公开(公告)号：KR1020150102707A

公开(公告)日：2015-09-07

申请号：KR1020150026507

申请日：2015-02-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이토나가마사시 ,  와타나베마사노부

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/02656 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/02263

Abstract: [과제] 기판에 안정된 양의 처리 가스를 공급하는 것이 가능한 처리 가스 발생 장치, 처리 가스 발생 방법 등을 제공한다.
[해결수단] 처리 가스 발생 장치(3)는, 원료액 탱크(31, 32)에 수용된 원료액(8)에, 캐리어 가스 공급부(33, 331)로부터 공급된 캐리어 가스를 버블링하여 처리 가스를 발생시켜, 원료액(8)(액상부)의 상방측의 기상부로부터 취출부(301)를 통해, 버블링에 의해 발생한 처리 가스를 취출한다. 제1 온도 조정부(34)는, 액상부의 온도 조정을 행하고, 제2 온도 조정부(35)는, 기상부의 온도가 상기 액상부의 온도보다 높아지도록, 그 기상부의 온도 조정을 행한다.

Abstract translation: 本发明提供一种能够向基板供给稳定量的处理气体的处理气体发生装置和处理气体生成方法。 处理气体发生装置（3）通过从原料溶液（8）（液相部分）的上侧的气相部分通过吹扫部（301）吹送生成的处理气体， 通过从容纳在原料溶液罐（31,32）中的原料溶液（8）中的载气供给部（33,331）供给的载气鼓泡生成处理气体。 第一温度调节部（34）进行液相部的温度调整，第二温度调整部（35）进行气相部的温度调整，使气相部的温度高于温度 的液相部分。

公开(公告)号：KR1020140040014A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：KR1020130111324

申请日：2013-09-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이토나가마사시 ,  사노요헤이

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: G03F7/36 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H05H1/46

Abstract: The present invention relates to a substrate processing device and a gas supplying device capable of improving the uniformity of processing in a substrate plane when supplying processing gas from a gas supplying part to a substrate for processing under atmospheric pressure atmosphere. The present invention comprises a first gas fluid path wherein an upper side is connected to a common first gas supplying hole and being separated for a lower side to be opened as multiple first gas discharging holes; and a second gas fluid path separated from the first gas fluid path wherein an upper side is connected to a common second gas supplying hole and being separated for a lower side to be opened as multiple second gas discharging holes for the gas supplying part. A fluid path length and a fluid path diameter is configured for the flow-through times of gases from the first gas supplying hole to multiple first gas discharging holes to be set and for the flow-through times of gases from the second gas supplying hole to multiple first gas discharging holes to be set. [Reference numerals] (2) Processing container; (31) Cover; (5) Gas supplying part

Abstract translation: 本发明涉及一种基板处理装置和气体供给装置，当将气体供给部件的处理气体供给到在大气压气氛下进行处理的基板时，能够提高基板面的加工的均匀性。 本发明包括第一气体流体路径，其中上侧连接到共同的第一气体供给孔，并且作为多个第一气体排出孔而被分隔开以被打开的下侧; 以及与第一气体流路分离的第二气体流路，其中上侧连接到共同的第二气体供给孔，并且作为用于气体供应部的多个第二气体排出孔而被分离以供打开的下侧。 流体路径长度和流体路径直径被构造成用于从第一气体供给孔到多个第一气体排出孔的流通时间以及来自第二气体供给孔的气体的流通时间 要设置多个第一个排气孔。 （附图标记）（2）加工容器; （31）封面; （5）供气部

公开(公告)号：KR101623236B1

公开(公告)日：2016-05-20

申请号：KR1020130111324

申请日：2013-09-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이토나가마사시 ,  사노요헤이

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: G03F7/36

Abstract: 본발명의기판처리장치및 가스공급장치는, 상압분위기하에서가스공급부로부터기판에대하여처리가스를공급하여처리를행함에있어서, 기판면내의처리의균일성을높게할 수있는기술을제공하는것이다. 본발명은, 가스공급부에대해서, 상류측이공통의제1 가스공급구에연통되고, 도중에서분기되어하류측이상기복수의제1 가스토출구로서개구되는제1 가스유로와, 상류측이공통의제2 가스공급구에연통되며, 도중에서분기되어하류측이상기복수의제2 가스토출구로서개구되고, 상기제1 가스유로와구획된제2 가스유로를구비하도록구성한다. 그리고, 제1 가스공급구로부터복수의제1 가스토출구의각각에이르기까지의가스의통류시간이서로맞춰지며, 상기제2 가스공급구로부터상기복수의제2 가스토출구의각각에이르기까지의가스의통류시간이서로맞춰지도록, 분기된제1 가스유로및 제2 가스유로의유로길이및 유로직경을설정한다.

公开(公告)号：KR1020140020785A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：KR1020130094096

申请日：2013-08-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구가야스히로 ,  이토나가마사시

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01J37/02 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32825 ,  H01L21/0273

Abstract: The purpose of the prevent invention is to adjust the concentration of processing gas within a surface side when the discharge of the processing gas from a gas supply unit is started. When a wafer (W) is processed by the processing gas within a processing container (2) under the normal pressure atmosphere, a gas supply unit (5) having a gas discharge surface (50) which is faced with the wafer (W) arranged on an arrangement unit (23) is installed. The gas supply unit (5) comprises a gas flow path (51). The flow path length and flow path diameter of the gas flow path (51) are set up so that a gas passing time from a gas supply port (52) to each of multiple gas discharge ports (53) formed on the gas discharge surface (50) is fitted. Therefore, the timing that the processing gas arrives at the gas discharge port (53) is fitted immediately after the discharge start of the processing gas. Therefore, the concentration of the processing gas within a substrate side is fitted and the processing having high in-plane uniformity is executed when the discharge of the processing gas from the gas supply unit (5) is started. [Reference numerals] (100) Control unit; (11) Processing part; (2) Processing container; (200) Processing area; (23) Arrangement unit; (5) Gas providing unit; (50) Gas discharge unit; (51) Gas flow path; (52) Gas supply port; (53) Gas discharge port

Abstract translation: 防止发明的目的是当开始从气体供应单元排出处理气体时调节表面侧内的处理气体的浓度。 当在正常压力的气氛下，处理容器（2）内的处理气体处理晶片（W）时，具有排出面（50）的气体供给单元（5） 在安装单元（23）上。 气体供给单元（5）包括气体流路（51）。 气体流路（51）的流路长度和流路直径被设定为使得从气体供给口（52）到气体排出面（形成在气体排出面上的多个气体排出口53）的气体通过时间 50）。 因此，处理气体到达气体排出口53的时刻在处理气体的排出开始后立即被配置。 因此，当开始从气体供给单元（5）的处理气体的排出时，进行基板侧的处理气体的浓度的进行，并且执行具有高的面内均匀性的处理。 （附图标记）（100）控制单元; （11）加工部件; （2）加工容器; （200）加工区; （23）安排单位; （5）供气单元; （50）排气单元; （51）气体流路; （52）供气口; （53）排气口