公开(公告)号：KR1020030074721A

公开(公告)日：2003-09-19

申请号：KR1020037009600

申请日：2002-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카츠키고이치 ,  요시타카히카루 ,  아시가키시게오 ,  이노우에요이치 ,  아카호리다카시 ,  이시즈카슈우이치 ,  아베쇼이치 ,  스즈키다카시 ,  가와무라고헤이 ,  미요시히데노리 ,  정기시 ,  오시마야스히로 ,  다카하시히로유키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32541

Abstract: 전극판(20)의 서셉터(10)에 대향하는 면을 볼록형의 형상으로 한다. 전극판(20)은 볼록부(20a)에 있어서 실드링(Shield Ring)(26)의 개구(26a)와 결합한다. 이 때, 볼록부(20a)의 두께는, 실드링(26)의 두께와 거의 동일하다. 이로써, 전극판(20)과 실드링(26)은 실질적으로 동일한 평면을 형성한다. 또한, 볼록부(20a)의 주요면은, 웨이퍼(W)의 직경의 1.2∼1.5배의 직경을 갖는다. 또한, 전극판(20)은, 예컨대 SiC로 구성된다.

公开(公告)号：KR1020030064743A

公开(公告)日：2003-08-02

申请号：KR1020037002396

申请日：2001-08-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 정기시

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/76834 ,  C23C16/345 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829

Abstract: A method of forming a silicon nitride film includes a CVD process that uses an organic Si compound having an organic silazane bond as a gaseous source. The CVD process is conducted under a condition that the organic silazane bond in the organic Si source is preserved in the silicon nitride film.

Abstract translation: 形成氮化硅膜的方法包括使用具有有机硅氮烷键的有机Si化合物作为气体源的CVD工艺。 CVD工艺在有机Si源中的有机硅氮烷键保留在氮化硅膜中的条件下进行。

公开(公告)号：KR100900587B1

公开(公告)日：2009-06-02

申请号：KR1020077028702

申请日：2004-11-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가시와기유사쿠 ,  오시마야스히로 ,  가가와요시히사 ,  정기시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/0234 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/3121

Abstract: 본 발명은 유기 실란 가스를 이용한 플라즈마 CVD법에 의해 성막되는 절연막의 저유전율화와, 기계적인 강도의 유지를 가능하게 하는 것을 목적으로 하고 있다. 그 때문에, 본 발명에서는, 피처리 기판에 유기 실란 가스를 함유한 제 1 처리 가스를 공급하여 플라즈마를 여기함으로써, 상기 피처리 기판상에 절연막을 성막하는 성막 단계와, 상기 성막 단계 후, 상기 피처리 기판에 H
2
가스를 포함하는 제 2 처리 가스를 공급하여 플라즈마를 여기함으로써, 상기 절연막의 처리를 실행하는 후처리 단계를 갖는 기판 처리 방법으로서, 상기 후처리 단계의 플라즈마 여기는 마이크로파 플라즈마 안테나에 의해 실행되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법을 이용하고 있다.

公开(公告)号：KR100854809B1

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：KR1020067009109

申请日：2004-11-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가시와기유사쿠 ,  오시마야스히로 ,  가가와요시히사 ,  정기시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/0234 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/3121

Abstract: 본 발명은 유기 실란 가스를 이용한 플라즈마 CVD법에 의해 성막되는 절연막의 저유전율화와, 기계적인 강도의 유지를 가능하게 하는 것을 목적으로 하고 있다. 그 때문에, 본 발명에서는, 피처리 기판에 유기 실란 가스를 함유한 제 1 처리 가스를 공급하여 플라즈마를 여기함으로써, 상기 피처리 기판상에 절연막을 성막하는 성막 단계와, 상기 성막 단계 후, 상기 피처리 기판에 H
2
가스를 포함하는 제 2 처리 가스를 공급하여 플라즈마를 여기함으로써, 상기 절연막의 처리를 실행하는 후처리 단계를 갖는 기판 처리 방법으로서, 상기 후처리 단계의 플라즈마 여기는 마이크로파 플라즈마 안테나에 의해 실행되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법을 이용하고 있다.

公开(公告)号：KR100803803B1

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：KR1020067016344

申请日：2005-01-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키겐지 ,  정기시 ,  오쿠보가즈야

IPC: H01L21/336

CPC classification number: C23C16/30 ,  C23C16/42 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966

Abstract: 본 발명은, 반도체 기판(1)과, 이 기판 위에 형성된 게이트 절연막, 예를 들면 게이트 산화막(2)과, 이 절연막 위에 형성된 게이트 전극(3)을 구비한 반도체 장치에 관한 것이다. 게이트 전극(3)은, 금속 화합물막(3a)을 가진다. 이 금속 화합물막(3a)은, 금속 카르보닐을 함유하는 원료, 예를 들면 W(CO)
6 가스와, Si를 함유하는 가스 및 N을 함유하는 가스 중의 적어도 하나를 이용한 CVD에 의해 형성된다. 이와 같이 해서 형성되는 금속 화합물막(3a)은, 그 Si 및/또는 N의 함유량에 의해서, 그 일함수의 값을 제어할 수 있다.

公开(公告)号：KR100671359B1

公开(公告)日：2007-01-22

申请号：KR1020027001083

申请日：2000-07-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  야마사키히데아키 ,  정기시

IPC: H01L27/108

Abstract: 가스 공급원(10A)은 전처리를 행하기 때문에, 금속막이 성장하기 위한 핵의 형성을 억제하는 WF
6 가스를 처리 대상인 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 소정 시간 공급한다. 전처리를 행한 후, 가스 공급원(10A) 및 가스 공급원(10B)은 전처리가 행해진 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 각각 WF
6 가스, NH
3 가스를 소정 시간 공급한다. 이로써 표면에 요철 형상을 갖는 금속 화합물인 질화텅스텐막을 반도체 웨이퍼(W) 위에 형성한다. 컨트롤러(51)는 미리 제공된 프로그램 등에 따라 가스 공급원(10A, 10B) 등의 동작을 제어한다.

公开(公告)号：KR1020050057334A

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：KR1020057004404

申请日：2003-05-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마루모요시노리 ,  조멘미호 ,  고미야다카유키 ,  사토히로시 ,  정기시

IPC: C23C18/31 ,  H01L21/288

CPC classification number: C23C18/1619 ,  C23C18/1669 ,  C23C18/1678

Abstract: A plate is placed near a substrate held by a substrate holding section. A treating liquid is ejected from a treating liquid ejecting section, thereby plating the substrate electrolessly. The treating liquid flows through the gap between the substrate and the plate. Therefore a flow of the treating liquid occurs on the substrate. As a result, a fresh treating liquid can be supplied onto the substrate. Thus, a plating film can be formed very uniformly on the substrate even if the amount of treating liquid is small.

Abstract translation: 将板放置在由基板保持部保持的基板附近。 处理液从处理液喷射部喷出，由此无电解地镀覆基板。 处理液体流过基板和板之间的间隙。 因此，处理液的流动发生在基板上。 结果，可以将新鲜的处理液体供应到基底上。 因此，即使处理液的量少，也可以在基板上非常均匀地形成镀膜。

公开(公告)号：KR1020070119099A

公开(公告)日：2007-12-18

申请号：KR1020077028702

申请日：2004-11-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가시와기유사쿠 ,  오시마야스히로 ,  가가와요시히사 ,  정기시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/0234 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/3121

Abstract: Disclosed is a method for processing substrate which enables an insulating film formed by a plasma CVD method using an organic silane gas to have a low dielectric constant and to maintain mechanical strength. A method for processing substrate comprising a film-forming step wherein an insulating film is formed on a substrate to be processed by supplying a first process gas containing an organic silane gas onto the substrate and exciting a plasma thereon, and a post-treatment step following the film-forming step wherein the insulating film is treated by supplying a second process gas containing an H2 gas onto the substrate and exciting a plasma thereon is characterized in that the plasma excitation in the post-treatment step is carried out by means of a microwave plasma antenna.

Abstract translation: 公开了一种处理衬底的方法，其使得能够通过使用有机硅烷气体的等离子体CVD方法形成的绝缘膜具有低介电常数并保持机械强度。 一种处理衬底的方法，包括一种成膜步骤，其中通过将含有有机硅烷气体的第一工艺气体供应到衬底上并在其上激发等离子体，在待加工的衬底上形成绝缘膜，以及后处理步骤 其中通过将含有H 2气体的第二处理气体供应到衬底上并激发等离子体来处理绝缘膜的成膜步骤的特征在于后处理步骤中的等离子体激发通过微波 等离子天线

公开(公告)号：KR1020060085953A

公开(公告)日：2006-07-28

申请号：KR1020067009109

申请日：2004-11-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가시와기유사쿠 ,  오시마야스히로 ,  가가와요시히사 ,  정기시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/0234 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/3121

Abstract: Disclosed is a method for processing substrate which enables an insulating film formed by a plasma CVD method using an organic silane gas to have a low dielectric constant and to maintain mechanical strength. A method for processing substrate comprising a film-forming step wherein an insulating film is formed on a substrate to be processed by supplying a first process gas containing an organic silane gas onto the substrate and exciting a plasma thereon, and a post-treatment step following the film-forming step wherein the insulating film is treated by supplying a second process gas containing an H2 gas onto the substrate and exciting a plasma thereon is characterized in that the plasma excitation in the post-treatment step is carried out by means of a microwave plasma antenna.

Abstract translation: 公开了一种处理衬底的方法，其使得能够通过使用有机硅烷气体的等离子体CVD方法形成的绝缘膜具有低介电常数并保持机械强度。 一种处理衬底的方法，包括一种成膜步骤，其中通过将含有有机硅烷气体的第一工艺气体供应到衬底上并在其上激发等离子体，在待加工的衬底上形成绝缘膜，以及后处理步骤 其中通过将含有H 2气体的第二处理气体供应到衬底上并激发等离子体来处理绝缘膜的成膜步骤的特征在于后处理步骤中的等离子体激发通过微波 等离子天线

公开(公告)号：KR100564168B1

公开(公告)日：2006-03-27

申请号：KR1020037009600

申请日：2002-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카츠키고이치 ,  요시타카히카루 ,  아시가키시게오 ,  이노우에요이치 ,  아카호리다카시 ,  이시즈카슈우이치 ,  아베쇼이치 ,  스즈키다카시 ,  가와무라고헤이 ,  미요시히데노리 ,  정기시 ,  오시마야스히로 ,  다카하시히로유키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32541

Abstract: That surface of an electrode plate 20 which is opposite to a susceptor 10 has a projection shape. The electrode plate 20 is fitted in an opening 26a of shield ring 26 at a projection 20a. At this time, the thickness of the projection 20a is approximately the same as the thickness of the shield ring 26. Accordingly, the electrode plate 20 and the shield ring 26 form substantially the same plane. The major surface of the projection 20a has a diameter 1.2 to 1.5 times the diameter of a wafer W. The electrode plate 20 is formed of, for example, SiC.