公开(公告)号：KR1020130080818A

公开(公告)日：2013-07-15

申请号：KR1020130001076

申请日：2013-01-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시하라코우스케 ,  타나카케이이치 ,  이치노미야히로시

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H05K3/26 ,  B08B3/024 ,  B08B5/02 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H05K2203/1509

Abstract: PURPOSE: A substrate cleaning method, a substrate cleaning apparatus, and a recording medium for cleaning a substrate are provided to prevent the breakdown of a circuit pattern and the removal of liquid on the surface of the substrate. CONSTITUTION: A liquid film is formed on the surface of a wafer by supplying cleaning solutions from the center to the peripheral part of the wafer with a circuit pattern (P). The wafer with the liquid film is rotated. A dry area is formed on the surface of the wafer by discharging a gas (G) from the center to the peripheral part of the wafer. The wafer with the dried area is rotated. The remaining liquid is removed between the circuit patterns on the dry area by discharging the gas.

Abstract translation: 目的：提供基板清洗方法，基板清洁装置和用于清洁基板的记录介质，以防止电路图案的破坏和基板表面上的液体的去除。 构成：通过以电路图案（P）从晶片的中心部向周边部供给清洗液，在晶片表面形成液膜。 具有液膜的晶片旋转。 通过从晶片的中心向周边部排出气体（G），在晶片的表面上形成干燥区域。 具有干燥区域的晶片旋转。 通过排出气体，在干燥区域上的电路图案之间除去剩余的液体。

公开(公告)号：KR102126591B1

公开(公告)日：2020-06-24

申请号：KR1020140062387

申请日：2014-05-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오오코우치아츠시 ,  요시하라고우스케 ,  이치노미야히로시 ,  니시하타히로시 ,  나이토우료우이치로우

IPC: H01L21/67

公开(公告)号：KR101671298B1

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：KR1020130001076

申请日：2013-01-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시하라코우스케 ,  타나카케이이치 ,  이치노미야히로시

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H05K3/26 ,  B08B3/024 ,  B08B5/02 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H05K2203/1509

Abstract: 미세또한고애스펙트비의회로패턴이형성되는기판의현상처리후의세정처리에서, 기판표면의액 끊김의방지와회로패턴의패턴붕괴의방지를도모할수 있도록한 기판세정방법, 기판세정장치및 기판세정용기억매체를제공한다. 회로패턴(P)이형성된반도체웨이퍼(W)의중심부로부터웨이퍼의주연부로세정액(L)을공급하여웨이퍼의표면전체에액막을형성하고, 웨이퍼를회전시키면서, 세정액의공급에추종하여웨이퍼의표면중심부로부터웨이퍼의주연부를향해가스(G)를토출하여웨이퍼의표면의세정액을제거하여건조영역을형성한다. 이어서, 웨이퍼를회전시키면서, 웨이퍼의직경방향으로이동하여가스(G)를토출하여건조영역의회로패턴간에잔존하는액을제거한다.

公开(公告)号：KR1020140139969A

公开(公告)日：2014-12-08

申请号：KR1020140062387

申请日：2014-05-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오오코우치아츠시 ,  요시하라고우스케 ,  이치노미야히로시 ,  니시하타히로시 ,  나이토우료우이치로우

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67051

Abstract: 본 발명의 기판 세정 장치는, 기판을 회전시키면서 기판의 중심부에 세정액 및 가스를 순차 토출하고, 이들을 토출하는 노즐을 기판의 둘레 가장자리측으로 이동시킨 후, 제1 세정액 노즐의 이동 궤적으로부터 벗어나는 위치에 설정된 제2 세정액 노즐로 세정액의 토출을 전환하며, 세정액의 토출 및 가스의 토출을 행하면서 양 노즐을 기판의 둘레 가장자리측을 향해 이동시키고, 제2 세정액 노즐의 토출 위치로부터 기판의 중심부까지의 거리와, 가스 노즐의 토출 위치로부터 기판의 중심부까지의 거리의 차가 서서히 작아지도록 각 노즐이 이동한다.

Abstract translation: 根据本发明的基板清洗装置在旋转基板的同时在基板的中心连续地排出清洁溶液和气体，将清洗液的排放切换到第二清洗溶液喷嘴，该第二清洗溶液喷嘴从第一 将排出清洗液和气体的喷嘴喷出后的清洗液喷嘴移动到基板的周缘部，同时在清洗液和气体排出的同时将两个喷嘴移动到基板的周缘，并使各喷嘴逐渐减小 在从第二清洗溶液喷嘴的排出位置到基板的中心的距离与从气体喷嘴的排放位置到基板中心的距离之间。