公开(公告)号：KR1020160103531A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：KR1020160021034

申请日：2016-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베히카루 ,  츠지아키히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76897

Abstract: 본발명은산화실리콘으로구성된제1 영역을에칭하는기술에있어서, 질화실리콘으로구성된제2 영역의깎임을억제하고, 또한처리시간을짧게하는것을목적으로한다. 일실시형태의방법에서는, 제1 영역을에칭하기위해서, 1회이상의시퀀스가실행된다. 1회이상의시퀀스의각각은, 피처리체상에플루오로카본을포함하는퇴적물을형성하는제1 공정과, 퇴적물에포함되는플루오로카본의라디칼에의해제1 영역을에칭하는제2 공정을포함한다. 1회이상의시퀀스의실행후, 플루오로카본가스를포함하는제2 처리가스의플라즈마가생성되어, 제1 영역이더욱에칭된다.

Abstract translation: 本发明涉及蚀刻由氧化硅构成的第一区域的技术，以抑制由氮化硅构成的第二区域的切割并缩短处理时间。 在根据本发明实施例的方法中，执行一个或多个序列来蚀刻第一区域。 一个或多个序列中的每一个包括在处理对象上形成包含碳氟化合物的沉积物的第一过程，以及由沉积物中包含的碳氟化合物的基团蚀刻第一区域的第二过程。 在执行一个或多个序列之后，产生包括碳氟化合物气体的第二工艺气体，并且进一步蚀刻第一区域。

公开(公告)号：KR1020170057146A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：KR1020160151007

申请日：2016-11-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베히카루 ,  츠지아키히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0276 ,  G03F1/24 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 선택비를향상시키면서, 피에칭대상막의에칭형상을수직으로한다. 피처리체에대한플라즈마처리에의해, 실리콘함유반사방지막을레지스트막의패턴으로에칭하는에칭방법에있어서, 피처리체는, 에칭대상층과, 상기에칭대상층의위에적층된상기실리콘함유반사방지막과, 상기실리콘함유반사방지막의위에적층된상기레지스트막을갖고, 피처리체를수용한처리용기내에있어서플루오로카본가스를포함하는처리가스의플라즈마를생성하는제 1 공정과, 피처리체를수용한상기처리용기내에서불활성가스를포함하는처리가스의플라즈마를생성하는제 2 공정을갖고, 상기제 1 공정및 상기제 2 공정을반복하여실행하는에칭방법이제공된다.

Abstract translation: 待蚀刻薄膜的蚀刻形状是垂直的，而选择性得到改善。 通过将被处理的对象的等离子体处理，在该蚀刻方法称为含抗蚀剂膜图案的防反射膜，受试者硅待处理，蚀刻目标层和含硅防反射膜的蚀刻对象层和含有沉积在所述硅 在具有抗蚀剂膜层叠在抗反射膜上且含有处理对象的处理容器中，形成含有氟碳化合物气体的处理气体的等离子体的第1工序; 以及产生包含第一工艺和第二工艺的工艺气体的等离子体的第二步骤，其中重复执行第一工艺和第二工艺。

公开(公告)号：KR101888728B1

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：KR1020150092004

申请日：2015-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베히카루 ,  혼다마사노부 ,  츠지아키히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76814 ,  H01L2221/1063

Abstract: 피처리체를처리하는방법을제공한다. 일실시형태의방법은, 피처리체를처리하여, 산화영역으로부터 2개의융기영역사이를통과하여하지층까지도달하는개구를형성하는것이다. 이방법은, (1) 2개의융기영역사이에서질화영역의제2 부분을노출시키는개구를산화영역에형성하는공정과, (2) 개구내의산화실리콘제의잔사및 제2 부분을에칭하는공정을포함한다. 잔사및 제2 부분을에칭하는공정에서는, 수소를함유하는가스및 NF가스를포함하는혼합가스의플라즈마에피처리체를노출시켜잔사및 제2 부분을변질시킴으로써변질영역을형성하고, 그변질영역을제거한다.

公开(公告)号：KR1020160003565A

公开(公告)日：2016-01-11

申请号：KR1020150092004

申请日：2015-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베히카루 ,  혼다마사노부 ,  츠지아키히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76814 ,  H01L2221/1063

Abstract: 피처리체를처리하는방법을제공한다. 일실시형태의방법은, 피처리체를처리하여, 산화영역으로부터 2개의융기영역사이를통과하여하지층까지도달하는개구를형성하는것이다. 이방법은, (1) 2개의융기영역사이에서질화영역의제2 부분을노출시키는개구를산화영역에형성하는공정과, (2) 개구내의산화실리콘제의잔사및 제2 부분을에칭하는공정을포함한다. 잔사및 제2 부분을에칭하는공정에서는, 수소를함유하는가스및 NF가스를포함하는혼합가스의플라즈마에피처리체를노출시켜잔사및 제2 부분을변질시킴으로써변질영역을형성하고, 그변질영역을제거한다.

Abstract translation: 提供了一种加工工件的方法。 一种实施方式的方法是处理工件以形成通过来自氧化区域的两个提升区域到达下层的开口。 该方法包括以下处理：（1）形成在氧化区域中的两个隆起区域之间露出氮化物区域的第二部分的开口; 和（2）在开口和第二部分内蚀刻硅氧烷氧化物的残留物。 在蚀刻残留物和第二部分的过程中，将工件暴露于含有氢的气体和含有NF_3气体的气体混合物的等离子体，其影响残留物和第二部分以形成受影响区域，然后影响受影响区域 被删除。

公开(公告)号：KR1020160088819A

公开(公告)日：2016-07-26

申请号：KR1020160004853

申请日：2016-01-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베히카루 ,  츠지아키히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3105 ,  H05H1/46 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76813

Abstract: (과제) 질화실리콘으로구성된제 2 영역이깎이는것을억제하면서, 산화실리콘으로구성된제 1 영역을에칭한다. (해결수단) 일실시형태의방법은, (a) 피처리체를수용한처리용기내에있어서플루오로카본가스를포함하는처리가스의플라즈마를생성하는제 1 공정과, (b) 피처리체를수용한처리용기내에있어서플루오로카본가스를포함하는처리가스의플라즈마를더 생성하는제 2 공정과, (c) 제 1 공정및 제 2 공정에의해처리체상에형성되는퇴적물에포함되는플루오로카본의라디칼에의해제 1 영역을에칭하는제 3 공정을포함한다. 제 1 공정에있어서플라즈마를생성하기위해이용되는고주파전력은, 제 2 공정에있어서플라즈마를생성하기위해이용되는고주파전력보다작다.

Abstract translation: 本发明涉及一种能够防止由氮化硅构成的第二区域的切割的蚀刻方法。 并蚀刻由氧化硅构成的第一区域。 蚀刻方法包括：（a）在接收加工对象的处理容器中产生包括碳氟化合物气体的处理气体的等离子体的第一过程; （b）进一步产生处理气体的等离子体的第二过程，所述处理气体包括处理容器中的碳氟化合物气体，所述处理容器接收处理过的物体; 以及（c）通过使用第一工序和第二工序，通过使用形成在处理对象物中的沉积物中所含的碳氟化合物来蚀刻第一区域的第三工序。 在第一过程中用于产生等离子体的高频功率小于在第二过程中用于产生等离子体的高频功率。

公开(公告)号：KR1020160088817A

公开(公告)日：2016-07-26

申请号：KR1020160004751

申请日：2016-01-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베히카루 ,  츠지아키히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3105 ,  H05H1/46

Abstract: (과제) 질화실리콘으로구성된제 2 영역이깎이는것을억제하면서, 산화실리콘으로구성된제 1 영역을에칭한다. (해결수단) 일실시형태의방법은, 제 1 영역을에칭하기위해, 1회이상의제 1 시퀀스가실행되고, 그러한후에, 1회이상의제 2 시퀀스가실행된다. 1회이상의제 1 시퀀스의각각, 및, 1회이상의제 2 시퀀스의각각은, 피처리체상에플루오로카본을포함하는퇴적물을형성하는제 1 공정과, 퇴적물에포함되는플루오로카본의라디칼에의해제 1 영역을에칭하는제 2 공정을포함한다. 1회이상의제 1 시퀀스의각각에의해제 1 영역이에칭되는양은, 1회이상의제 2 시퀀스의각각에의해제 1 영역이에칭되는양보다적다.

Abstract translation: 本发明的蚀刻方法通过抑制由氮化硅构成的第二区域来切割由氧化硅构成的第一区域。 根据本发明的实施例，蚀刻方法包括：执行第一序列一次或多次; 并执行第二序列一次或多次。 具有一次或多次的每个第一序列和每个第二序列具有一个或多个次序包括：用于在待处理材料上形成包含碳氟化合物的沉积物的第一工艺; 以及通过沉积物中包含的碳氟化合物的自由基来蚀刻第一区域的第二工艺。 由第一序列蚀刻的一次或多次的第一区域的量小于通过第二序列蚀刻的第一区域的量一次或多次。

公开(公告)号：KR1020160088816A

公开(公告)日：2016-07-26

申请号：KR1020160004684

申请日：2016-01-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베히카루 ,  츠지아키히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311

Abstract: (과제) 개구의폐색을방지하면서, 질화실리콘으로구성된제 2 영역에대하여, 산화실리콘으로구성된제 1 영역을에칭한다. (해결수단) 일실시형태의방법은, 피처리체를수용한처리용기내에있어서플루오로카본가스를포함하는처리가스의플라즈마를생성하는제 1 공정으로서, 피처리체상에플루오로카본을포함하는퇴적물을형성하는, 상기제 1 공정과, 피처리체를수용한처리용기내에있어서, 산소함유가스및 불활성가스를포함하는처리가스의플라즈마를생성하는제 2 공정과, 퇴적물에포함되는플루오로카본의라디칼에의해제 1 영역을에칭하는제 3 공정을포함한다. 이방법에서는, 제 1 공정, 제 2 공정, 및제 3 공정을포함하는시퀀스가반복하여실행된다.

Abstract translation: 提供了一种用于在防止堵塞开口的情况下，相对于由氮化硅构成的第二区域蚀刻由氧化硅构成的第一区域的方法。 根据实施例的方法包括：在存储目标物体的处理室中产生含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体的第一过程，并且在目标物体上形成含有碳氟化合物的沉积物; 在与目标物体一起存储的处理室中产生含有含氧气体和惰性气体的处理气体的等离子体的第二工序; 以及通过沉积物中所含的碳氟化合物的自由基蚀刻第一区域的第三过程。 重复执行包括第一，第二和第三处理的序列。