형성 프로세스를 제 1 절연막인 배리어층 형성 후에 연속해서 실시하므로, 기판에 대해 안정한 고유전율 재료의 게이트를 형성할 수 있다.
Abstract translation: 该成膜方法具有在半导体基板的表面上形成第一绝缘膜的第一工序和形成第二绝缘膜的第二工序，该第一绝缘膜的主要成分为具有第一介电常数的材料， 其成分是具有大于第一介电常数的第二介电常数的材料，在第一绝缘膜上比该第一绝缘膜厚。 因为形成构成第二绝缘膜的高介电常数材料的膜的过程是连续进行的，所以在形成作为第一绝缘膜的阻挡层之后，可以形成高介电常数材料的栅极 对基材稳定。 ＆lt;图像＆GT;
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020020095194A
公开(公告)日：2002-12-20
申请号：KR1020027012657
申请日：2001-03-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/316
Abstract: Si 기판 위에 유전체막을 형성하는 방법은 Si 기판에서 유전체막을 구성하는 금속 원소의 기체 분자 화합물을 흡착시키는 단계와, 가수 분해 프로세스 또는 열분해 프로세스 또는 산화 프로세스에 의해 흡착된 기체 분자 화합물을 열분해시키는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR100613674B1
公开(公告)日：2006-08-21
申请号：KR1020017014485
申请日：2000-05-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/00
Abstract: 처리 장치(100)의 진공 반송실(102) 내에는 전처리실(120)이 배치된다. 전처리실(120)은 적재대(130) 상에 적재된 웨이퍼(W)를 회전시켜 광학 센서(134)에 의해 웨이퍼(W)의 위치 맞춤을 행하는 위치 맞춤 기구(128)와, 위치 맞춤과 동시에, 웨이퍼(W) 표면에 전처리실(120)의 천정부에 끼워 맞춰진 UV 투과창(126)을 통해 UV를 조사하여, 웨이퍼(W)에 부착된 탄소를 제거하는 UV 램프(124)를 구비한다. UV는 전처리실(120) 내에 공급되는 처리 가스에도 조사되어, 처리 가스에서 생긴 활성 원자에 의해서도 탄소가 제거된다. 전처리실(120)이 진공 반송실(102) 내에 형성되기 때문에, 처리 장치(100)의 풋프린트를 삭제할 수 있다. 웨이퍼(W)의 위치 맞춤과 오염물 제거 처리를 동시에 행하기 때문에, 수율이 향상된다.
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公开(公告)号：KR1020020010657A
公开(公告)日：2002-02-04
申请号：KR1020017014485
申请日：2000-05-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/00
Abstract: 처리 장치(100)의 진공 반송실(102) 내에는 전처리실(120)이 배치된다. 전처리실(120)은 적재대(130) 상에 적재된 웨이퍼(W)를 회전시켜 광학 센서(134)에 의해 웨이퍼(W)의 위치 맞춤을 행하는 위치 맞춤 기구(128)와, 위치 맞춤과 동시에, 웨이퍼(W) 표면에 전처리실(120)의 천정부에 끼워 맞춰진 UV 투과창(126)을 통해 UV를 조사하여, 웨이퍼(W)에 부착된 탄소를 제거하는 UV 램프(124)를 구비한다. UV는 전처리실(120) 내에 공급되는 처리 가스에도 조사되어, 처리 가스에서 생긴 활성 원자에 의해서도 탄소가 제거된다. 전처리실(120)이 진공 반송실(102) 내에 형성되기 때문에, 처리 장치(100)의 풋프린트를 삭제할 수 있다. 웨이퍼(W)의 위치 맞춤과 오염물 제거 처리를 동시에 행하기 때문에, 수율이 향상된다.
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公开(公告)号：KR100752559B1
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：KR1020027012657
申请日：2001-03-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/316
Abstract: Si 기판 위에 유전체막을 형성하는 방법은 Si 기판에서 유전체막을 구성하는 금속 원소의 기체 분자 화합물을 흡착시키는 단계와, 가수 분해 프로세스 또는 열분해 프로세스 또는 산화 프로세스에 의해 흡착된 기체 분자 화합물을 열분해시키는 단계를 포함한다.
유전체막, 기체 분자 화합물, Si 기판, 가수 분해, 열분해, 산화-
公开(公告)号：KR100502557B1
公开(公告)日：2005-07-21
申请号：KR1020037003856
申请日：2001-09-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/31
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/308 , C23C16/40 , C23C16/452 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , C23C16/45542 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/3141 , H01L21/3145 , H01L21/31616 , H01L21/31637 , H01L21/31641 , H01L21/31645 , H01L21/31691 , H01L21/67017 , H01L21/67167 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518
Abstract: This method for film formation has a first step of forming a first insulation film, the essential component of which is a material having a first dielectric constant, on the surface of a semiconductor substrate and a second step of forming a second insulation film, the essential component of which is a material having a second dielectric constant larger than the first dielectric constant, on the first insulation film to be thicker than this first insulation film. Since the process of forming a film of a high dielectric constant material that constitutes the second insulation film is executed successively, following the formation of a barrier layer that is the first insulation film, it is possible to form a gate of a high dielectric constant material stable to the substrate.
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