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公开(公告)号：KR1020080027747A
公开(公告)日：2008-03-28
申请号：KR1020070096664
申请日：2007-09-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 츠카모토유지
IPC: H01L21/683 , H01L21/00 , H01L21/02
Abstract: A temperature controlled substrate holder having an erosion resistant insulating layer for a substrate processing system is provided to resist halogen-containing gas corrosion by using an erosion resistant thermal insulator. A temperature controlled support base(120) has a first temperature, and a substrate support(130) is opposite to the temperature controlled support base to support a substrate(110). At least one heating element is coupled to the substrate support to heat the substrate support by a second temperature higher than the first temperature. An erosion resistant thermal insulator is disposed between the temperature controlled support base and the substrate support. The erosion resistant thermal insulator contains a material composition to resist halogen-containing gas corrosion.
Abstract translation: 提供具有用于基板处理系统的抗侵蚀绝缘层的温度控制的基板保持器，以通过使用耐腐蚀的热绝缘体来耐受含卤气体腐蚀。 温度控制的支撑基座（120）具有第一温度，并且衬底支撑件（130）与受温度控制的支撑基座相对以支撑衬底（110）。 至少一个加热元件耦合到基板支撑件以将基板支撑件加热高于第一温度的第二温度。 耐温热绝缘体设置在受温度控制的支撑基底和基底支撑件之间。 耐腐蚀的绝热体包含耐卤素气体腐蚀的材料组成。
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公开(公告)号：KR1020090071614A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：KR1020097008221
申请日：2007-08-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/683
CPC classification number: F27D5/0037 , C23C16/4586 , C23C16/46 , H01J2237/2001 , H01L21/67103
Abstract: A substrate holder for supporting a substrate in a processing system includes a temperature controlled support base having a first temperature, and a substrate support opposing the temperature controlled support base and configured to support the substrate. Also included is one or more heating elements coupled to the substrate support and configured to heat the substrate support to a second temperature above the first temperature, and a thermal insulator disposed between the temperature controlled support base and the substrate support. The thermal insulator includes a non-uniform spatial variation of the heat transfer coefficient (W/m2-K) through the thermal insulator between the temperature controlled support base and the substrate support.
Abstract translation: 用于在处理系统中支撑衬底的衬底保持器包括具有第一温度的温度控制的支撑基座和与温度受控的支撑基座相对并且被配置为支撑衬底的衬底支撑件。 还包括一个或多个加热元件，其耦合到衬底支撑件并且被配置为将衬底支撑件加热到高于第一温度的第二温度，以及设置在温度受控支撑基底和衬底支撑件之间的热绝缘体。 热绝缘体包括通过温度控制的支撑基底和基底支撑件之间的热绝缘体的传热系数（W / m 2 -K）的不均匀空间变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101421720B1
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：KR1020070096664
申请日：2007-09-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 츠카모토유지
IPC: H01L21/683 , H01L21/00 , H01L21/02
Abstract: 처리 시스템에서 기판을 지지하기 위한 기판 홀더는 제1온도를 갖는 온도제어 지지대 베이스와, 온도제어 지지대 베이스와 대향하며 기판을 지지하도록 구성된 기판 지지대와, 기판 지지대에 결합되며 기판 지지대를 제1온도 이상의 제2온도로 가열하도록 구성된 하나 이상의 가열 소자를 포함한다. 온도제어 지지대 베이스 및 기판 지지대 사이에 배치된 내식성 열 절연체는 할로겐-함유 가스 부식을 방지하도록 구성된 재료 조성을 포함한다.
기판 홀더, 내식성 절연층, 온도 제어, 열 절연체, 가열 소자-
公开(公告)号：KR1020140114900A
公开(公告)日：2014-09-29
申请号：KR1020147024209
申请日：2007-08-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/683
CPC classification number: F27D5/0037 , C23C16/4586 , C23C16/46 , H01J2237/2001 , H01L21/67103
Abstract: 프로세싱 시스템에서 기판을 지지하기 위한 기판 홀더는, 제1 온도를 갖는 온도 제어식 지지 베이스, 및 상기 온도 제어식 지지 베이스에 마주 보며, 상기 기판을 지지하도록 구성된 기판 지지부를 포함한다. 또한, 상기 기판 지지부에 연결되며, 상기 기판 지지부를 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도로 가열하도록 구성된 하나 이상의 가열 소자들, 및 상기 온도 제어식 지지 베이스와 상기 기판 지지부 사이에 배치된 열 절연체가 포함된다. 이 열 절연체는 상기 온도 제어식 지지 베이스와 상기 기판 지지부 사이의 상기 열 절연체를 통한 열 전달 계수(W/m
2 -K)의 불균일한 공간적 변동을 포함한다.-
公开(公告)号：KR101313426B1
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：KR1020087026344
申请日：2007-02-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3105 , C23F1/00
CPC classification number: H01L21/6875
Abstract: 본 출원은 포토레지스트와 에칭 프로세스 동안에 형성된 에칭 잔류물을 제거하기 위한 에칭후 처리 시스템에 대해 설명하고 있다. 예컨대, 에칭 잔류물은 할로겐 함유 물질을 포함할 수 있다. 에칭후 처리 시스템은, 진공 챔버와, 이 진공 챔버에 연결된 라디칼 발생 시스템과, 이 라디칼 발생 시스템에 연결되고 반응성 라디칼을 기판 위로 분배하도록 구성되어 있는 라디칼 분배 시스템, 그리고 진공 챔버에 연결되고 기판을 지지하도록 구성되어 있는 고온 받침대를 포함한다. 고온 받침대는 기판의 미끄러짐을 최소화하도록 구성되어 있는 스코어링 가공된 상면을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020080109888A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：KR1020087026344
申请日：2007-02-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3105 , C23F1/00
CPC classification number: H01L21/6875
Abstract: A post-etch treatment system is described for removing photoresist and etch residue formed during an etching process. For example, the etch residue ca include halogen containing material. The post-etch treatment system comprises a vacuum chamber, a radical generation system coupled to the vacuum chamber, a radical gas distribution system coupled to the radical generation system and configured to distribute reactive radicals above a substrate, and a high temperature pedestal coupled to the vacuum chamber and configured to support the substrate. The high temperature pedestal comprises a scored upper surface configured to minimize substrate slippage. ® KIPO & WIPO 2009
Abstract translation: 描述了蚀刻后处理系统，用于去除蚀刻过程中形成的光致抗蚀剂和蚀刻残留物。 例如，蚀刻残渣ca包括含卤素材料。 蚀刻后处理系统包括真空室，耦合到真空室的自由基产生系统，耦合到自由基产生系统并被配置为在基板上分布反应性基团的自由基气体分配系统，以及耦合到基板的高温基座 真空室并构造成支撑基板。 高温基座包括被配置为最小化衬底滑动的刻痕上表面。 ®KIPO＆WIPO 2009
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公开(公告)号：KR1020070039884A
公开(公告)日：2007-04-13
申请号：KR1020067027569
申请日：2005-06-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/46
CPC classification number: C23C16/46 , C23C14/541 , C23C16/4586
Abstract: 본 방법 및 시스템은 기판 홀더의 상부 표면의 신속한 온도 프로파일 제어용으로 제공되어, 상기 표면 상의 온도 프로파일의 특정 균일성 또는 특정 불균일성을 제공한다. 기판 홀더는, 지정된 유량과 지정된 온도에서 열 전달 유체를 이용하는, 제1 열 존에 위치된 제1 유체 채널을 포함하여 기판 홀더의 표면의 제1 열 존의 온도 프로파일을 제어한다. 기판 홀더의 제2 열 존에 위치된 제2 유체 채널은, 지정된 유량과 지정된 온도로 열 전달 유체를 사용하여, 기판 홀더의 표면의 제2 열 존의 온도 프로파일을 제어하도록 구성된다.
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