기판 처리 장치
    1.
    发明授权
    기판 처리 장치 有权
    基板处理装置

    公开(公告)号:KR100895035B1

    公开(公告)日:2009-05-04

    申请号:KR1020047021052

    申请日:2003-06-25

    CPC classification number: H01L21/67051 Y10S134/902

    Abstract: 기판 처리 장치에 설치되는 증기 발생기(40')는 PTFE와 PFA의 혼합물로 이루어지는 중공 원통형 부재(302)와, 이 원통형 부재(302)의 양단에 접속된 1쌍의 측벽판(303)을 갖는 탱크(301)를 갖추고 있다. 측벽판(303)은 알루미늄 합금으로 이루어지며, 그 내면에 PFA 피복이 실시되어 있다. 탱크(301)의 주위는 탱크 내압에 기인하는 탱크의 변형을 방지하기 위한 알루미늄 합금제의 셸(305)에 의해 덮여 있다. 셸(305)의 판형 부재(307)의 외면에는 히터(308)가 부착되어 있다. 셸(305)은 탱크(301)를 구속하여, 원통형 부재(302)와 측벽판(303) 사이의 탄성 시일(304)을 눌러 찌그러뜨려, 원통형 부재(302)와 측벽판(303)을 밀봉 결합시킨다.

    기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
    2.
    发明授权
    기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 有权
    基板处理系统和基板处理方法

    公开(公告)号:KR100910602B1

    公开(公告)日:2009-08-03

    申请号:KR1020030041924

    申请日:2003-06-26

    CPC classification number: H01L21/67253 G03F7/423 H01L21/67017

    Abstract: 기판 처리 시스템은 산소 함유 가스 중에서 방전함으로써 오존 함유 가스를 발생시키는 오존 가스 발생기와, 기판을 각각 수납하여 그곳에 공급되는 오존 함유 가스에 의해 기판을 처리하는 복수의 챔버를 구비하고 있다. 유량 조정기는 오존 발생기에 공급되는 산소 함유 가스의 유량을 제어한다. 컨트롤러는 오존 가스 발생기에 공급되는 산소 함유 가스의 유량을 조정함으로써, 하나 또는 복수의 챔버에 오존 가스 발생기로부터 공급되는 오존 함유 가스의 유량을 제어한다.

    기판 처리 용기
    3.
    发明授权
    기판 처리 용기 失效
    基板加工容器

    公开(公告)号:KR100992803B1

    公开(公告)日:2010-11-09

    申请号:KR1020057001397

    申请日:2003-07-25

    CPC classification number: H01L21/67748 H01L21/68728 H01L21/68742

    Abstract: 기판 처리 용기는 용기 본체(100)와, 용기 본체(100)에 밀봉하여 걸어 맞춰지는 덮개(130)를 갖는다. 용기 본체(100)에는 복수의 기판 지지 로드(102)가 부착되어 있고, 기판 지지 로드(102)는 축부(103)와, 축부(103) 상단에 설치된 대직경의 헤드부(104)를 갖는다. 축부(103)는 용기 본체(100)를 관통하여 상하 방향으로 연장되어 있다. 기판 지지 로드(102)가 하강 위치에 있는 경우에, 헤드부(104)는 축부(103)가 통과된 구멍(108)의 입구를 기밀하게 폐색한다. 기판 지지 로드(102)가 상승 위치에 있는 경우, 용기 본체(100)의 상면과 기판 지지 로드(102)에 의해 지지되어 있는 웨이퍼(W) 사이에 웨이퍼 반송 아암(14a)의 진입을 허용하는 큰 간극이 형성된다. 이 구성에 의해 기판 처리 용기내의 처리 공간의 상하 방향 두께를 매우 작게 할 수 있고, 처리 유체의 사용량의 삭감 및 작업 처리량의 향상을 도모할 수 있다.

    기판 처리 장치
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1020050013618A

    公开(公告)日:2005-02-04

    申请号:KR1020047021052

    申请日:2003-06-25

    CPC classification number: H01L21/67051 Y10S134/902

    Abstract: 기판 처리 장치에 설치되는 증기 발생기(40')는 PTFE와 PFA의 혼합물로 이루어지는 중공 원통형 부재(302)와, 이 원통형 부재(302)의 양단에 접속된 1쌍의 측벽판(303)을 갖는 탱크(301)를 갖추고 있다. 측벽판(303)은 알루미늄 합금으로 이루어지며, 그 내면에 PFA 피복이 실시되어 있다. 탱크(301)의 주위는 탱크 내압에 기인하는 탱크의 변형을 방지하기 위한 알루미늄 합금제의 셸(305)에 의해 덮여 있다. 셸(305)의 판형 부재(307)의 외면에는 히터(308)가 부착되어 있다. 셸(305)은 탱크(301)를 구속하여, 원통형 부재(302)와 측벽판(303) 사이의 탄성 시일(304)을 눌러 찌그러뜨려, 원통형 부재(302)와 측벽판(303)을 밀봉 결합시킨다.

    기판 처리 용기
    7.
    发明公开
    기판 처리 용기 失效
    基板加工容器

    公开(公告)号:KR1020050019928A

    公开(公告)日:2005-03-03

    申请号:KR1020057001397

    申请日:2003-07-25

    CPC classification number: H01L21/67748 H01L21/68728 H01L21/68742

    Abstract: 기판 처리 용기는 용기 본체(100)와, 용기 본체(100)에 밀봉하여 걸어 맞춰지는 덮개(130)를 갖는다. 용기 본체(100)에는 복수의 기판 지지 로드(102)가 부착되어 있고, 기판 지지 로드(102)는 축부(103)와, 축부(103) 상단에 설치된 대직경의 헤드부(104)를 갖는다. 축부(103)는 용기 본체(100)를 관통하여 상하 방향으로 연장되어 있다. 기판 지지 로드(102)가 하강 위치에 있는 경우에, 헤드부(104)는 축부(103)가 통과된 구멍(108)의 입구를 기밀하게 폐색한다. 기판 지지 로드(102)가 상승 위치에 있는 경우, 용기 본체(100)의 상면과 기판 지지 로드(102)에 의해 지지되어 있는 웨이퍼(W) 사이에 웨이퍼 반송 아암(14a)의 진입을 허용하는 큰 간극이 형성된다. 이 구성에 의해 기판 처리 용기내의 처리 공간의 상하 방향 두께를 매우 작게 할 수 있고, 처리 유체의 사용량의 삭감 및 작업 처리량의 향상을 도모할 수 있다.

    기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
    8.
    发明公开
    기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 有权
    用于处理基板的系统和方法

    公开(公告)号:KR1020040002743A

    公开(公告)日:2004-01-07

    申请号:KR1020030041924

    申请日:2003-06-26

    CPC classification number: H01L21/67253 G03F7/423 H01L21/67017

    Abstract: PURPOSE: To provide a system and method for treating substrates by which a stable flow rate of ozone gas having a stable ozone concentration can be generated even if ozone gas is fed to a plurality of chambers. CONSTITUTION: This system for treating substrates comprises an ozone gas generator 42 for generating ozone gas by discharging in oxygen-containing gas, and a plurality of chambers 30A, 30B for separately housing substrates W. Ozone gas is fed into the chambers 30A, 30B to separately treat the substrate W. Further, the system has gas flow rate regulators 188, 191 for regulating the flow rate of the oxygen-containing gas fed to the ozone gas generator 42, and a controller 201 for controlling the gas flow rate regulators 188, 191. The total flow rate of the ozone gas fed to the plurality of the chambers 30A, 30B is controlled by controlling the flow rate of the oxygen-containing gas by the controller 201.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于处理底物的系统和方法,其中即使将臭氧气体输送到多个室,也可以产生具有稳定的臭氧浓度的臭氧气体的稳定流速。 构成:用于处理基板的系统包括用于通过在含氧气体中排放产生臭氧气体的臭氧气体发生器42和用于单独容纳基板W的多个室30A,30B。臭氧气体被供给到室30A,30B至 此外,该系统具有用于调节供给到臭氧气体发生器42的含氧气体的流量的气体流量调节器188,191和用于控制气体流量调节器188的控制器201, 通过控制器201控制含氧气体的流量来控制供给到多个室30A,30B的臭氧气体的总流量。

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