公开(公告)号：KR1020120135913A

公开(公告)日：2012-12-17

申请号：KR1020127027053

申请日：2011-03-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  룰란조나단 ,  요코야마오사무 ,  고미아츠시 ,  야스무로치아키 ,  가토다카라 ,  하타노다츠오 ,  가와사키히로아키

IPC: H01L21/3205 ,  C23C16/56

CPC classification number: H01L21/76829 ,  C23C14/025 ,  C23C14/18 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5873 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/08 ,  C23C16/56 ,  C23C28/322 ,  C23C28/34 ,  C23C28/345 ,  C23C28/42 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 표면에 오목부를 갖는 피처리체의 표면에 오목부를 매립하도록 박막을 형성하는 박막의 형성 방법으로서, 상기 오목부를 포함하는 상기 피처리체의 표면에 매립용의 금속막을 형성해서 상기 오목부를 매립하는 공정과, 상기 금속막을 덮도록 해서 상기 피처리체의 표면의 전면(全面)에 확산 방지용의 금속막을 형성하는 공정과, 상기 확산 방지용의 금속막이 형성된 상기 피처리체를 어닐하는 공정을 포함하는 박막의 형성 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR1020100116631A

公开(公告)日：2010-11-01

申请号：KR1020107018622

申请日：2009-01-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키겐지 ,  조멘미호 ,  룰란조나단

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76849 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4482 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은 벌크 Cu 금속에서의 전자 이동 및 응력 이동을 향상시키도록, 선택적 저온 Ru 금속 증착을 반도체 디바이스의 제조에 통합하는 방법을 제공한다. 이 방법은, 유전체층(304)에 오목한 피쳐를 갖는 패턴화된 기판으로서, 상기 오목한 피쳐에는 평탄화된 벌크 Cu 금속(322)이 적어도 실질적으로 충전되어 있는 것인 패턴화된 기판을 마련하는 단계와, 상기 벌크 Cu 금속 및 상기 유전체층을 H
2 , N
2 , 또는 NH
3 , 또는 이들의 조합의 존재 하에서 열처리하는 단계, 그리고 열처리된 상기 평탄화된 벌크 Cu 금속 상에 Ru 금속막(324)을 선택적으로 증착하는 단계를 포함한다.