公开(公告)号：KR1020060052152A

公开(公告)日：2006-05-19

申请号：KR1020050095180

申请日：2005-10-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 조멘미호 ,  하라게니치

IPC: C23C18/16 ,  C23C18/54

CPC classification number: C23C18/1619

Abstract: 무전해 도금액을 금속염이 포함되는 제 1 약액과 환원제가 포함되는 제 2 약액으로 나누고, 각 약액 공급로에 있어서 그 합류점의 근방에 약액용 개폐수단을 마련함과 동시에, 합류한 후의 무전해 도금액의 공급로에 있어서의 토출구의 근방에 도금액용 개폐수단을 마련하고, 이들 개폐 수단에 의해 사이에 배치되는 공급로내의 도금액을, 대략 1회의 도금처리에 필요한 토출량에 대응시키고, 하나의 기판의 도금 처리가 개시되어, 다음의 기판의 처리가 개시될 때까지의 동안에만 양 약액이 혼합되도록 한다.
무전해 도금액, 무전해 도금장치, 다마신 프로세스, 반도체 기판, 무전해 도금방법

公开(公告)号：KR1020050057334A

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：KR1020057004404

申请日：2003-05-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마루모요시노리 ,  조멘미호 ,  고미야다카유키 ,  사토히로시 ,  정기시

IPC: C23C18/31 ,  H01L21/288

CPC classification number: C23C18/1619 ,  C23C18/1669 ,  C23C18/1678

Abstract: A plate is placed near a substrate held by a substrate holding section. A treating liquid is ejected from a treating liquid ejecting section, thereby plating the substrate electrolessly. The treating liquid flows through the gap between the substrate and the plate. Therefore a flow of the treating liquid occurs on the substrate. As a result, a fresh treating liquid can be supplied onto the substrate. Thus, a plating film can be formed very uniformly on the substrate even if the amount of treating liquid is small.

Abstract translation: 将板放置在由基板保持部保持的基板附近。 处理液从处理液喷射部喷出，由此无电解地镀覆基板。 处理液体流过基板和板之间的间隙。 因此，处理液的流动发生在基板上。 结果，可以将新鲜的处理液体供应到基底上。 因此，即使处理液的量少，也可以在基板上非常均匀地形成镀膜。

公开(公告)号：KR1020100124807A

公开(公告)日：2010-11-29

申请号：KR1020107022362

申请日：2009-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키겐지 ,  고미아츠시 ,  조멘미호

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 기판 상에서 구리 응집을 제어하고 집적 회로 내의 오목부를 공극 없이 벌크 구리 금속으로 충전하기 위한 방법을 제공한다. 일 실시형태에 있어서, 본 방법은 적어도 측벽면과 바닥면을 포함하는 하나 이상의 오목부 및 상면을 포함하는 토포그래피를 갖는 기판을 제공하는 단계와, 그 기판 토포그래피 상에 장벽막을 증착하는 단계와, 상기 장벽막 상에 금속을 함유한 습윤막을 증착하는 단계를 포함한다. 본 방법은 금속 함유 습윤막 상에 구리 금속을 증착하는 단계를 더 포함하고, 기판 온도는 금속 함유 습윤막 상에 매끄러운 구리 금속 시드층을 형성하기에 충분히 높다. 하나 이상의 오목부에는 공극 없는 벌크 구리 금속이 도금된다.

公开(公告)号：KR100751102B1

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：KR1020050095180

申请日：2005-10-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 조멘미호 ,  하라게니치

IPC: C23C18/16 ,  C23C18/54

CPC classification number: C23C18/1619

Abstract: 무전해 도금액을 금속염이 포함되는 제 1 약액과 환원제가 포함되는 제 2 약액으로 나누고, 각 약액 공급로에 있어서 그 합류점의 근방에 약액용 개폐수단을 마련함과 동시에, 합류한 후의 무전해 도금액의 공급로에 있어서의 토출구의 근방에 도금액용 개폐수단을 마련하고, 이들 개폐 수단에 의해 사이에 배치되는 공급로내의 도금액을, 대략 1회의 도금처리에 필요한 토출량에 대응시키고, 하나의 기판의 도금 처리가 개시되어, 다음의 기판의 처리가 개시될 때까지의 동안에만 양 약액이 혼합되도록 한다.
무전해 도금액, 무전해 도금장치, 다마신 프로세스, 반도체 기판, 무전해 도금방법

公开(公告)号：KR101553424B1

公开(公告)日：2015-09-15

申请号：KR1020107022362

申请日：2009-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키겐지 ,  고미아츠시 ,  조멘미호

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 기판상에서구리응집을제어하고집적회로내의오목부를공극없이벌크구리금속으로충전하기위한방법을제공한다. 일실시형태에있어서, 본방법은적어도측벽면과바닥면을포함하는하나이상의오목부및 상면을포함하는토포그래피를갖는기판을제공하는단계와, 그기판토포그래피상에장벽막을증착하는단계와, 상기장벽막상에금속함유습윤막을증착하는단계를포함한다. 본방법은금속함유습윤막상에구리금속을증착하는단계를더 포함하고, 기판온도는금속함유습윤막상에매끄러운구리금속시드층을형성하기에충분히높다. 하나이상의오목부에는공극없는벌크구리금속이도금된다.

公开(公告)号：KR1020100116631A

公开(公告)日：2010-11-01

申请号：KR1020107018622

申请日：2009-01-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키겐지 ,  조멘미호 ,  룰란조나단

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76849 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4482 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은 벌크 Cu 금속에서의 전자 이동 및 응력 이동을 향상시키도록, 선택적 저온 Ru 금속 증착을 반도체 디바이스의 제조에 통합하는 방법을 제공한다. 이 방법은, 유전체층(304)에 오목한 피쳐를 갖는 패턴화된 기판으로서, 상기 오목한 피쳐에는 평탄화된 벌크 Cu 금속(322)이 적어도 실질적으로 충전되어 있는 것인 패턴화된 기판을 마련하는 단계와, 상기 벌크 Cu 금속 및 상기 유전체층을 H
2 , N
2 , 또는 NH
3 , 또는 이들의 조합의 존재 하에서 열처리하는 단계, 그리고 열처리된 상기 평탄화된 벌크 Cu 금속 상에 Ru 금속막(324)을 선택적으로 증착하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020050059178A

公开(公告)日：2005-06-17

申请号：KR1020057004928

申请日：2003-05-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마루모요시노리 ,  사토히로시 ,  조멘미호

IPC: C23C18/31 ,  H01L21/288

CPC classification number: H01L21/6715 ,  C23C18/28 ,  H01L21/288

Abstract: A method of elctroless plating, which comprises forming catalytically active nuclei comprising a catalytically active material having a catalytic activity toward a reducing agent contained in an electroless plating solution on a diffusion inhibiting layer (such as a barrier layer), and then carrying out an electroleless plating using the electroless plating solution. The method allows the formation of an electrolessly plated coating on a barrier layer through the acceleration of the reaction of a reducing agent contained in an electroless plating solution by catalytically active nuclei.

Abstract translation: 一种无电极电镀方法，其包括形成催化活性核，其包含对扩散抑制层（例如阻挡层）上的化学镀溶液中所含的还原剂具有催化活性的催化活性材料，然后进行无电极 使用无电镀液进行电镀。 该方法允许通过催化活性核加速化学镀溶液中包含的还原剂的反应，在阻挡层上形成无电镀涂层。