公开(公告)号：KR101431865B1

公开(公告)日：2014-08-25

申请号：KR1020100064433

申请日：2010-07-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후쿠다마사히로 ,  오오코우치아츠시 ,  야마모토다로

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68771

Abstract: 본 발명은 레지스트 패턴을 가늘게 할 수 있는 기술에 기여하는 현상 장치로서, 모듈 수(현상 장치의 수)를 삭감하는 것을 목적으로 한다.
배치대 위의 기판에 대하여 예컨대 공통의 노즐로부터 상온 현상액과 레지스트 패턴의 표층부를 개질하기 위한 고온 현상액을 전환하여 공급할 수 있도록 한다. 상온 현상액용의 공급로와 고온 현상액용의 공급로를 전환하여 양쪽 현상액을 순차 토출하도록 하여도 좋지만, 상온 온도 조절용 공급로와 고온 온도 조절용 공급로를 합류시켜, 전자의 공급로로부터 상온 현상액을 공급한 후, 양쪽 공급로의 유량비를 조정하고, 그 혼합액을 고온 현상액으로서 공급하여도 좋다. 또한 고온 현상액의 공급 시간은 현상액의 온도를 안정화시키기 위해 상온 현상액의 공급 시간보다 길게, 또한 현상액의 소비량 삭감을 위해 고온 현상액의 공급 유량을 상온 현상액의 공급 유량보다 적게 한다.

公开(公告)号：KR1020110007947A

公开(公告)日：2011-01-25

申请号：KR1020100064433

申请日：2010-07-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후쿠다마사히로 ,  오오코우치아츠시 ,  야마모토다로

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/0274 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/70891

Abstract: PURPOSE: A developing apparatus, a resist pattern forming method and a storage medium are provided to reduce the number of a developing process by performing developing with the same developing apparatus. CONSTITUTION: An arrangement table makes substrate level. A first nozzle supplies a first developer which is controlled to a first temperature on the surface of the substrate. A second nozzle supplies a second developer which is controlled to a second temperature on the surface of the substrate. A controller(1A) supplies the first developer on the surface of the substrate through a first nozzle, and then outputs a control signal to supply the second developer to the surface of the substrate through the second nozzle.

Abstract translation: 目的：提供显影装置，抗蚀剂图案形成方法和存储介质，以通过用相同的显影装置进行显影来减少显影处理的次数。 构成：安排表使基板水平。 第一喷嘴将第一显影剂提供给基板表面上的第一温度。 第二喷嘴供应第二显影剂，其被控制到基板表面上的第二温度。 控制器（1A）通过第一喷嘴将第一显影剂供应在基板的表面上，然后输出控制信号，以通过第二喷嘴将第二显影剂供应到基板的表面。

公开(公告)号：KR101653718B1

公开(公告)日：2016-09-02

申请号：KR1020110068789

申请日：2011-07-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오오코우치아츠시 ,  구메준지

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/02087

Abstract: 기판의베벨부를간편하고효율적으로세정할수 있고, 공간절약화에도유리한기판세정장치, 이를구비하는도포현상장치및 기판세정방법을제공한다. 본발명의실시예에따른기판세정장치는기판의이면중심부를보지하여, 해당기판을회전시키는기판보지회전부와, 제 1 세정부, 상기제 1 세정부의주위에배치되는제 2 세정부, 및상기제 1 세정부및 상기제 2 세정부가장착되는받침대를포함하는세정부재와, 상기기판보지회전부에보지되는상기기판의이면에상기제 1 세정부와상기제 2 세정부를접촉가능하도록, 상기기판보지회전부및 상기세정부재를상대적으로승강시키는승강부와, 상기제 2 세정부의일부를상기기판의외측에노출가능하도록, 상기기판의이면을따른방향으로상기기판및 상기세정부재를상대적으로구동시키는구동부를구비한다.

公开(公告)号：KR1020120007452A

公开(公告)日：2012-01-20

申请号：KR1020110068789

申请日：2011-07-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오오코우치아츠시 ,  구메준지

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764

Abstract: PURPOSE: A substrate cleaning device, a coating and developing device including the same, and a substrate cleaning method are provided to reduce a space of the coating and developing device by cleaning a bevel unit with a cleaning head which cleans the rear of a wafer. CONSTITUTION: An absorption pad(2) grips the rear center of a substrate and rotates the substrate. A cleaning head(5) includes a first cleaning unit, a second cleaning unit, and a support mounting the first cleaning unit and the second cleaning unit. A lifting unit(27) relatively lifts the absorption pad and the cleaning head to contact the first cleaning unit and the second cleaning unit with the rear of the substrate. A driving unit relatively drives the cleaning head and the substrate in a direction of the rear of the substrate to expose a part of the second cleaning unit to the outside of the substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种基板清洗装置，包括该基板清洗装置的涂层和显影装置以及基板清洗方法，通过用清洁晶片后部的清洁头清洁斜面单元来减小涂层和显影装置的空间。 构成：吸收垫（2）夹住基板的后部中心并旋转基板。 清洁头（5）包括第一清洁单元，第二清洁单元和安装第一清洁单元和第二清洁单元的支撑件。 提升单元（27）相对地提升吸收垫和清洁头以使第一清洁单元和第二清洁单元与基板的后部接触。 驱动单元相对地驱动清洁头和基板在基板的后部的方向上，以将第二清洁单元的一部分暴露于基板的外部。

公开(公告)号：KR102126591B1

公开(公告)日：2020-06-24

申请号：KR1020140062387

申请日：2014-05-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오오코우치아츠시 ,  요시하라고우스케 ,  이치노미야히로시 ,  니시하타히로시 ,  나이토우료우이치로우

IPC: H01L21/67

公开(公告)号：KR1020140139969A

公开(公告)日：2014-12-08

申请号：KR1020140062387

申请日：2014-05-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오오코우치아츠시 ,  요시하라고우스케 ,  이치노미야히로시 ,  니시하타히로시 ,  나이토우료우이치로우

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67051

Abstract: 본 발명의 기판 세정 장치는, 기판을 회전시키면서 기판의 중심부에 세정액 및 가스를 순차 토출하고, 이들을 토출하는 노즐을 기판의 둘레 가장자리측으로 이동시킨 후, 제1 세정액 노즐의 이동 궤적으로부터 벗어나는 위치에 설정된 제2 세정액 노즐로 세정액의 토출을 전환하며, 세정액의 토출 및 가스의 토출을 행하면서 양 노즐을 기판의 둘레 가장자리측을 향해 이동시키고, 제2 세정액 노즐의 토출 위치로부터 기판의 중심부까지의 거리와, 가스 노즐의 토출 위치로부터 기판의 중심부까지의 거리의 차가 서서히 작아지도록 각 노즐이 이동한다.

Abstract translation: 根据本发明的基板清洗装置在旋转基板的同时在基板的中心连续地排出清洁溶液和气体，将清洗液的排放切换到第二清洗溶液喷嘴，该第二清洗溶液喷嘴从第一 将排出清洗液和气体的喷嘴喷出后的清洗液喷嘴移动到基板的周缘部，同时在清洗液和气体排出的同时将两个喷嘴移动到基板的周缘，并使各喷嘴逐渐减小 在从第二清洗溶液喷嘴的排出位置到基板的中心的距离与从气体喷嘴的排放位置到基板中心的距离之间。

公开(公告)号：KR101026023B1

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：KR1020050076034

申请日：2005-08-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토다로 ,  오오코우치아츠시 ,  다케구치히로후미 ,  요시하라고우스케

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  G03F7/3028

Abstract: 표면에 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판을 회전시키면서 현상액을 공급하는 데 있어서, 기판상의 현상액의 액류를 제어하여 면내 균일성이 높은 패턴을 기판상에 형성한다. 기판유지부인 스핀척(2)에 수평으로 유지된 기판 예컨대 웨이퍼(W)를 연직축을 중심으로 정회전시킴과 동시에, 이 기판의 표면과 대향하여 설치된 해당 기판의 주연으로부터 중앙부측으로 연장하는 띠형상의 토출구(41)를 갖는 현상액노즐(4)을 기판의 외측으로부터 중앙부를 향해 이동시키면서 현상액을 그 표면에 공급한다. 그리고, 기판의 표면에 현상액이 공급된 뒤, 해당 기판을 역회전시키도록 구성한다. 이 경우, 정회전으로부터 역회전으로 하는 것에 의해 기판상의 현상액의 액흐름의 패턴이 변하기 때문에, 기판상의 패턴의 세부에까지 현상액이 두루 미치기 쉽게 된다. 그 결과, 현상 후에 면내 균일성이 높은 패턴을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060053145A

公开(公告)日：2006-05-19

申请号：KR1020050076034

申请日：2005-08-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토다로 ,  오오코우치아츠시 ,  다케구치히로후미 ,  요시하라고우스케

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  G03F7/3028 ,  B05B1/005 ,  B05C11/10

Abstract: 표면에 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판을 회전시키면서 현상액을 공급하는 데 있어서, 기판상의 현상액의 액류를 제어하여 면내 균일성이 높은 패턴을 기판상에 형성한다. 기판유지부인 스핀척(2)에 수평으로 유지된 기판 예컨대 웨이퍼(W)를 연직축을 중심으로 정회전시킴과 동시에, 이 기판의 표면과 대향하여 설치된 해당 기판의 주연으로부터 중앙부측으로 연장하는 띠형상의 토출구(41)를 갖는 현상액노즐(4)을 기판의 외측으로부터 중앙부를 향해 이동시키면서 현상액을 그 표면에 공급한다. 그리고, 기판의 표면에 현상액이 공급된 뒤, 해당 기판을 역회전시키도록 구성한다. 이 경우, 정회전으로부터 역회전으로 하는 것에 의해 기판상의 현상액의 액흐름의 패턴이 변하기 때문에, 기판상의 패턴의 세부에까지 현상액이 두루 미치기 쉽게 된다. 그 결과, 현상 후에 면내 균일성이 높은 패턴을 얻을 수 있다.