公开(公告)号：KR101810966B1

公开(公告)日：2017-12-20

申请号：KR1020150151575

申请日：2015-10-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타무라아키노리 ,  카리우코스케 ,  오즈토시히사 ,  이해우

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01L21/67 ,  H01L21/47

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136

Abstract: 하지층에대한데미지를억제하면서유기막을에칭한다. 일실시형태의방법은, 피처리체를수용한플라즈마처리장치의처리용기내에있어서상기유기막을에칭하는공정을포함한다. 이공정에서는, 처리용기내로수소가스및 질소가스를포함하는처리가스를공급하고, 처리가스의플라즈마를생성한다. 처리가스의유량에서차지하는수소가스의유량의비율은 35 % 이상또한 75 % 이하의비율로설정된다. 또한, 피처리체에이온을인입하기위한고주파바이어스전력이 50 W 이상또한 135 W 이하의범위의전력으로설정된다.

公开(公告)号：KR1020160051653A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：KR1020150151575

申请日：2015-10-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타무라아키노리 ,  카리우코스케 ,  오즈토시히사 ,  이해우

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01L21/67 ,  H01L21/47

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136

Abstract: 하지층에대한데미지를억제하면서유기막을에칭한다. 일실시형태의방법은, 피처리체를수용한플라즈마처리장치의처리용기내에있어서상기유기막을에칭하는공정을포함한다. 이공정에서는, 처리용기내로수소가스및 질소가스를포함하는처리가스를공급하고, 처리가스의플라즈마를생성한다. 처리가스의유량에서차지하는수소가스의유량의비율은 35 % 이상또한 75 % 이하의비율로설정된다. 또한, 피처리체에이온을인입하기위한고주파바이어스전력이 50 W 이상또한 135 W 이하의범위의전력으로설정된다.

Abstract translation: 本发明涉及一种蚀刻有机膜的方法，蚀刻有机膜同时抑制对下层的损伤。 根据本发明的一个实施例，该方法包括在接收待加工物体的等离子体处理装置的处理容器内蚀刻有机膜的方法。 该方法将包含氢气和氮气的工艺气体提供到处理容器中并产生处理气体的等离子体。 处理气体流中的氢气流量的比例设定为35〜75％。 此外，用于将离子注入待处理物体的高频偏置功率设定在50〜135W的范围内。