公开(公告)号：KR1020050057334A

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：KR1020057004404

申请日：2003-05-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마루모요시노리 ,  조멘미호 ,  고미야다카유키 ,  사토히로시 ,  정기시

IPC: C23C18/31 ,  H01L21/288

CPC classification number: C23C18/1619 ,  C23C18/1669 ,  C23C18/1678

Abstract: A plate is placed near a substrate held by a substrate holding section. A treating liquid is ejected from a treating liquid ejecting section, thereby plating the substrate electrolessly. The treating liquid flows through the gap between the substrate and the plate. Therefore a flow of the treating liquid occurs on the substrate. As a result, a fresh treating liquid can be supplied onto the substrate. Thus, a plating film can be formed very uniformly on the substrate even if the amount of treating liquid is small.

Abstract translation: 将板放置在由基板保持部保持的基板附近。 处理液从处理液喷射部喷出，由此无电解地镀覆基板。 处理液体流过基板和板之间的间隙。 因此，处理液的流动发生在基板上。 结果，可以将新鲜的处理液体供应到基底上。 因此，即使处理液的量少，也可以在基板上非常均匀地形成镀膜。

公开(公告)号：KR1019970063506A

公开(公告)日：1997-09-12

申请号：KR1019970003751

申请日：1997-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미야다카유키 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명에 따른 반도체 디바이스의 다층배선 형성방법은, 기판의 절연막상에 알루미늄을 포함하는 금속막을 퇴적시켜 패터닝함으로써 제1층의 배선층을 형성하고, 배선층을 상측부터 피복하도록 기판상의 전면에 걸쳐서 제1층을 구성하는 층간절연막을 형성하고, 절연막의 소정의 위치에, 제1층의 배선층까지 확장하는 접속구멍을 형성하고, 접속구멍내에 100% 이상의 체적분률로 알루미늄을 CVD법에 의해 선택적으로 퇴적시켜 메우고, 알루미늄이 채워진 접속구멍을 포함하는 층간절연막의 상면전체를 연마처리에 의해 평탄화하고, 연마처리에 의해 평탄화된 면의 전체를 세척하고, 접속구멍에 채워진 알루미늄을 통해 제1층의 배선층과 접속하는 제2층의 배선층을 평탄화되어 세척된 층간 절연막의 상면의 소정의 위치에 알루미늄을 포함하는 금속막 퇴적시켜 패터닝함으로써 형성하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR100776831B1

公开(公告)日：2007-11-16

申请号：KR1020060012459

申请日：2006-02-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토미사코 ,  하야시데루유키 ,  고미야다카유키

IPC: H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4401 ,  H01L21/67069

Abstract: 진공 처리 시스템은 피처리체를 수용하여 진공 분위기하에서 처리를 실시하기 위한 처리 챔버를 포함한다. 상기 처리 챔버는 배기계와 공급계를 갖는다. 상기 처리 챔버 외부에서 또한 상기 처리 챔버 내부와 선택적으로 연통되는 공간 내에 마이너스 이온을 발생시키는 이온 발생기가 배치된다. 상기 처리 챔버 내에서 상기 피처리체가 마이너스로 대전한 상태를 형성하기 위해, 마이너스 전하 어플리케이터가 배치된다.
처리 시스템, 피처리체, 처리 챔버, 반송 챔버, 이온 발생기, 이온 취출부, 이온 반송부

公开(公告)号：KR1020060054085A

公开(公告)日：2006-05-22

申请号：KR1020050098202

申请日：2005-10-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  곤도 에이이치

Inventor： 나루시마마사키 ,  마츠자와고우메이 ,  고미야다카유키 ,  곤도에이이치

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23C18/08

Abstract: 본 발명은, 초임계 상태의 매체에 프리커서(precursor)를 첨가함으로써 형성된 처리 매체를 이용하는 공정을 포함하는 기판 상에 성막하기 위한 성막 방법에 관한 것이다. 상기 프리커서는 유기 용매에 용해된 상태로 초임계 상태의 매체에 첨가된다.

公开(公告)号：KR1020060049130A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：KR1020050099672

申请日：2005-10-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  곤도 에이이치

Inventor： 마츠자와고우메이 ,  사토히로시 ,  고미야다카유키 ,  곤도에이이치 ,  마츠모토겐지

IPC: H01L21/208

CPC classification number: H01L21/288 ,  C23C18/04 ,  C23C18/08 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  Y10T428/12819 ,  Y10T428/12903

Abstract: 기판 상에 형성된 Cu 확산 방지막 상에 Cu막을 형성하는 성막 방법에 있어서, Cu 확산 방지막과 Cu막을 밀착시키기 위해 제공되는 밀착막을 Cu 확산 방지막 상에 형성하고, 초임계 상태의 매체에 전구체를 용해시킨 처리 매체를 기판으로 공급하여 밀착막 상에 Cu막을 형성한다.

公开(公告)号：KR100320492B1

公开(公告)日：2002-02-19

申请号：KR1019970003751

申请日：1997-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미야다카유키 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명에 따른 반도체 디바이스의 다층 배선 형성 방법은, 기판의 절연막상에 알루미늄을 포함하는 금속막을 증착한 다음 패터닝함으로써 제 1 층의 배선층을 형성하고, 배선층을 상측부터 피복하도록 기판상의 전면에 걸쳐서 제 1 층을 구성하는 층간 절연막을 형성하고, 절연막의 소정의 위치에 제 1 층의 배선층까지 확장하는 접속 구멍을 형성하고, CVD 기법으로 접속 구멍내에 100％ 이상의 체적분율로 알루미늄을 선택적으로 증착시켜 매립하고, 알루미늄이 채워진 접속 구멍을 포함하는 층간 절연막의 상부면 전체를 연마 처리하여 평탄화하고, 연마 처리에 의해 평탄화된 표면의 전체를 세척하고, 평탄화되어 세척된 층간 절연막의 상부면의 소정의 위치에 알루미늄을 포함하는 금속막을 증착시켜 패터닝함으로써 접속 구멍에 채워진 알루미늄을 � ��해 제 1 층의 배선층과 접속하는 제 2 층의 배선층이 형성되도록 하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR100734713B1

公开(公告)日：2007-07-02

申请号：KR1020050098202

申请日：2005-10-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  곤도 에이이치

Inventor： 나루시마마사키 ,  마츠자와고우메이 ,  고미야다카유키 ,  곤도에이이치

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23C18/08

Abstract: 본 발명은, 초임계 상태의 매체에 프리커서(precursor)를 첨가함으로써 형성된 처리 매체를 이용하는 공정을 포함하는 기판 상에 성막하기 위한 성막 방법에 관한 것이다. 상기 프리커서는 유기 용매에 용해된 상태로 초임계 상태의 매체에 첨가된다.

公开(公告)号：KR100731424B1

公开(公告)日：2007-06-21

申请号：KR1020050099672

申请日：2005-10-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  곤도 에이이치

Inventor： 마츠자와고우메이 ,  사토히로시 ,  고미야다카유키 ,  곤도에이이치 ,  마츠모토겐지

IPC: H01L21/208

CPC classification number: H01L21/288 ,  C23C18/04 ,  C23C18/08 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  Y10T428/12819 ,  Y10T428/12903

Abstract: 기판 상에 형성된 Cu 확산 방지막 상에 Cu막을 형성하는 성막 방법에 있어서, Cu 확산 방지막과 Cu막을 밀착시키기 위해 제공되는 밀착막을 Cu 확산 방지막 상에 형성하고, 초임계 상태의 매체에 전구체를 용해시킨 처리 매체를 기판으로 공급하여 밀착막 상에 Cu막을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020060090760A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：KR1020060012459

申请日：2006-02-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토미사코 ,  하야시데루유키 ,  고미야다카유키

IPC: H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4401 ,  H01L21/67069

Abstract: 진공 처리 시스템은 피 처리 부재를 수용하여 진공 분위기 하에서 처리를 하기 위한 처리 챔버를 포함한다. 상기 처리 챔버는 배기계와 공급계를 갖는다. 상기 처리 챔버 밖에서 또한 상기 처리 챔버 내와 선택적으로 연통되는 공간 내에 마이너스 이온을 발생시키는 이온 발생기가 배치된다. 상기 처리 챔버 내에서 상기 피 처리 부재가 마이너스로 대전한 상태를 형성하기 위해, 마이너스 전하 어플리케이터가 배치된다.
처리 시스템, 피 처리 부재, 처리 챔버, 반송 챔버, 이온 발생기, 이온 취출부, 이온 반송부